Поисковый запрос: (<.>U=621.315.592<.>) |
Общее количество найденных документов : 6
Показаны документы с 1 по 6 |
1. 
|
Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания : 621.315.592
Автор(ы) : Гридчин В.А.
Заглавие : Нелинейность прямоугольных диафрагм
Место публикации : Микроэлектроника. - 2003. - №7-. - С. -С.294-304
УДК : 621.315.592
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): полупроводники (прогибы)--полупроводниковая электроника
Экземпляры :чзN2(1)
Свободны : чзN2(1)
Найти похожие
|
2.
|
Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания : 621.315.592
Автор(ы) : Гридчин В.А.
Заглавие : Феноменологическое описание пьезорезистивного эффекта в пленках поликристалического кремния
Место публикации : Микроэлектроника. - 2003. - №7-. - С. -С.261-270 .-Библиогр.20назв.
УДК : 621.315.592
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): электроника теория--пьезосопротивления--электроника полупроводников--феноменологическое описание
Экземпляры :чзN2(1)
Свободны : чзN2(1)
Найти похожие
|
3.
|
Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания : 621.315.592
Автор(ы) : Петров В.Н., Цырлин Г.Э., Голубок А.О., Комяк Н.И., Устинов В.М., Леденцов Н.Н., Алферов Ж.И., Бимберг Д.
Заглавие : Гетероструктуры с квантовыми точками в системе JnAs/Si
Место публикации : Микроэлектроника. - 2001. - Т.3. - С. 2.-С.119-126.-Библиогр.:17 назв.
УДК : 621.315.592
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): гетероструктуры с квантовыми точками(для новых приборов)--технологии новые(опто-и микроэлектроники)--дифракции быстрых электронов на отражение метод--сканирующей электронной микроскопии метод--сканирующей туннельной микроскопии метод--трансмиссионной электронной микроскопии метод--фотолюминесценции метод--система jnas/si--кремниевые технологии
Экземпляры :чзN2(1)
Свободны : чзN2(1)
Найти похожие
|
4.
|
Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания : 621.315.592
Автор(ы) : Старков В.В., Старостина Е.А., Волков В.Г., Вяткин А.Ф.
Заглавие : Формирование локальных диэлектрических областей методом неоднородного химического травления через маску
Место публикации : Микроэлектроника. - 2001. - Т.3. - С. 2.-С.106-112.-Библиогр.:17 назв.
УДК : 621.315.592
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): локальные диэлектрические области кремния(формирование)--неоднородного химического травления метод(через маску)--микроэлектронные технологии
Экземпляры :чзN2(1)
Свободны : чзN2(1)
Найти похожие
|
5.
|
Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания : 621.315.592
Автор(ы) : Старков В.В., Старостина Е.А., Вяткин А.Ф., Горбатов Ю.Б.
Заглавие : Формирование локальных диэлектрических областей в Si-Si/Ge-структурах имплантацией и последующим неоднородным химическим травлением
Место публикации : Микроэлектроника. - 2000. - Т.2. - С. 5.-С.333-338.-Библиогр.:12 назв.
УДК : 621.315.592
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): интегральные микросхемы(изоляция элементов)--аморфные пористые пленки--неоднородное химическое травление--диэлектрические области локальные(формирование)
Экземпляры :чзN2(1)
Свободны : чзN2(1)
Найти похожие
|
6.
|
Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания : 621.315.592
Автор(ы) : Прокопьев Е.П., Тимошенков С.П.
Заглавие : К вопросу определения энергии связи прямого соединения пластин кремния методом генерации(вскрытия) трещины между поверхностями сращивания
Место публикации : Материаловедение. - 2000. - N8. - С. 25-28
УДК : 621.315.592
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): пластины кремния(соединение методом генерации)--генерация(сращивание трещины между поверхностями)
Экземпляры :НЧЗ(1)
Свободны : НЧЗ(1)
Найти похожие
|
|
|
Главная
Описание
Книги
Стандартный