Главная Упрощенный режим Описание
Авторизация
Фамилия
Пароль
 

Базы данных


Статьи- результаты поиска

Вид поиска

Область поиска
Формат представления найденных документов:
полныйинформационныйкраткий
Поисковый запрос: (<.>U=621.382.22.022<.>)
Общее количество найденных документов : 1
1.


   
    Исследование контакта барьера Шоттки-GaAs на основе сплавов Ti-Ge [Текст] / А. П. Бибилашвили и [др.] // Микроэлектроника. - 2000. - Т.2. - 2.-С.122-126.-Библиогр.:8 назв.
УДК

Кл.слова (ненормированные):
Приборы электронные(на основе барьера Шоттки) -- Шоттки барьер -- Производство ИС(на GaAs)
Доп.точки доступа:
Бибилашвили, А.П.
Герасимов, А.Б.
Самадашвили, З.Д.
Чопозов, Л.Г.


Найти похожие

 
Статистика
за 02.07.2024
Число запросов 58305
Число посетителей 568
Число заказов 0
© 2006-2022 Поволжский государственный технологический университет, ФГБОУ ВО «ПГТУ».