Некоторые применения микроволнового источника плотной плазмы в субмикронной технологии кремниевых интегральных схем [Текст] / С. Н. Аверкин и [др.] // Микроэлектроника. - 2001. - Т.3. - 3.-С.183-188.-Библиогр.:14 назв.
Кл.слова (ненормированные): Субмикронная технология кремниевых интегральных схем -- Интегральные схемы кремниевые(субмикронная технология) -- Микроволновой источник плотной плазмы(применение) -- Охлаждение тонких слоев SiO2 -- Заполнение субмикронных канавок -- Субмикронные канавки(заполнение) -- Тонкие слои SiO2(охлаждение) -- Локальная планаризация поверхности ИС -- Травление глубоких"тренчей"в диэлектрике -- Диэлектрик(травление"тренчей") Доп.точки доступа: Аверкин, С.Н. Валиев, К.А. Наумов, В.А. Калинин, А.В. Кривоспицкий, А.Д. Орликовский, А.А. Рылов, А.А. |