Поисковый запрос: (<.>K=диэлектрик<.>) |
Общее количество найденных документов : 12
Показаны документы с 1 по 12 |
1. 
| 62
Н 34
Грачева, Е. Ю.
Диэлектрические исследования древесной целлюлозы [Текст] / Е. Ю. Грачева, А. Н. Попова, О. П. Тимченко ; науч. рук. С. В. Красильникова // Научному прогрессу - творчество молодых : международная молодежная научная конференция по естественнонаучным и техническим дисциплинам (Йошкар-Ола, 20-21 апреля 2012 года) : [материалы и доклады] : в 3 ч. / [редкол.: В. А. Иванов и др.] ; М-во образования и науки РФ, Фонд содействия развитию малых форм предприятий в научно-техн. сфере, ФГБОУ ВПО "Поволж. гос. технол. ун-т", Центр фундам. образования. - Йошкар-Ола : ПГТУ, 2012. - Ч. 1. - С. 43-44 : 2 рис. - (Теоретическая и экспериментальная физика)
. - 659041 кнхр
Кл.слова (ненормированные):
труды ПГТУ -- диэлектрические исследования -- древесная целлюлоза -- исследования целлюлозы -- электрические воздействия -- вибрация -- ионная поляризация -- диэлектрик
Доп.точки доступа:
Попова, А.Н.
Тимченко, О.П.
Красильникова, С.В. (кандидат химических наук; доцент ) \науч. рук.\
Найти похожие
|
2.
|
Прилуцкий, А. А.
Взаимодействие СВЧ-излучения с многослойными металл-диэлектрик-полупроводник(МДП) структурами [Текст] / А. А. Прилуцкий // Успехи современной радиоэлектроники. - 2009. - №9. - С. 74-80. - Библиогр.: с. 80 (14 назв.)
Кл.слова (ненормированные):
ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ МАТЕРИАЛЫ -- СВЧ-ИЗЛУЧЕНИЕ (ВЛИЯНИЕ НА ХАРАКТЕРИСТИКИ ТРАНЗИСТОРОВ) -- МДП-СТРУКТУРЫ (ИССЛЕДОВАНИЕ ЗАРЯДОВОЙ ДЕГРАДАЦИИ)
Найти похожие
|
3.
|
Симовский, К. Р.
Аналитическое и численное исследование свойств поверхности с высоким импедансом [Текст] / К.Р.Симовский,А.А.Сочава,И.В.Мельчакова // Радиотехника. - 2007. - N12. - .50-55.-Библиогр.:15 назв.
Кл.слова (ненормированные):
Поверхностные состояния(в структурах металл-диэлектрик-прово -- Импеданс поверхностный(резонатора) -- Магнитомягкие материалы новые
Найти похожие
|
4.
|
Мордвинцев, В. М.
Исследование проводимости и электроформовки открытых "Сэндвич"-структур Si-SiO-W [Текст] / В.М.Мордвинцев,С.Е.Кудрявцев // Микроэлектроника. - 2007. - Т.3. - 6.-С.423-436.-Библиогр.:15 назв.
Кл.слова (ненормированные):
Сэндвич-структуры -- Металл-изолятор-металл -- Структура металл-диэлектрик-проводник -- Структуры трехбарьерные(использование) -- Микроэлектроника(новые технологии)
Найти похожие
|
5.
|
Расширение информативности равновесной вольт-емкостной спектроскопии локализованных электронных состояний у гетерограниц полупроводник/диэлектрик[Текст] [Текст] // Микроэлектроника. - 2004. - Т.3. - 4.-С.277-289.-Библиогр.: с.288-289. - (Получение и свойства микроэлектронных структур)
Кл.слова (ненормированные):
Спектральные диагностические методы(в микроэлектронике) -- Спектральные свойства(исследования)
Найти похожие
|
6.
|
Касимов, Э. Р.
