Урицкий, В. Я. Фундаментальная модификация слоя затворного диоксида кремния, вызванная материальным геттерированием электрически активных центров [Текст] / В.Я.Урицкий,А.П.Крылов,С.Е.Борисов // Микроэлектроника. - 2000. - Т.2. - 6.-С.466-470.-Библиогр.:12 назв.
Кл.слова (ненормированные): МОП-транзисторы кремниевые -- Модификация слоя затворного диэлектрика -- Латерального геттерирования ионизированных донорных центров метод Доп.точки доступа: Крылов, А.П. Борисов, С.Е. |