Главная Упрощенный режим Описание
Авторизация
Фамилия
Пароль
 

Базы данных


Статьи- результаты поиска

Вид поиска

Область поиска
Формат представления найденных документов:
полныйинформационныйкраткий
Отсортировать найденные документы по:
авторузаглавиюгоду изданиятипу документа
Поисковый запрос: (<.>A=Мордвинцев, В. М.$<.>)
Общее количество найденных документов : 3
Показаны документы с 1 по 3
1.


    Мордвинцев, В. М.
    Исследование проводимости и электроформовки открытых "Сэндвич"-структур Si-SiO-W [Текст] / В.М.Мордвинцев,С.Е.Кудрявцев // Микроэлектроника. - 2007. - Т.3. - 6.-С.423-436.-Библиогр.:15 назв.
УДК

Кл.слова (ненормированные):
Сэндвич-структуры -- Металл-изолятор-металл -- Структура металл-диэлектрик-проводник -- Структуры трехбарьерные(использование) -- Микроэлектроника(новые технологии)

Найти похожие

2.


    Мордвинцев, В. М.
    Исследование процессов формирования пленок окисла нанометровой толщины электрохимическим анодированием кремния [Текст] / Мордвинцев В.М., Муравьева Н.Л. // Микроэлектроника. - 2000. - Т.2. - 3.-С.177-188.-Библиогр.:13 назв.
УДК

Кл.слова (ненормированные):
Электрохимического анодирования кремния процесс -- Пленки окисла нанометровой толщины(формирование)
Доп.точки доступа:
Муравьева, Н.Л.


Найти похожие

3.


    Мордвинцев, В. М.
    Методика контроля процесса травления нанометрового слоя диэлектрика in situ путем измерения адмитанса системы [Текст] / Мордвинцев В.М., Шумилова Т.К. // Микроэлектроника. - 1999. - Т.2. - 2.-С.136-147
УДК

Кл.слова (ненормированные):
Травление нанометрового слоя диэлектрика(контроль процесса) -- Измерение адмитанса системы(контроль процесса травления) -- Диэлектрики in situ(травление нанометрового слоя) -- Тонкопленочная технология(контроль процесса травления)
Доп.точки доступа:
Шумилова, Т.К.


Найти похожие

 
Статистика
за 29.06.2024
Число запросов 77274
Число посетителей 1023
Число заказов 0
© 2006-2022 Поволжский государственный технологический университет, ФГБОУ ВО «ПГТУ».