Главная Упрощенный режим Описание
Авторизация
Фамилия
Пароль
 

Базы данных


Статьи- результаты поиска

Вид поиска

Область поиска
Формат представления найденных документов:
полныйинформационныйкраткий
Отсортировать найденные документы по:
авторузаглавиюгоду изданиятипу документа
Поисковый запрос: (<.>A=Герасимов, А. Б.$<.>)
Общее количество найденных документов : 3
Показаны документы с 1 по 3
1.


    Герасимов, А. Б.
    Значимость изменений парциальных задержек и доплеровских участков земной поверхности при имитации сигнала вторичного излучения частот [Текст] / А. Б. Герасимов, С. Н. Жиганов // Радиотехника. - 2009. - № 11. - С. 115-120. - Библиогр.: с. 120 (7 назв.)
УДК

Кл.слова (ненормированные):
РЕЖИМ РЕАЛЬНОГО ВРЕМЕНИ -- ПОВЕРХНОСТЬ земная -- ИМИТАЦИОННОЕ МОДЕЛИРОВАНИЕ (МЕТОДЫ) -- МОНИТОРИНГ ЗЕМНОЙ ПОВЕРХНОСТИ
Доп.точки доступа:
Жиганов, С.Н.


Найти похожие

2.


    Бибилашвили, А. П.
    Влияние условий плазменного анодирования арсенида галлия на свойства их собственных оксидов [Текст] / А.П.Бибилашвили,М.Т.Вепхвадзе,А.Б.Герасимов // Микроэлектроника. - 2000. - Т.2. - 2.-С.127-135.-Библиогр.:14 назв.
УДК

Кл.слова (ненормированные):
Полупроводниковые приборы на GaAs(оптимизация технологических процессов) -- Арсенид галлия(использование при изготовлении ИМС) -- Арсенид галлия(анодирование плазменное)
Доп.точки доступа:
Вепхвадзе, М.Т.
Герасимов, А.Б.


Найти похожие

3.


   
    Исследование контакта барьера Шоттки-GaAs на основе сплавов Ti-Ge [Текст] / А. П. Бибилашвили и [др.] // Микроэлектроника. - 2000. - Т.2. - 2.-С.122-126.-Библиогр.:8 назв.
УДК

Кл.слова (ненормированные):
Приборы электронные(на основе барьера Шоттки) -- Шоттки барьер -- Производство ИС(на GaAs)
Доп.точки доступа:
Бибилашвили, А.П.
Герасимов, А.Б.
Самадашвили, З.Д.
Чопозов, Л.Г.


Найти похожие

 
Статистика
за 30.06.2024
Число запросов 38327
Число посетителей 517
Число заказов 0
© 2006-2022 Поволжский государственный технологический университет, ФГБОУ ВО «ПГТУ».