Информационно-библиотечный центр Поволжского государственного технологического университета

Главная

Упрощенный режим

Описание

Базы данных

Статьи- результаты поиска

Вид поиска

Книги

Статьи

Полные тексты изданий ПГТУ

Периодика

Авторефераты и диссертации

Область поиска

Формат представления найденных документов:
полный	информационный	краткий

Отсортировать найденные документы по:
автору	заглавию	году издания	типу документа

Поисковый запрос: (<.>A=Бибилашвили, А. П.$<.>)

Общее количество найденных документов : 2
Показаны документы с 1 по 2

Бибилашвили, А. П.
Влияние условий плазменного анодирования арсенида галлия на свойства их собственных оксидов [Текст] / А.П.Бибилашвили,М.Т.Вепхвадзе,А.Б.Герасимов // Микроэлектроника. - 2000. - Т.2. - 2.-С.127-135.-Библиогр.:14 назв.

УДК

621.03.049.77

Кл.слова (ненормированные):
Полупроводниковые приборы на GaAs(оптимизация технологических процессов) -- Арсенид галлия(использование при изготовлении ИМС) -- Арсенид галлия(анодирование плазменное)
Доп.точки доступа:
Вепхвадзе, М.Т.
Герасимов, А.Б.

Найти похожие

Исследование контакта барьера Шоттки-GaAs на основе сплавов Ti-Ge [Текст] / А. П. Бибилашвили и [др.] // Микроэлектроника. - 2000. - Т.2. - 2.-С.122-126.-Библиогр.:8 назв.

УДК

621.382.22.022

Кл.слова (ненормированные):
Приборы электронные(на основе барьера Шоттки) -- Шоттки барьер -- Производство ИС(на GaAs)
Доп.точки доступа:
Бибилашвили, А.П.
Герасимов, А.Б.
Самадашвили, З.Д.
Чопозов, Л.Г.

Найти похожие

Тематический навигатор

Статистика за 02.07.2024
Число запросов	64335
Число посетителей	568
Число заказов	0