Денисенко, В. В. Перестройка параметров табличных моделей субмикронных МОП-транзисторов [Текст] / В. В. Денисенко // Микроэлектроника. - 2010. - N 5. - С. 378-191. - Библиогр.: с. 390-391 (19 назв.)
Кл.слова (ненормированные): МОП-ТРАНЗИСТОРЫ КРЕМНИЕВЫЕ -- табличные модели -- компактные модели -- СБИС Аннотация: Предлагается метод перестройки параметров табличных моделей субмикронных МОП-транзисторов, использующий результаты стандартного электронного тестирования, выполняемого при мониторинге техпроцесса производства СБИС. |
Урицкий, В. Я. Фундаментальная модификация слоя затворного диоксида кремния, вызванная материальным геттерированием электрически активных центров [Текст] / В.Я.Урицкий,А.П.Крылов,С.Е.Борисов // Микроэлектроника. - 2000. - Т.2. - 6.-С.466-470.-Библиогр.:12 назв.
Кл.слова (ненормированные): МОП-транзисторы кремниевые -- Модификация слоя затворного диэлектрика -- Латерального геттерирования ионизированных донорных центров метод Доп.точки доступа: Крылов, А.П. Борисов, С.Е. |