Главная Упрощенный режим Описание
Авторизация
Фамилия
Пароль
 

Базы данных


Статьи- результаты поиска

Вид поиска

Область поиска
Формат представления найденных документов:
полныйинформационныйкраткий
Отсортировать найденные документы по:
авторузаглавиюгоду изданиятипу документа
Поисковый запрос: (<.>A=Мокосеев, Н. С.$<.>)
Общее количество найденных документов : 4
Показаны документы с 1 по 4
1.
62
М 26


    Мокосеев, Н. С.
    Разработка технологии получения пьезоэлектрических пленок AIN методом несбалансированного магнетронного распыления [Текст] / Н. С. Мокосеев, Н. И. Сушенцов // Сборник тезисов докладов студентов, аспирантов, докторантов по итогам научно-технической конференции МарГТУ в 2004 г. / Мар. гос. техн. ун-т ; [редкол.: В. А. Иванов, Я. А. Фурман, Е. М. Романов и др.]. - Йошкар-Ола : МарГТУ, 2004. - С. 97-98. - (Секция 3. Радиофизика, техника, локация и связь) . - 609307 кнхр
УДК

Кл.слова (ненормированные):
Магнетронное распыление УВН-71П3 -- Пленки AIN -- Получение тонких пленок -- Микроэлектроника (тонкие пленки) -- Высокотемпературные сверхпроводящие пленки -- ТРуды МарГТУ -- Технология выращивания пленок AIN
Доп.точки доступа:
Сушенцов, Н.И.


Найти похожие

2.
62
М 26


    Мокосеев, Н. С.
    Разработка метода и технологии легирования пленок ALN в процессе выращивания [Текст] / Н. С. Мокосеев, А. В. Ермолаев // Сборник статей студентов, аспирантов и докторантов по итогам научно-технических конференций МарГТУ в 2003 г. / Мар. гос. техн. ун-т ; [редкол.: В. А. Иванов и др.]. - Йошкар-Ола : МарГТУ, 2004. - С. 176-179. - (3. Радиофизика, техника, локация, связь) . - 7 абнл, 609315 кнхр
УДК

Кл.слова (ненормированные):
Легированные пленки(AIN) -- Пленки AIN -- Оптоэлектроника -- Нитрид алюминия -- Магнетрон(легирование пленок) -- Метод ВЧ-магнетронного распыления -- Вакуумная установка -- Труды МарГТУ
Доп.точки доступа:
Ермолаев, А.В.


Найти похожие

3.
62
Н 25


   
    Перспективы использования 3D слоистых структур на основе материалов с запрещенной фотонной зоной в качестве активных элементов фотодиодов [Текст] / А. Ф. Белянин и [др.] // Нанотехнологии и фотонные кристаллы: материалы I Международного семинара. - Йошкар-Ола : МарГТУ, 2003. - С. 72-77. - (Наноструктурированные материалы на основе углерода и кремния) . - 639657 кнхр
УДК

Кл.слова (ненормированные):
3D слоистые структуры -- Фотовольтамические структуры -- Диэлектрики -- Слоистые структуры(формирование)
Доп.точки доступа:
Белянин, А.Ф.
Петухов, К.Ю.
Самойлович, М.И.
Житковский, В.Д.
Гурьянов, А.В.
Сушенцов, Н.И.
Мокосеев, Н.С.


Найти похожие

4.
62
Н 25


    Сушенцов, Н. И.
    Исследование температурной зависимости проводимости легированных пленок AIN [Текст] / Н. И. Сушенцов, Н. С. Мокосеев, А.В Ермолаев // Нанотехнологии и фотонные кристаллы: материалы I Международного семинара. - Йошкар-Ола : МарГТУ, 2003. - С. 54-60. - (Наноструктурированные материалы на основе углерода и кремния) . - Шифр 62 / Н 25 639657 кнхр
УДК

Кл.слова (ненормированные):
Пленки AIN легированные(проводимость) -- Легирование пленок
Доп.точки доступа:
Мокосеев, Н.С.
Ермолаев, А.В


Найти похожие

 
Статистика
за 05.07.2024
Число запросов 61491
Число посетителей 755
Число заказов 0
© 2006-2022 Поволжский государственный технологический университет, ФГБОУ ВО «ПГТУ».