Главная Упрощенный режим Описание
Авторизация
Фамилия
Пароль
 

Базы данных


Статьи- результаты поиска

Вид поиска

Область поиска
 Найдено в других БД:Книги (2)
Формат представления найденных документов:
полныйинформационныйкраткий
Отсортировать найденные документы по:
авторузаглавиюгоду изданиятипу документа
Поисковый запрос: (<.>K=гетероструктуры<.>)
Общее количество найденных документов : 8
Показаны документы с 1 по 8
1.
62
Н 34


    Лебедев, А. В.
    Светодиоды на основе гетероструктур из нитрида галлия (GaN) и его твердых раствором (InGaN, AiGaN) [Текст] / А. В. Лебедев ; науч. рук. И. Ю. Сергеева // Научному прогрессу - творчество молодых : сб. материалов Междунар. науч. студен. конф. по естественно- науч. и техн. дисциплинам, 18-19 апр. 2008 г. : в 3 ч. / М-во образования и науки РФ, Федер. агентство по образованию, Гос. ком. Респ. Марий Эл по проф. образованию, МарГТУ ; [редкол.: Иванов В. А. и др.]. - Йошкар-Ола : МарГТУ, 2008. - Ч. 2. - С. 195-196. - (Энергообеспечение предприятий) . - 645899 кнхр
УДК

Кл.слова (ненормированные):
Труды МарГТУ -- светодиоды -- гетероструктуры -- полупроводниковые источники света -- физика
Доп.точки доступа:
Сергеева, И. Ю. (старший преподаватель) \науч. рук.\


Найти похожие

2.
Ч21
Н 34


    Вашурин, Н. С.
    Влияние релаксационных процессов трионов на свойства фемтосекундного фотонного эха [Текст] / Н. С. Вашурин, И. И. Попов, А. У. Бахадуров // Наука и инновации-2015 ISS "SI-2015" : 10-я международная научная школа : инновационный форум "Прорывные инновации и промышленный прогресс", 10-я Международная Научная Школа-семинар "Фундаментальные исследования и инновации 2015", Всероссийский студенческий проект "Инженерные кадры - будущее инновационной экономики России", Молодежная летняя научная школа-семинар "Наука и инновации - 2015" / [редкол.: И. И. Попов (пред.), В. А. Козлов, В. В. Самарцев] ; Федер. агентство по делам молодежи "Росмолодежь" [и др.]. - Йошкар-Ола : ПГТУ, 2015. - С. 55-57. - (Физика резонансных явлений и ее инновационная значимость). - Библиогр.: с. 57 (5 назв.) . - 670837 кнхр
УДК

Кл.слова (ненормированные):
ТРУДЫ ПГТУ -- гетероструктуры -- трионы -- полупроводники -- фемтосекундное фотонное эхо -- релаксационные процессы -- экситоны -- время распада -- электроны -- запрещенное состояние трионов
Аннотация: В данной работе экспериментально показано увеличение времени распада методом фемтосекундного фотонного эха трионных комплексов в гетероструктуре по сравнению экситонами, возбуждаемыми в одинаковых условиях. В свойствах трионов играет большую роль спиновые состояния составляющих его электронов. Противоположно направленные спины электронов создают оптически запрещенное состояние триона, характеризующееся большим временем распада.
Доп.точки доступа:
Попов, И. И.
Бахадуров, А. У.


Найти похожие

3.


    Гудков, А. Г.
    Оптимальное проектирование гетероструктуры для смесителей радиосигналов на основе резонансно-туннельных диодов [Текст] / А. Г. Гудков, С. В. Агасиева, С. А. Мешков // Биомедицинская радиоэлектроника. - 2010. - N 10. - С. 61-67
УДК

Кл.слова (ненормированные):
МИКРОЭЛЕКТРОНИКА -- РЕЗОНАНСНО-ТУННЕЛЬНЫЕ ДИОДЫ -- НАНОТЕХНОЛОГИИ ПОЛУЧЕНИЯ КОНСТРУКЦИОННЫХ МАТЕРИАЛОВ
Аннотация: Представлены результаты теоретических и экспериментальных исследований смесителей радиосигналов на основе РТД.
Доп.точки доступа:
Агасиева, С. В.
Мешков, С. А.


