Поисковый запрос: (<.>K=транзисторы<.>) |
Общее количество найденных документов : 118
Показаны документы с 1 по 20 |
|
1. 
|
Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания :
Автор(ы) : Масальский Н. В. (кандидат физико-математических наук)
Заглавие : Наноразмерные кремниевые полевые транзисторы для биосенсоров
Разночтения заглавия :: Nanoscale silicon field effect transistors for biosensors
Место публикации : Биомедицинская радиоэлектроника. - 2020. - № 2. - С. 74-79: 7 рис.
Примечания : Библиогр.: с. 78 (12 назв.). - Реф. на англ. яз.
ISSN: 1560-4136
Предметные рубрики: Здравоохранение. Медицинские науки
Медицинская радиология и рентгенология
Радиоэлектроника
Радиоаппаратура
Географич. рубрики:
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): биосенсоры--вольтамперные характеристики--измерительные технологии--моделирование--наноразмерные кремниевые полевые транзисторы--нанотранзисторы--технологические процессы--типологические нормы
Аннотация: Обоснована применимость кремниевых цилиндрических полевых нанотранзисторов с полностью охватывающим затвором, выполненных на основе современного технологического процесса с типологическими нормами для разработки компактных биосенсоров.
Найти похожие
|
2.
|
Вид документа : Статья из сборника (том многотомника)
Шифр издания : 62/Н 34
Автор(ы) : Соломин А.Г.
Заглавие : Графеновые наноструктуры
Место публикации : Научному прогрессу - творчество молодых: международная молодежная научная конференция по естественнонаучным и техническим дисциплинам (Йошкар-Ола, 20-21 апреля 2012 года) : [материалы и доклады] : в 3 ч./ [редкол.: В. А. Иванов и др.] ; М-во образования и науки РФ, Фонд содействия развитию малых форм предприятий в научно-техн. сфере, ФГБОУ ВПО "Поволж. гос. технол. ун-т", Центр фундам. образования. - Йошкар-Ола: ПГТУ, 2012. - Ч. 1. - С. 186-187. - (Проблемы современного естествознания). - 659041 кнхр
Примечания : Библиогр.: с. 187 (1 назв.)
УДК : 62
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): труды пгту--графеновые наноструктуры--наноструктуры--микроэлектроника--транзисторы
Найти похожие
|
3.
|
Вид документа : Статья из сборника (том многотомника)
Шифр издания : 62/Н 34
Автор(ы) : Клюжев К.С.
Заглавие : Новые материалы в полупроводниковой технике
Место публикации : Научному прогрессу - творчество молодых: сб. материалов Междунар. науч. студен. конф. по естественно- науч. и техн. дисциплинам, 18-19 апр. 2008 г. : в 3 ч./ М-во образования и науки РФ, Федер. агентство по образованию, Гос. ком. Респ. Марий Эл по проф. образованию, МарГТУ ; [редкол.: Иванов В. А. и др.]. - Йошкар-Ола: МарГТУ, 2008. - Ч. 1. - С. 143-144. - (Прикладная и экологическая химия). - 645898 кнхр
УДК : 62
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): труды маргту--новые материалы--полупроводниковая техника--гетеротранзисторы--системы спутниковой связи--транзисторы--германий--кремний
Найти похожие
|
4.
|
Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания : 621.382/П 85
Автор(ы) : Пряников В. С.,
Заглавие : Автоматизированная система отбраковки потенциально ненадежных транзисторов
/ В. С. Пряников
Колич.характеристики :
Коллективы :
Чувашский государственный университет (Чебоксары)
Серия: Материалы и компоненты изделий электронной техники
Место публикации : Наукоемкие технологии. - Т. 18, № 8. - ISSN 1999-8465. - ISSN 1999-8465
Примечания : Библиогр.: 3 назв.
УДК : 621.382
ББК : 32.852
Предметные рубрики: Радиоэлектроника
Полупроводниковые приборы
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): низкочастотные шумы--транзисторы--входной контроль--автоматизированные системы--малошумящие усилители--радиоэлектронные системы
Аннотация: Предложена автоматизированная система отбраковки потенциально ненадежных транзисторов по уровню низкочастотного шума. Показано, что реализация на входном контроле этой системы значительно повышает эксплуатационную надежность радиоэлектронных систем. Особое внимание уделено разработке избирательного малошумящего усилителя.Ensuring the reliability of radio electronic equipment, especially on-board information management systems is very important. Earlier, the relationship between low-frequency noise (flicker effect) and failure of semiconductor devices was established. The technique of the input control and rejection of potentially unreliable transistors was developed. In this technique, to determine the level of rejection, statistical processing of the internal noise level in manual was required, which takes a lot of time. In this paper, we consider an automated system for rejecting potentially unreliable transistors using modern highly sensitive equipment and computer equipment. Particular attention is paid to the development of a selective low-noise amplifier. Automated system of rejection of potentially unreliable transistors is recommended to be used at the input control in the production of especially important radio electronic equipment.
