Главная Упрощенный режим Описание
Авторизация
Фамилия
Пароль
 

Базы данных


Статьи- результаты поиска

Вид поиска

Область поиска
в найденном
 Найдено в других БД:Книги (142)Полные тексты изданий ПГТУ (4)
Формат представления найденных документов:
полныйинформационныйкраткий
Отсортировать найденные документы по:
авторузаглавиюгоду изданиятипу документа
Поисковый запрос: (<.>K=транзисторы<.>)
Общее количество найденных документов : 118
Показаны документы с 1 по 20
 1-20    21-40   41-60   61-80   81-100   101-118 
1.


    Масальский, Н. В. (кандидат физико-математических наук).
    Наноразмерные кремниевые полевые транзисторы для биосенсоров [Текст] / Н. В. Масальский // Биомедицинская радиоэлектроника. - 2020. - № 2. - С. 74-79 : 7 рис. - Библиогр.: с. 78 (12 назв.). - Реф. на англ. яз.

Рубрики: Здравоохранение. Медицинские науки

   Медицинская радиология и рентгенология


   Радиоэлектроника


   Радиоаппаратура


   
Кл.слова (ненормированные):
биосенсоры -- вольтамперные характеристики -- измерительные технологии -- моделирование -- наноразмерные кремниевые полевые транзисторы -- нанотранзисторы -- технологические процессы -- типологические нормы
Аннотация: Обоснована применимость кремниевых цилиндрических полевых нанотранзисторов с полностью охватывающим затвором, выполненных на основе современного технологического процесса с типологическими нормами для разработки компактных биосенсоров.

Найти похожие

2.
62
Н 34


    Соломин, А. Г.
    Графеновые наноструктуры [Текст] / А. Г. Соломин ; науч. рук. В. Л. Фоминых // Научному прогрессу - творчество молодых : международная молодежная научная конференция по естественнонаучным и техническим дисциплинам (Йошкар-Ола, 20-21 апреля 2012 года) : [материалы и доклады] : в 3 ч. / [редкол.: В. А. Иванов и др.] ; М-во образования и науки РФ, Фонд содействия развитию малых форм предприятий в научно-техн. сфере, ФГБОУ ВПО "Поволж. гос. технол. ун-т", Центр фундам. образования. - Йошкар-Ола : ПГТУ, 2012. - Ч. 1. - С. 186-187. - (Проблемы современного естествознания). - Библиогр.: с. 187 (1 назв.) . - 659041 кнхр
УДК

Кл.слова (ненормированные):
труды ПГТУ -- графеновые наноструктуры -- наноструктуры -- микроэлектроника -- транзисторы
Доп.точки доступа:
Фоминых, В. Л. (кандидат химических наук; доцент) \науч. рук.\


Найти похожие

3.
62
Н 34


    Клюжев, К. С.
    Новые материалы в полупроводниковой технике [Текст] / К. С. Клюжев ; науч. рук. Н. Г. Крашенинникова // Научному прогрессу - творчество молодых : сб. материалов Междунар. науч. студен. конф. по естественно- науч. и техн. дисциплинам, 18-19 апр. 2008 г. : в 3 ч. / М-во образования и науки РФ, Федер. агентство по образованию, Гос. ком. Респ. Марий Эл по проф. образованию, МарГТУ ; [редкол.: Иванов В. А. и др.]. - Йошкар-Ола : МарГТУ, 2008. - Ч. 1. - С. 143-144. - (Прикладная и экологическая химия) . - 645898 кнхр
УДК

Кл.слова (ненормированные):
Труды МарГТУ -- новые материалы -- полупроводниковая техника -- гетеротранзисторы -- системы спутниковой связи -- транзисторы -- германий -- кремний
Доп.точки доступа:
Крашенинникова, Н. Г. \науч. рук.\


Найти похожие

4.
621.382
П 85


    Пряников, В. С.
    Автоматизированная система отбраковки потенциально ненадежных транзисторов [Текст] / , 12 В. С. Пряников // Наукоемкие технологии. - Т. 18, № 8. - Библиогр.: 3 назв. . - ISSN 1999-8465
УДК
ББК 32.852

