Информационно-библиотечный центр Поволжского государственного технологического университета

Главная

Упрощенный режим

Описание

Базы данных

Статьи- результаты поиска

Вид поиска

Книги

Статьи

Полные тексты изданий ПГТУ

Периодика

Авторефераты и диссертации

Область поиска

Найдено в других БД:

Книги (3)

Формат представления найденных документов:
полный	информационный	краткий

Отсортировать найденные документы по:
автору	заглавию	году издания	типу документа

Поисковый запрос: (<.>U=621.382.33<.>)

Общее количество найденных документов : 4
Показаны документы с 1 по 4

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания : 621.382.33
Автор(ы) : Бутов А.
Заглавие : Микромощный стабилитрон на КТ501
Место публикации : Радиомир. - 2003. - N6. - С. .16
УДК : 621.382.33
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): транзисторы (кт501м)--транзисторы биполярные--транзисторы биполярные среднечастотные р-п-р
Экземпляры :чзN2(1)
Свободны : чзN2(1)
Найти похожие

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания : 621.382.33
Автор(ы) : Марончук И.Е., Фролов А.Н., Шутов С.В.
Заглавие : Определение толщины базы дрейфового транзистора по напряжению "прокола" базы
Место публикации : Известия вузов. Приборостроение. - 2001. - Т.4. - С. 11.-С.66-70.-Библиогр.:5 назв.
УДК : 621.382.33
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): транзисторы дрейфовые(проектирование,определение толщины базы)
Экземпляры :НЧЗ(1)
Свободны : НЧЗ(1)
Найти похожие

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания : 621.382.33
Автор(ы) : Фролов А.Н., Шутов С.В., Шершень А.М.
Заглавие : Оценка толщины базы дрейфового n-p-n транзистора по коэффициенту усиления
Место публикации : Известия вузов. Радиоэлектроника. - 2001. - Т.4. - С. 12.-С.53-56.-Библиогр.:4 назв.
УДК : 621.382.33
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): транзисторы дрейфовые(проектирование,определение толщины базы)--толщина базы транзистора(определение по коэффициенту усиления)
Экземпляры :НЧЗ(1)
Свободны : НЧЗ(1)
Найти похожие

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания : 621.382.33
Автор(ы) : Сергеев В.А.
Заглавие : Эффект оттеснения эмиттерного тока при лавинном умножении в коллекторном p-n-переходе
Место публикации : Микроэлектроника. - 2001. - Т.3. - С. 4.-С.298-301.-Библиогр.:8 назв.
УДК : 621.382.33
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): оттеснение эмиттерного тока--эмиттер--лавинное умножение тока--p-n-переход(биполярного транзистора)--биполярные транзисторы
Аннотация: Проектирование, расчет параметров.
Экземпляры :чзN2(1)
Свободны : чзN2(1)
Найти похожие

Тематический навигатор

Статистика за 16.07.2024
Число запросов	145254
Число посетителей	829
Число заказов	0