Найти похожие

4.


   
    Быстродействующие детекторы ультрафиолетового излучения[Текст] [Текст] // Радиотехника и электроника. - 2005. - Т.5. - 3.-С.394-398. - (Новые радиоэлектронные системы и элементы)
УДК

Кл.слова (ненормированные):
Детекторы ультрафиолетового излучения -- Фотодетектор(приемник излучения) -- Гетероструктуры(изготовление)
Аннотация: МОСVD- технология для фотодетекторов ультрафиолетового излучения.Диапазон 250-290 нм.

Найти похожие

5.


    Елинсон, В. М.
    Искусственный потенциальный рельеф и гетероструктуры на основе пленок углерода [Текст] / Елинсон В.М. // Микроэлектроника. - 2001. - Т.3. - 4.-С.279-285.-Библиогр.:13 назв.
УДК

Кл.слова (ненормированные):
Квантоворазмерные структуры(формирование) -- Искусственный потенциальный рельеф(создание) -- Гетероструктуры(на основе пленок углерода)

Найти похожие

6.


   
    Гетероструктуры с квантовыми точками в системе JnAs/Si [Текст] / В.Н.Петров,Г.Э.Цирлин,А.О.Голубок и др. // Микроэлектроника. - 2001. - Т.3. - 2.-С.119-126.-Библиогр.:17 назв.
УДК

Кл.слова (ненормированные):
Гетероструктуры с квантовыми точками(для новых приборов) -- Технологии новые(опто-и микроэлектроники) -- Дифракции быстрых электронов на отражение метод -- Сканирующей электронной микроскопии метод -- Сканирующей туннельной микроскопии метод -- Трансмиссионной электронной микроскопии метод -- Фотолюминесценции метод -- Система JnAs/Si -- Кремниевые технологии
Доп.точки доступа:
Петров, В.Н.
Цырлин, Г.Э.
Голубок, А.О.
Комяк, Н.И.
Устинов, В.М.
Леденцов, Н.Н.
Алферов, Ж.И.
Бимберг, Д.


Найти похожие

7.


    Алтухов, А. А.
    Перспективные структуры "кремний - на - диэлектрике" КМОПИС на основе эпитаксиальных слоев Si/CaF2/Si [Текст] / Алтухов А.А., Митягин А.Ю. // Микроэлектроника. - 2001. - Т.3. - 2.-С.113-118.-Библиогр.:14 назв.
УДК

Кл.слова (ненормированные):
Технология"кремний-на-диэлектрике"(КМОПИС) -- Молекулярно-лучевой эпитаксии метод -- Гетероструктуры Si-CaF2-Si(использование) -- Тестовые структуры МДП-"кремний-на-диэлектрике"-транзистора
Доп.точки доступа:
Митягин, А.Ю.


Найти похожие

8.


   
    Высокоскоростной метод осаждения аморфного кремния [Текст] / Б.Г.Будагян,А.А.Шершенков,А.Е.Бердников,В.Д.Черномордик В.Д. // Микроэлектроника. - 2000. - Т.2. - 6.-С.442-448.-Библиогр.:11 назв.
УДК

Кл.слова (ненормированные):
Аморфный кремний(осаждение) -- Пленки аморфного кремния(свойства) -- Гетероструктуры(изготовление) -- Высокоскоростного осаждения a-Si метод
Доп.точки доступа:
Будагян, Б.Г.
Шерченков, А.А.
Бердников, А.Е.
Черномордик, В.Д.


Найти похожие

 
Статистика
за 27.06.2024
Число запросов 15925
Число посетителей 699
Число заказов 0
© 2006-2022 Поволжский государственный технологический университет, ФГБОУ ВО «ПГТУ».