Рубрики: Радиоэлектроника

   Полупроводниковые приборы


Кл.слова (ненормированные):
низкочастотные шумы -- транзисторы -- входной контроль -- автоматизированные системы -- малошумящие усилители -- радиоэлектронные системы
Аннотация: Предложена автоматизированная система отбраковки потенциально ненадежных транзисторов по уровню низкочастотного шума. Показано, что реализация на входном контроле этой системы значительно повышает эксплуатационную надежность радиоэлектронных систем. Особое внимание уделено разработке избирательного малошумящего усилителя.Ensuring the reliability of radio electronic equipment, especially on-board information management systems is very important. Earlier, the relationship between low-frequency noise (flicker effect) and failure of semiconductor devices was established. The technique of the input control and rejection of potentially unreliable transistors was developed. In this technique, to determine the level of rejection, statistical processing of the internal noise level in manual was required, which takes a lot of time. In this paper, we consider an automated system for rejecting potentially unreliable transistors using modern highly sensitive equipment and computer equipment. Particular attention is paid to the development of a selective low-noise amplifier. Automated system of rejection of potentially unreliable transistors is recommended to be used at the input control in the production of especially important radio electronic equipment.
Доп.точки доступа:
Чувашский государственный университет (Чебоксары)


Найти похожие

5.
Ч2
В 12


    Павлов , Е. П.
    Выбор экспериментальных методов обработки точностных параметров больших гибридных интегральных микросхем. [Текст] / Е. П. Павлов , А. В. Черных , И. А. Кузнецова // Социальные, естественные и технические системы в современном мире: состояние, противоречия, развитие. Восемнадцатые Вавиловские чтения : материалы международной междисциплинарной научной конференции [Йошкар-Ола, 4-5 декабря 2014 г. : в 2 ч.] / [под общ. ред. В. П. Шалаева] ; М-во образования и науки РФ, Поволж. гос. технол. ун-т", Фак. социал. технологий ПГТУ, Науч.-культур. центр - Дом учёных г. Йошкар-Олы [и др.]. - Йошкар-Ола : ПГТУ, 2015. - Ч. 2. - С. 330-331. - (Радиотехника и связь). - Библиогр.: с. 331 (2 назв.) . - кнхр
ББК Ч2

Кл.слова (ненормированные):
ВАВИЛОВСКИЕ ЧТЕНИЯ (18-Е) -- труды пгту -- интегральные микросхемы -- статистическое планирование -- электрический режим -- моделирование -- проектирование -- транзисторы -- корреляиционный метод -- уравнения регрессии
Доп.точки доступа:
Черных , А.В.
Кузнецова, И.А.


Найти похожие

6.
Ч2
В 12


    Чубаркина, К. А.
    Транзистор из нанотрубки [Текст] / К. А. Чубаркина, Н. А. Забродина // Человек, общество, природа в эпоху глобальных трансформаций: безопасность и развитие. Семнадцатые Вавиловские чтения : материалы постоянно действующей международной междисциплинарной научной конференции : в 2 ч. / [редкол.: В. П. Шалаев и др.] ; М-во образования и науки РФ, Поволж. гос. технол. ун-т, Фак. соц. технологий ПГТУ. - Йошкар-Ола : ПГТУ, 2014. - Ч. 2. - С. 389. - (Радиотехника). - Библиогр.: с. 389 (1 назв.) . - 663989 кнхр
ББК Ч2

Кл.слова (ненормированные):
ТРУДЫ ПГТУ -- ВАВИЛОВСКИЕ ЧТЕНИЯ (17-Е) -- радиотехника -- ТРАНЗИСТОРЫ -- НАНОТРУБКИ
Доп.точки доступа:
Забродина, Н. А.


Найти похожие

7.
Ч2
В 12


    Смирнова, Е. С.
    Модели и проходные вольт-амперные характеристики транзисторов [Текст] / Е. С. Смирнова, А. Ю. Чернышев // Человек, общество, природа в эпоху глобальных трансформаций: безопасность и развитие. Семнадцатые Вавиловские чтения : материалы постоянно действующей международной междисциплинарной научной конференции : в 2 ч. / [редкол.: В. П. Шалаев и др.] ; М-во образования и науки РФ, Поволж. гос. технол. ун-т, Фак. соц. технологий ПГТУ. - Йошкар-Ола : ПГТУ, 2014. - Ч. 2. - С. 384-385. - (Радиотехника) . - 663989 кнхр
ББК Ч2

Кл.слова (ненормированные):
ТРУДЫ ПГТУ -- ВАВИЛОВСКИЕ ЧТЕНИЯ (17-Е) -- радиотехника -- транзисторы -- вольт-анперные характеристики
Доп.точки доступа:
Чернышев, А. Ю.


