Главная Упрощенный режим Описание
Авторизация
Фамилия
Пароль
 

Базы данных


Статьи- результаты поиска

Вид поиска
Книги
Статьи
Полные тексты изданий ПГТУ
Периодика
Авторефераты и диссертации
Область поиска
Формат представления найденных документов:
полныйинформационныйкраткий
Поисковый запрос: (<.>K=Модификация слоя затворного диэлектрика<.>)
Общее количество найденных документов : 1
1.


    Урицкий, В. Я.
    Фундаментальная модификация слоя затворного диоксида кремния, вызванная материальным геттерированием электрически активных центров [Текст] / В.Я.Урицкий,А.П.Крылов,С.Е.Борисов // Микроэлектроника. - 2000. - Т.2. - 6.-С.466-470.-Библиогр.:12 назв.
УДК
621.382

Кл.слова (ненормированные):
МОП-транзисторы кремниевые -- Модификация слоя затворного диэлектрика -- Латерального геттерирования ионизированных донорных центров метод
Доп.точки доступа:
Крылов, А.П.
Борисов, С.Е.


Найти похожие
 
Стандартный
Расширенный
Профессиональный
По словарю
ГРНТИ-навигатор
УДК-навигатор
ББК-навигатор
Тематический навигатор
Статистика
за 04.07.2024
Число запросов 45437
Число посетителей 499
Число заказов 0
© 2006-2022 Поволжский государственный технологический университет, ФГБОУ ВО «ПГТУ».