Безотражательное поглощение электромагнитного излучения в слоистом диэлектрике [Текст] / Э.Р.Касимов // Радиотехника и электроника. - 2003. - Т.4. - 11.-С.1322-1329. - (Радиофизические явления в твердом теле и плазме)
Кл.слова (ненормированные):
Диэлектрик(формирование скрытых слоев) -- Радиоволны(рассеяние)
Найти похожие
|
7.
|
Некоторые применения микроволнового источника плотной плазмы в субмикронной технологии кремниевых интегральных схем [Текст] / С. Н. Аверкин и [др.] // Микроэлектроника. - 2001. - Т.3. - 3.-С.183-188.-Библиогр.:14 назв.
Кл.слова (ненормированные):
Субмикронная технология кремниевых интегральных схем -- Интегральные схемы кремниевые(субмикронная технология) -- Микроволновой источник плотной плазмы(применение) -- Охлаждение тонких слоев SiO2 -- Заполнение субмикронных канавок -- Субмикронные канавки(заполнение) -- Тонкие слои SiO2(охлаждение) -- Локальная планаризация поверхности ИС -- Травление глубоких"тренчей"в диэлектрике -- Диэлектрик(травление"тренчей")
Доп.точки доступа:
Аверкин, С.Н.
Валиев, К.А.
Наумов, В.А.
Калинин, А.В.
Кривоспицкий, А.Д.
Орликовский, А.А.
Рылов, А.А.
Найти похожие
|
8.
|
Рудаков, В. И.
Низкотемпературный отжиг SIMOX-структур в неоднородном температурном поле [Текст] / В.И.Рудаков,Ю.И.Денисенко,Б.В.Мочалов // Микроэлектроника. - 2000. - Т.2. - 5.-С.367-373.-Библиогр.:13 назв.
Кл.слова (ненормированные):
SIMOX-структуры(низкотемпературный отжиг) -- Диэлектрик(формирование скрытых слоев) -- КНИ-технология
Доп.точки доступа:
Денисенко, Ю.И.
Мочалов, Б.В.
Найти похожие
|
9.
|
Гергель, В. А.
Мелкие поверхностные состояния - причина понижения поверхностной подвижности в структурах металл-диэлектрик-полупроводник и гетеротранзисторах [Текст] / В.А.Гергель,М.В.Тимофеев,А.П.Зеленый // Радиотехника и электроника. - 1999. - Т.4. - 11.-С.1355-1359.-Библиогр.:7 назв. - (Наноэлектроника)
Кл.слова (ненормированные):
Поверхностные состояния(в структурах металл-диэлектрик-проводник) -- Поверхностные состояния(в гетеротранзисторах) -- Электроны(причины понижения подвижности)
Доп.точки доступа:
Тимофеев, М.В.
Зеленый, А.П.
Найти похожие
|
10.
|
Жигальский, Г. П.
Избыточные шумы в структурах металл-диэлектрик-проводник [Текст] / Жигальский Г.П. // Радиотехника и электроника. - 1999. - Т.4. - 12.-С.1413-1430.-Библиогр.:52 назв. - (Обзор)
Кл.слова (ненормированные):
Структуры металл-диэлектрик-проводник -- Шумы избыточные(в структурах) -- Микросхемы интегральные(изоляция элементов)
Найти похожие
|
11.
|
Мухуров, Н. И.
Особенности анодного оксида алюминия как диэлектрика для различных приборов микроэлектроники [Текст] / Мухуров Н.И. // Микроэлектроника. - 1999. - Т.2. - 4.-С.313-318.-Библиогр.:10 назв.
Кл.слова (ненормированные):
Алюминия анодный оксид(особенности) -- Алюминия анодный оксид(диэлектрик) -- Микроэлектронные приборы(применение анодного оксида алюминия)
Найти похожие
|
12.
|
Андреев, А. М.
Электрическая прочность пропитанного металлизированного пленочного диэлектрика [Текст] / А.М.Андреев, В.С.Хаецкий // Электротехника. - 2005. - N7. - 61-64.-Библиогр.:5 назв. - (Конденсаторостроение)
Кл.слова (ненормированные):
Диэлектрик(формирование скрытых слоев) -- Материалы пленочные(использование) -- Конденсаторы металлопленочные
Доп.точки доступа:
Хаецкий, В.С.
Найти похожие
|
|
|
Главная
Описание
Книги
Стандартный