Найти похожие

8.


    Маркелов, Евгений.
    Преимущества биполярных транзисторов перед полевыми [Текст] / Евгений Маркелов // Электронные компоненты. - 2010. - N 11. - С. 74-75. - Библиогр.: с. 75(2 назв.)
УДК

Кл.слова (ненормированные):
БИПОЛЯРНЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ -- ПОЛЕВЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ
Аннотация: Биполярные транзисторы имеют неплохие характеристики и их рано списывать со счетов.

Найти похожие

9.


    Страйдорм, Джохан.
    Как максимально расширить диапазон рабочих параметров силовых GAN-транзисторов [Текст] / Джохан Страйдорм // Электронные компоненты. - 2010. - N 9. - С. 59-63. - Библиогр.: с. 63(3 назв.)
УДК

Кл.слова (ненормированные):
СИЛОВЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ -- ТРАНЗИСТОРЫ ЗАРУБЕЖНЫЕ(ОТЕЧЕСТВЕННЫЕ АНАЛОГИ)
Аннотация: В статье описывается новая и перспективная технология eGaN, обеспечивающая лучшие рабочие характеристики транзисторов.

Найти похожие

10.


    Денисенко, В. В.
    Перестройка параметров табличных моделей субмикронных МОП-транзисторов [Текст] / В. В. Денисенко // Микроэлектроника. - 2010. - N 5. - С. 378-191. - Библиогр.: с. 390-391 (19 назв.)
УДК

Кл.слова (ненормированные):
МОП-ТРАНЗИСТОРЫ КРЕМНИЕВЫЕ -- табличные модели -- компактные модели -- СБИС
Аннотация: Предлагается метод перестройки параметров табличных моделей субмикронных МОП-транзисторов, использующий результаты стандартного электронного тестирования, выполняемого при мониторинге техпроцесса производства СБИС.

Найти похожие

11.


    Пушкарский, С. В.
    Экспериментальные исследования воздействия радиации на ВАХ транзисторов МОП [Текст] / С. В. Пушкарский // Вестник Московского государственного университета леса - Лесной вестник. - 2009. - № 6. - С. 106-110
УДК

Кл.слова (ненормированные):
МОП-ПРИБОРЫ (ПРОЦЕССЫ ОКИСЛА ПРИ ОБЛУЧЕНИИ) -- ТРАНЗИСТОРЫ ПОЛЕВЫЕ (ВОЗДЕЙСТВИЕ ИЗЛУЧЕНИЙ)

Найти похожие

12.
62
Н 34


    Мертвищева, И. А.
    От первых резисторов - к гетероструктурам. Новые полупроводниковые материалы [Текст] / И. А. Мертвищева, К. И. Балашова ; науч. рук. Н. Г. Крашенинникова // Научному прогрессу - творчество молодых : сб. материалов междунар. науч. студ. конф. по естеств.- науч. и техн. дисциплинам. 17-18 апр. 2009 г.: в 3 ч. / М-во образования и науки РФ, Федер. агентство по образованию, Гос. ком. Респ. Марий Эл по проф. образованию, МарГТУ, Центр фундам. образования ; [редкол.: Иванов В. А. и др.]. - Йошкар-Ола : МарГТУ, 2009. - Ч. 1. - С. 182-183 . - 645895 кнхр
УДК

Кл.слова (ненормированные):
ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ТЕХНОЛОГИИ -- ТРАНЗИСТОРЫ -- МЕТОДЫ -- ТРУДЫ МАРГТУ -- ГЕТЕРОУСТРОЙСТВА -- ЭПИТАКСИЯ
Доп.точки доступа:
Балашова, К.И.
Крашенинникова, Н.Г. \науч. рук.\


Найти похожие

13.


    Алексеев, В.
    Применение токового зеркала на полевых транзисторах [Текст] / В. Алексеев // Радио. - 2009. - № 12. - С. 16-17
УДК

Кл.слова (ненормированные):
ПОЛЕВЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ -- ТОКОВЫЕ ЗЕРКАЛА
Аннотация: 8 схем

Найти похожие

14.


