Главная Упрощенный режим Описание
Авторизация
Фамилия
Пароль
 

Базы данных


Статьи- результаты поиска

Вид поиска
Книги
Статьи
Полные тексты изданий ПГТУ
Периодика
Авторефераты и диссертации
Область поиска
 Найдено в других БД:Книги (1)
Формат представления найденных документов:
полныйинформационныйкраткий
Отсортировать найденные документы по:
авторузаглавиюгоду изданиятипу документа
Поисковый запрос: (<.>U=621.315.592<.>)
Общее количество найденных документов : 6
Показаны документы с 1 по 6
1.


    Гридчин, В. А.
    Нелинейность прямоугольных диафрагм [Текст] / В.А.Гридчин,В.М.Любимский,А.В.Шапорин // Микроэлектроника. - 2003. - №7-. - -С.294-304
УДК
621.315.592

Кл.слова (ненормированные):
Полупроводники (прогибы) -- Полупроводниковая электроника

Найти похожие
2.


    Гридчин, В. А.
    Феноменологическое описание пьезорезистивного эффекта в пленках поликристалического кремния [Текст] / В.А.Гридчин,В.М.Любимский // Микроэлектроника. - 2003. - №7-. - -С.261-270 .-Библиогр.20назв.
УДК
621.315.592

Кл.слова (ненормированные):
Электроника теория -- Пьезосопротивления -- Электроника полупроводников -- Феноменологическое описание

Найти похожие
3.


   
    Гетероструктуры с квантовыми точками в системе JnAs/Si [Текст] / В.Н.Петров,Г.Э.Цирлин,А.О.Голубок и др. // Микроэлектроника. - 2001. - Т.3. - 2.-С.119-126.-Библиогр.:17 назв.
УДК
621.315.592

Кл.слова (ненормированные):
Гетероструктуры с квантовыми точками(для новых приборов) -- Технологии новые(опто-и микроэлектроники) -- Дифракции быстрых электронов на отражение метод -- Сканирующей электронной микроскопии метод -- Сканирующей туннельной микроскопии метод -- Трансмиссионной электронной микроскопии метод -- Фотолюминесценции метод -- Система JnAs/Si -- Кремниевые технологии
Доп.точки доступа:
Петров, В.Н.
Цырлин, Г.Э.
Голубок, А.О.
Комяк, Н.И.
Устинов, В.М.
Леденцов, Н.Н.
Алферов, Ж.И.
Бимберг, Д.


Найти похожие
4.


   
    Формирование локальных диэлектрических областей методом неоднородного химического травления через маску [Текст] / В. В. Старков и [др.] // Микроэлектроника. - 2001. - Т.3. - 2.-С.106-112.-Библиогр.:17 назв.
УДК
621.315.592

Кл.слова (ненормированные):
Локальные диэлектрические области кремния(формирование) -- Неоднородного химического травления метод(через маску) -- Микроэлектронные технологии
Доп.точки доступа:
Старков, В.В.
Старостина, Е.А.
Волков, В.Г.
Вяткин, А.Ф.


Найти похожие
5.


   
    Формирование локальных диэлектрических областей в Si-Si/Ge-структурах имплантацией и последующим неоднородным химическим травлением [Текст] / В. В. Старков и [др.] // Микроэлектроника. - 2000. - Т.2. - 5.-С.333-338.-Библиогр.:12 назв.
УДК
621.315.592

Кл.слова (ненормированные):
Интегральные микросхемы(изоляция элементов) -- Аморфные пористые пленки -- Неоднородное химическое травление -- Диэлектрические области локальные(формирование)
Доп.точки доступа:
Старков, В.В.
Старостина, Е.А.
Вяткин, А.Ф.
Горбатов, Ю.Б.


Найти похожие
6.


    Прокопьев, Е. П.
    К вопросу определения энергии связи прямого соединения пластин кремния методом генерации(вскрытия) трещины между поверхностями сращивания [Текст] / Прокопьев Е.П., Тимошенков С.П. // Материаловедение. - 2000. - N8. - С. 25-28
УДК
621.315.592

Кл.слова (ненормированные):
Пластины кремния(соединение методом генерации) -- Генерация(сращивание трещины между поверхностями)
Доп.точки доступа:
Тимошенков, С.П.


Найти похожие
 
Стандартный
Расширенный
Профессиональный
По словарю
ГРНТИ-навигатор
УДК-навигатор
ББК-навигатор
Тематический навигатор
Статистика
за 28.06.2024
Число запросов 7366
Число посетителей 376
Число заказов 0
© 2006-2022 Поволжский государственный технологический университет, ФГБОУ ВО «ПГТУ».