Н 34 Лебедев, А. В. Светодиоды на основе гетероструктур из нитрида галлия (GaN) и его твердых раствором (InGaN, AiGaN) [Текст] / А. В. Лебедев ; науч. рук. И. Ю. Сергеева // Научному прогрессу - творчество молодых : сб. материалов Междунар. науч. студен. конф. по естественно- науч. и техн. дисциплинам, 18-19 апр. 2008 г. : в 3 ч. / М-во образования и науки РФ, Федер. агентство по образованию, Гос. ком. Респ. Марий Эл по проф. образованию, МарГТУ ; [редкол.: Иванов В. А. и др.]. - Йошкар-Ола : МарГТУ, 2008. - Ч. 2. - С. 195-196. - (Энергообеспечение предприятий) . - 645899 кнхр
Кл.слова (ненормированные): Труды МарГТУ -- светодиоды -- гетероструктуры -- полупроводниковые источники света -- физика Доп.точки доступа: Сергеева, И. Ю. (старший преподаватель) \науч. рук.\ |