Главная Упрощенный режим Описание
Авторизация
Фамилия
Пароль
 

Базы данных


Статьи- результаты поиска

Вид поиска

Область поиска
Формат представления найденных документов:
полныйинформационныйкраткий
Поисковый запрос: (<.>K=Травление глубокихтренчейв диэлектрике<.>)
Общее количество найденных документов : 1
1.


   
    Некоторые применения микроволнового источника плотной плазмы в субмикронной технологии кремниевых интегральных схем [Текст] / С. Н. Аверкин и [др.] // Микроэлектроника. - 2001. - Т.3. - 3.-С.183-188.-Библиогр.:14 назв.
УДК

Кл.слова (ненормированные):
Субмикронная технология кремниевых интегральных схем -- Интегральные схемы кремниевые(субмикронная технология) -- Микроволновой источник плотной плазмы(применение) -- Охлаждение тонких слоев SiO2 -- Заполнение субмикронных канавок -- Субмикронные канавки(заполнение) -- Тонкие слои SiO2(охлаждение) -- Локальная планаризация поверхности ИС -- Травление глубоких"тренчей"в диэлектрике -- Диэлектрик(травление"тренчей")
Доп.точки доступа:
Аверкин, С.Н.
Валиев, К.А.
Наумов, В.А.
Калинин, А.В.
Кривоспицкий, А.Д.
Орликовский, А.А.
Рылов, А.А.


Найти похожие

 
Статистика
за 04.07.2024
Число запросов 103849
Число посетителей 874
Число заказов 0
© 2006-2022 Поволжский государственный технологический университет, ФГБОУ ВО «ПГТУ».