Измерение линейных размеров кремниевых элементов нанорельефа с профилем, близким к прямоугольному методом дефокусировки электронного зонда РЭМ [Текст] // Микроэлектроника. - 2010. - Т. 39, N 6. - С. 420-425 : ил. - Библиогр.: с. 425(3 назв.)
Кл.слова (ненормированные): КРЕМНИЕВАЯ ТЕХНОЛОГИЯ(РАЗВИТИЕ) -- РАСТРОВАЯ ЭЛЕКТРОННАЯ МИКРОСКОПИЯ -- НАНОСТРУКТУРЫ (ЭЛЕКТРОННО-МИКРОСКОПИЧЕСКИЕ ИССЛЕДОВАНИЯ) Аннотация: На РЭМ исследованы одиночные кремниевые элементы нанорельефа с разной шириной. |
Ковалев, Ф. И. Новые полупроводниковые материалы для силовых приборов [Текст] / Ф.И.Ковалев, Ю.А.Евсеев // Электротехника. - 2006. - N10. - С. .7-8.
Кл.слова (ненормированные): Монокристаллы(для радиопромышленности) -- Кремниевая технология(развитие) Аннотация: Монокристаллический кремний Доп.точки доступа: Евсеев, Ю.А. |
Корнилов, Б. В. Движение импульса нервновесных носителей заряда вблизи порога возбуждения рекомбинационных волн в Si[Zn][Текст] [Текст] / Б.В.Корнилов, В.В.Привезенцев // Микроэлектроника. - 2006. - Т.3. - N2.- С.105-111.-Библиогр.: 9 назв.
Кл.слова (ненормированные): Импульсная модуляция сигнала -- Кремниевая технология(развитие) -- Материалы пьезокерамические(перспективы применения) Доп.точки доступа: Привезенцев, В.В. |
Моделирование радиационных эффектов в микроэлектронных изделиях на основе кремния [Текст] // Микроэлектроника. - 2004. - Т.3. - 2.-160с.Тематический выпуск
Кл.слова (ненормированные): Кремниевая технология(развитие) -- Схемотехническое проектирование микроэлектронных устройств(п -- Кремниевые интегральные схемы(проблема долговечности) |
Орликовский, А. А. Плазменные процессы в микро- и наноэлектронике. Часть 1.Реактивное ионное травление [Текст] / Орликовский А.А. // Микроэлектроника. - 1999. - Т.2. - 5.-С.344-362.-Библиогр.:14 назв.
Кл.слова (ненормированные): Кремниевая технология(развитие) -- Интегральные схемы ультрабольшие(тенденции развития технологии) -- Микроэлектроника субмикронная(применение плазмы в новых технологиях) -- Травление реактивное(мониторинг) -- Эффект апертурный -- Травление в плазме(обзор дефектов) |