Информационно-библиотечный центр Поволжского государственного технологического университета

Главная

Упрощенный режим

Описание

Базы данных

Статьи- результаты поиска

Вид поиска

Книги

Статьи

Полные тексты изданий ПГТУ

Периодика

Авторефераты и диссертации

Область поиска

Формат представления найденных документов:
полный	информационный	краткий

Отсортировать найденные документы по:
автору	заглавию	году издания	типу документа

Поисковый запрос: (<.>A=Васильев, В. Ю.$<.>)

Общее количество найденных документов : 4
Показаны документы с 1 по 4

Васильев, В. Ю.
Значение мониторинга параметров гемодинамики при проведении интенсивной инфузионной терапии [Текст] / В. Ю. Васильев // Медицинская техника. - 2005. - N 4. - 54-56.-Библиогр.: 3назв.

УДК

615.471.03:615.381

Кл.слова (ненормированные):
Медико-биологические исследования(аппаратура) -- Биомедицинская информация(система сбора,обработки)
Аннотация: Инфузионная терапия, анестезиология.

Найти похожие

Васильев, В. Ю.
Тонкие слои борофосфоросиликаного стекла в технологии кремниевой микроэлектроники.[Текст] [Текст] : ч.1.осаждение из газовой фазы и свойства слоев стекла / В.Ю.Васильев // Микроэлектроника. - 2004. - Т.3. - №5.-С.334-351.-Библиогр.: с.349-351. - (Технология СБИС)

УДК

541.124

Кл.слова (ненормированные):
Материалы тонкопленочные(с магнитосопротивлением) -- История радиотехники -- Микроэлектроника(история) -- Тонкопленочная технология(контроль процесса травления)

Найти похожие

Васильев, В. Ю.
Тенденции развития технологии и аппаратуры химического осаждения тонких диэлектрических слоев на основе диоксида кремния в микроэлектронике. Часть II.Заполнение узких зазоров осажденным материалом [Текст] / Васильев В.Ю. // Микроэлектроника. - 1999. - Т.2. - 3.-С.183-192.-Библиогр.:22 назв.

УДК

621.38

Кл.слова (ненормированные):
Микроэлектроника полупроводниковая(технология) -- Осаждение тонких диэлектрических слоев(заполнение зазоров)

Найти похожие

Васильев, В. Ю.
Тенденции развития технологии и аппаратуры химического осаждения тонких диэлектрических слоев на основе диоксида кремния в микроэлектронике. Часть I. Материалы, методы осаждения, аппаратура [Текст] / Васильев В.Ю. // Микроэлектроника. - 1999. - Т.2. - 3.-С.175-182.-Библиогр.:21 назв.

УДК

621.38

Кл.слова (ненормированные):
Микроэлектроника полупроводниковая(технологии) -- Осаждение тонких диэлектрических слоев(аппаратура) -- Осаждение тонких диэлектрических слоев(методы)

Найти похожие

Тематический навигатор

Статистика за 02.06.2024
Число запросов	20937
Число посетителей	958
Число заказов	0