Главная Упрощенный режим Описание
Авторизация
Фамилия
Пароль
 

Базы данных


Статьи- результаты поиска

Вид поиска

Область поиска
Формат представления найденных документов:
полныйинформационныйкраткий
Отсортировать найденные документы по:
авторузаглавиюгоду изданиятипу документа
Поисковый запрос: (<.>K=МОП-ТРАНЗИСТОРЫ КРЕМНИЕВЫЕ<.>)
Общее количество найденных документов : 2
Показаны документы с 1 по 2
1.


    Денисенко, В. В.
    Перестройка параметров табличных моделей субмикронных МОП-транзисторов [Текст] / В. В. Денисенко // Микроэлектроника. - 2010. - N 5. - С. 378-191. - Библиогр.: с. 390-391 (19 назв.)
УДК

Кл.слова (ненормированные):
МОП-ТРАНЗИСТОРЫ КРЕМНИЕВЫЕ -- табличные модели -- компактные модели -- СБИС
Аннотация: Предлагается метод перестройки параметров табличных моделей субмикронных МОП-транзисторов, использующий результаты стандартного электронного тестирования, выполняемого при мониторинге техпроцесса производства СБИС.

Найти похожие

2.


    Урицкий, В. Я.
    Фундаментальная модификация слоя затворного диоксида кремния, вызванная материальным геттерированием электрически активных центров [Текст] / В.Я.Урицкий,А.П.Крылов,С.Е.Борисов // Микроэлектроника. - 2000. - Т.2. - 6.-С.466-470.-Библиогр.:12 назв.
УДК

Кл.слова (ненормированные):
МОП-транзисторы кремниевые -- Модификация слоя затворного диэлектрика -- Латерального геттерирования ионизированных донорных центров метод
Доп.точки доступа:
Крылов, А.П.
Борисов, С.Е.


Найти похожие

 
Статистика
за 02.07.2024
Число запросов 24894
Число посетителей 459
Число заказов 0
© 2006-2022 Поволжский государственный технологический университет, ФГБОУ ВО «ПГТУ».