Найти похожие
|
5.
|
Вид документа : Статья из сборника (том многотомника)
Шифр издания : Ч2/В 12
Автор(ы) : Павлов Е. П., Черных А.В., Кузнецова И.А.
Заглавие : Выбор экспериментальных методов обработки точностных параметров больших гибридных интегральных микросхем.
Место публикации : Социальные, естественные и технические системы в современном мире: состояние, противоречия, развитие. Восемнадцатые Вавиловские чтения : материалы международной междисциплинарной научной конференции [Йошкар-Ола, 4-5 декабря 2014 г. : в 2 ч.]/ [под общ. ред. В. П. Шалаева] ; М-во образования и науки РФ, Поволж. гос. технол. ун-т", Фак. социал. технологий ПГТУ, Науч.-культур. центр - Дом учёных г. Йошкар-Олы [и др.]. - Йошкар-Ола: ПГТУ, 2015. - Ч. 2. - С. 330-331. - (Радиотехника и связь). - кнхр
Примечания : Библиогр.: с. 331 (2 назв.)
ББК : Ч2
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): вавиловские чтения (18-е)--труды пгту--интегральные микросхемы--статистическое планирование--электрический режим--моделирование --проектирование--транзисторы--корреляиционный метод--уравнения регрессии
Найти похожие
|
6.
|
Вид документа : Статья из сборника (том многотомника)
Шифр издания : Ч2/В 12
Автор(ы) : Чубаркина К. А., Забродина Н. А.
Заглавие : Транзистор из нанотрубки
Место публикации : Человек, общество, природа в эпоху глобальных трансформаций: безопасность и развитие. Семнадцатые Вавиловские чтения: материалы постоянно действующей международной междисциплинарной научной конференции : в 2 ч./ [редкол.: В. П. Шалаев и др.] ; М-во образования и науки РФ, Поволж. гос. технол. ун-т, Фак. соц. технологий ПГТУ. - Йошкар-Ола: ПГТУ, 2014. - Ч. 2. - С. 389. - (Радиотехника). - 663989 кнхр
Примечания : Библиогр.: с. 389 (1 назв.)
ББК : Ч2
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): труды пгту--вавиловские чтения (17-е)--радиотехника--транзисторы--нанотрубки
Найти похожие
|
7.
|
Вид документа : Статья из сборника (том многотомника)
Шифр издания : Ч2/В 12
Автор(ы) : Смирнова Е. С., Чернышев А. Ю.
Заглавие : Модели и проходные вольт-амперные характеристики транзисторов
Место публикации : Человек, общество, природа в эпоху глобальных трансформаций: безопасность и развитие. Семнадцатые Вавиловские чтения: материалы постоянно действующей международной междисциплинарной научной конференции : в 2 ч./ [редкол.: В. П. Шалаев и др.] ; М-во образования и науки РФ, Поволж. гос. технол. ун-т, Фак. соц. технологий ПГТУ. - Йошкар-Ола: ПГТУ, 2014. - Ч. 2. - С. 384-385. - (Радиотехника). - 663989 кнхр
ББК : Ч2
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): труды пгту--вавиловские чтения (17-е)--радиотехника--транзисторы--вольт-анперные характеристики
Найти похожие
|
8.
|
Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания : 621.382
Автор(ы) : Маркелов, Евгений
Заглавие : Преимущества биполярных транзисторов перед полевыми
Серия: Дискретные силовые компоненты
Место публикации : Электронные компоненты. - 2010. - N 11. - С. 74-75
Примечания : Библиогр.: с. 75(2 назв.)
УДК : 621.382
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): биполярные транзисторы--полевые транзисторы
Аннотация: Биполярные транзисторы имеют неплохие характеристики и их рано списывать со счетов.
Найти похожие
|
9.
|
Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания : 621.3
Автор(ы) : Страйдорм, Джохан
Заглавие : Как максимально расширить диапазон рабочих параметров силовых GAN-транзисторов
Серия: Дискретные силовые компоненты
Место публикации : Электронные компоненты. - 2010. - N 9. - С. 59-63
Примечания : Библиогр.: с. 63(3 назв.)
