Корнилов, Б. В. Движение импульса нервновесных носителей заряда вблизи порога возбуждения рекомбинационных волн в Si[Zn][Текст] [Текст] / Б.В.Корнилов, В.В.Привезенцев // Микроэлектроника. - 2006. - Т.3. - N2.- С.105-111.-Библиогр.: 9 назв.
Кл.слова (ненормированные): Импульсная модуляция сигнала -- Кремниевая технология(развитие) -- Материалы пьезокерамические(перспективы применения) Доп.точки доступа: Привезенцев, В.В. |
Корнилов, Б. В. Распределения амплитуды рекомбинационных волн в SI(Zn) в стационарном режиме[Текст] [Текст] / Б.В.Корнилов, В.В.Привезенцев // Микроэлектроника. - 2004. - Т.3. - 4.-С.273-276.-Библиогр.: с.276. - (Получение и свойства микроэлектронных структур)
Кл.слова (ненормированные): Волноведущие пленки(задачи восстановления параметров) Доп.точки доступа: Привезенцев, В.В. |