Поисковый запрос: (<.>U=621.382<.>) |
Общее количество найденных документов : 239
Показаны документы с 1 по 10 |
|
>1. ![](/irbis64r_15/images/printer.jpg)
|
Вид документа : Статья из журнала Шифр издания : 621.382
Автор(ы) : Аверкин С.Н., Валиев К.А., Кошкин В.В., Орликовский А.А., Руденко К.В., Сусанов Я.Н.
Заглавие : Микроволновый широкоапертурный источник плотной плазмы
Место публикации : Микроэлектроника. - 1999. - Т.2. - С. 6.-С.427-433.-Библиогр.:6 назв.
УДК : 621.382 Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): источник плотной плазмы(микроволновый,конструкция)
Экземпляры :чзN2(1) Свободны : чзN2(1) Найти похожие
|
>2. ![](/irbis64r_15/images/printer.jpg)
|
Вид документа : Статья из журнала Шифр издания : 621.382
Автор(ы) : Кривелевич С.А., Маковийчук М.И., Паршин Е.О.
Заглавие : Ионный синтез структур кремний на изоляторе. Современное состояние, новые подходы и перспективы
Место публикации : Микроэлектроника. - 1999. - Т.2. - С. 5.-С.363-369.-Библиогр.:15 назв.
УДК : 621.382 Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): структуры кремний на изоляторе(ионный синтез)--структуры кни(кремний на изоляторе)--структуры кни(современное состояние технологии ионного синтеза)--структуры кни(улучшение качества)
Экземпляры :чзN2(1) Свободны : чзN2(1) Найти похожие
|
>3. ![](/irbis64r_15/images/printer.jpg)
|
Вид документа : Статья из журнала Шифр издания : 621.382
Автор(ы) : Орликовский А.А.
Заглавие : Плазменные процессы в микро- и наноэлектронике. Часть 1.Реактивное ионное травление
Место публикации : Микроэлектроника. - 1999. - Т.2. - С. 5.-С.344-362.-Библиогр.:14 назв.
УДК : 621.382 Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): кремниевая технология(развитие)--интегральные схемы ультрабольшие(тенденции развития технологии)--микроэлектроника субмикронная(применение плазмы в новых технологиях)--травление реактивное(мониторинг)--эффект апертурный--травление в плазме(обзор дефектов)
Экземпляры :чзN2(1) Свободны : чзN2(1) Найти похожие
|
>4. ![](/irbis64r_15/images/printer.jpg)
|
Вид документа : Статья из журнала Шифр издания : 621.382
Автор(ы) : Агаханян Т.М.
Заглавие : Импульсные усилители с токовым выходом на мощных аналоговых интегральных микросхемах
Место публикации : Микроэлектроника. - 1999. - Т.2. - С. 4.-С.244-258.-Библиогр.:7 назв.
УДК : 621.382 Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): импульсные усилители(с токовым выходом)--импульсные усилители(на аналоговых микросхемах)--импульсные усилители(схемы,проектирование)
Экземпляры :чзN2(1) Свободны : чзN2(1) Найти похожие
|
>5. ![](/irbis64r_15/images/printer.jpg)
|
Вид документа : Статья из журнала Шифр издания : 621.382
Автор(ы) : Баринов В.В., Бахмач О.Ф., Калинин А.В., Крупкина Т.Ю., Шелыхманов Д.Е.
Заглавие : Повышение технологичности СБИС на основе концепции виртуального производства
Место публикации : Микроэлектроника. - 1999. - Т.2. - С. 4.-С.283-292.-Библиогр.:14 назв.
УДК : 621.382 Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): сбис(новые технологии)--системы"виртуального производства"--сбис(повышение технологичности)
Экземпляры :чзN2(1) Свободны : чзN2(1) Найти похожие
|
>6. ![](/irbis64r_15/images/printer.jpg)
|
Вид документа : Статья из журнала Шифр издания : 621.382
Автор(ы) : Согоян А.В., Чумаков А.И., Никифоров А.Ю.
Заглавие : Подход к прогнозированию радиационной деградации параметров КМОП ИС с учетом сроков и условий эксплуатации
Место публикации : Микроэлектроника. - 1999. - Т.2. - С. 4.-С.263-275.-Библиогр.:15 назв.
УДК : 621.382 Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): кмоп ис(прогнозирование стойкости к излучению)--моп-приборы(процессы окисла при облучении)
Экземпляры :чзN2(1) Свободны : чзN2(1) Найти похожие
|
>7. ![](/irbis64r_15/images/printer.jpg)
|
Вид документа : Статья из журнала Шифр издания : 621.382
Автор(ы) : Прокопенко В.Г.
Заглавие : Интегральные усилители тока с повышенной однонаправленностью передачи сигнала
Место публикации : Микроэлектроника. - 1999. - Т.2. - С. 4.-С.259-262.-Библиогр.:5 назв.
УДК : 621.382 Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): усилители тока интегральные--однонаправленность передачи сигнала--усилители тока(новые схемы)
Экземпляры :чзN2(1) Свободны : чзN2(1) Найти похожие
|
>8. ![](/irbis64r_15/images/printer.jpg)
|
Вид документа : Статья из журнала Шифр издания : 621.382
Автор(ы) : Неизвестный И.Г., Соколова О.В., Шамирян Д.Г.
Заглавие : Одноэлектроника. Часть 1.
Место публикации : Микроэлектроника. - 1999. - Т.2. - С. 2.-С.83-107.-Библиогр.:71 назв.
УДК : 621.382 Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): одноэлектроника(развитие)--приборы одноэлектронные(классификация конструкций)--приборы одноэлектронные(применение в цифровой электронике)
Экземпляры :чзN2(1) Свободны : чзN2(1) Найти похожие
|
>9. ![](/irbis64r_15/images/printer.jpg)
|
Вид документа : Статья из журнала Шифр издания : 621.382
Автор(ы) : Адамов Ю.Ф., Мокеров В.Г., Щелева И.М.
Заглавие : Исследование нестабильности задержки сигнала в логических элементах микросхем
Место публикации : Радиотехника и электроника. - 1999. - Т.4. - С. 11.-С.1384-1387. - (Физические процессы в электронных приборах)
УДК : 621.382 Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): логические элементы микросхем(нестабильность задержки сигнала)--микросхемы интегральные(нестабильность задержки логических элементов)--нестабильность задержки сигнала(микросхем)
Экземпляры :чзN2(1) Свободны : чзN2(1) Найти похожие
|
>10. ![](/irbis64r_15/images/printer.jpg)
|
Вид документа : Статья из журнала Шифр издания : 621.382
Автор(ы) : Адамов Д.Ю., Адамов Ю.Ф., Мокеров В.Г., Щелева И.М.
Заглавие : Расчет элементов защиты от электростатического разряда для микросхем на арсениде галлия
Место публикации : Радиотехника и электроника. - 1999. - Т.4. - С. 11.-С.1376-1383.-Библиогр.:5 назв. - (Физические процессы в электронных приборах)
УДК : 621.382 Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): микросхемы сверхскоростные(защита от электростатического разряда)--микросхемы на арсениде галлия(защита)--защита от электрического разряда(микросхем)
Экземпляры :чзN2(1) Свободны : чзN2(1) Найти похожие
|
|
|