    Титов, А. А.
    Защита полосовых усилителей мощности от перегрузок и модуляция амплитуды мощных сигналов [Текст] / А. А. Титов // Известия вузов. Приборостроение. - 2009. - №9. - С. 58-62
УДК

Кл.слова (ненормированные):
ТРАНЗИСТОРЫ БИПОЛЯРНЫЕ -- МОДУЛЯТОРЫ -- ЗАЩИТА ОТ ЭЛЕКТРИЧЕСКОГО РАЗРЯДА (МИКРОСХЕМ)

Найти похожие

15.


   
    Методы защиты от эффекта Миллера при схемотехническом проектировании биполярных микросхем [Текст] // Электронные компоненты. - 2009. - №10. - С. 50-53
УДК

Кл.слова (ненормированные):
БИПОЛЯРНЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ -- СХЕМОТЕХНИЧЕСКОЕ ПРОЕКТИРОВАНИЕ -- ЭФФЕКТ Миллера -- ЗАЩИТА ОТ ЭЛЕКТРИЧЕСКОГО РАЗРЯДА (МИКРОСХЕМ)

Найти похожие

16.


    Юсупов, А. Р.
    Особенности свойств транзистора вертикального типа на основе несопряженного полимера [Текст] / А. Р. Юсупов, Р. М. Гадиев // Нанотехнологии : наука и производство. - 2009. - №3. - С. 71-75. - Библиогр.: с. 75 (12 назв.)
УДК

Кл.слова (ненормированные):
ТРАНЗИСТОРЫ ПОЛЕВЫЕ -- ТОНКОПЛЕНОЧНОЕ ПОКРЫТИЕ -- вертикальный тонкопленочный транзистор
Доп.точки доступа:
Гадиев, Р.М.


Найти похожие

17.


    Сампат Шекхават
    Специфика применения IGBT-транзисторов в различных приложениях [Текст] / Сампат Шекхават, Боб Броквэй // Электронные компоненты. - 2009. - №9. - С. 49-51
УДК

Кл.слова (ненормированные):
ТРАНЗИСТОРЫ ЗАРУБЕЖНЫЕ (ОТЕЧЕСТВЕННЫЕ АНАЛОГИ) -- СИЛОВАЯ ЭЛЕКТРОНИКА (КОМПОНЕНТЫ) -- ЭЛЕМЕНТНАЯ БАЗА ТРАНЗИСТОРНАЯ (РАЗРАБОТКА)
Доп.точки доступа:
Броквэй, Боб


Найти похожие

18.


    Дворников, Олег.
    Проектирование аналоговых микросхем на МОП-транзисторах [Текст] / Олег Дворников, Виталий Гришков, Тимофей Натаров // Электронные компоненты. - 2009. - №8. - С. 52-55 ; №9. - С. 53-56
УДК

Кл.слова (ненормированные):
СБИС -- ПРОЕКТИРОВАНИЕ СБИС -- СИСТЕМА НА КРИСТАЛЛЕ (ПРОЕКТИРОВАНИЕ И ИЗГОТОВЛЕНИЕ) -- МОП-транзисторы -- Аналоговые микросхемы (проектирование)
Аннотация: рекомендации по проектированию аналоговых компонентов СБИС
Доп.точки доступа:
Гришков, Виталий
Натаров, Тимофей


Найти похожие

19.


    Носов, Ю. Р.
    К 60-летию изобретения транзистора [Текст] / Ю.Р.Носов // Электросвязь. - 2008. - N9. - илож.С.30-31.
УДК

Кл.слова (ненормированные):
История радиотехники -- Транзисторы

Найти похожие

20.


    Горячев, В. А.
    Физические характеристики КНИ-транзисторов для наноэлектроники [Текст] / В.А.Горячев // Успехи современной радиоэлектроники. - 2008. - N7. - 54-72.-Библиогр.:84 назв.
УДК

Кл.слова (ненормированные):
Транзисторы -- Нанотранзисторы -- КНИ-технология

Найти похожие

 1-20    21-40   41-60   61-80   81-100   101-118 
 
Статистика
за 03.07.2024
Число запросов 139987
Число посетителей 1030
Число заказов 0
© 2006-2022 Поволжский государственный технологический университет, ФГБОУ ВО «ПГТУ».