УДК : 621.3
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): силовые транзисторы--транзисторы зарубежные(отечественные аналоги)
Аннотация: В статье описывается новая и перспективная технология eGaN, обеспечивающая лучшие рабочие характеристики транзисторов.
Найти похожие
|
10.
|
Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания : 621.3 049.75
Автор(ы) : Денисенко В. В.
Заглавие : Перестройка параметров табличных моделей субмикронных МОП-транзисторов
Серия: Приборы микро- и наноэлектроники
Место публикации : Микроэлектроника. - 2010. - N 5. - С. 378-191
Примечания : Библиогр.: с. 390-391 (19 назв.)
УДК : 621.3 049.75
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): моп-транзисторы кремниевые--табличные модели--компактные модели--сбис
Аннотация: Предлагается метод перестройки параметров табличных моделей субмикронных МОП-транзисторов, использующий результаты стандартного электронного тестирования, выполняемого при мониторинге техпроцесса производства СБИС.
Найти похожие
|
11.
|
Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания : 621.382.049.77
Автор(ы) : Пушкарский С. В.
Заглавие : Экспериментальные исследования воздействия радиации на ВАХ транзисторов МОП
Место публикации : Вестник Московского государственного университета леса - Лесной вестник. - 2009. - № 6. - С. 106-110
УДК : 621.382.049.77
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): моп-приборы (процессы окисла при облучении)--транзисторы полевые (воздействие излучений)
Найти похожие
|
12.
|
Вид документа : Статья из сборника (том многотомника)
Шифр издания : 62/Н 34
Автор(ы) : Мертвищева И.А., Балашова К.И.
Заглавие : От первых резисторов - к гетероструктурам. Новые полупроводниковые материалы
Место публикации : Научному прогрессу - творчество молодых: сб. материалов междунар. науч. студ. конф. по естеств.- науч. и техн. дисциплинам. 17-18 апр. 2009 г.: в 3 ч./ М-во образования и науки РФ, Федер. агентство по образованию, Гос. ком. Респ. Марий Эл по проф. образованию, МарГТУ, Центр фундам. образования ; [редкол.: Иванов В. А. и др.]. - Йошкар-Ола: МарГТУ, 2009. - Ч. 1. - С. 182-183. - 645895 кнхр
УДК : 62
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): полупроводниковые технологии--транзисторы--методы--труды маргту--гетероустройства--эпитаксия
Экземпляры :(1)
Свободны : (1)
Найти похожие
|
13.
|
Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания : 621.382
Автор(ы) : Алексеев В.
Заглавие : Применение токового зеркала на полевых транзисторах
Место публикации : Радио. - 2009. - № 12. - С. 16-17
УДК : 621.382
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): полевые транзисторы--токовые зеркала
Аннотация: 8 схем
Экземпляры :чз№2(1)
Свободны : чз№2(1)
Найти похожие
|
14.
|
Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания : 621.375.028
Автор(ы) : Титов А.А.
Заглавие : Защита полосовых усилителей мощности от перегрузок и модуляция амплитуды мощных сигналов
Место публикации : Известия вузов. Приборостроение. - 2009. - №9. - С. 58-62
УДК : 621.375.028
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): транзисторы биполярные--модуляторы--защита от электрического разряда (микросхем)
Экземпляры :НЧЗ(1)
Свободны : НЧЗ(1)
Найти похожие
|
15.
|
Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания : 621.382
Заглавие : Методы защиты от эффекта Миллера при схемотехническом проектировании биполярных микросхем
Место публикации : Электронные компоненты. - 2009. - №10. - С. 50-53
УДК : 621.382
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): биполярные транзисторы--схемотехническое проектирование--эффект миллера--защита от электрического разряда (микросхем)
Экземпляры :чз№2(1)
Свободны : чз№2(1)
Найти похожие
|
16.
|
Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания : 620.3
Автор(ы) : Юсупов А.Р., Гадиев Р.М.
Заглавие : Особенности свойств транзистора вертикального типа на основе несопряженного полимера
Место публикации : Нанотехнологии : наука и производство. - 2009. - №3. - С. 71-75
Примечания : Библиогр.: с. 75 (12 назв.)
УДК : 620.3
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): транзисторы полевые--тонкопленочное покрытие--вертикальный тонкопленочный транзистор
Экземпляры :НЧЗ(1)
Свободны : НЧЗ(1)
Найти похожие
|
17.
|
Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания : 621.382.049.77
Автор(ы) : Сампат Шекхават, Броквэй, Боб
Заглавие : Специфика применения IGBT-транзисторов в различных приложениях
Место публикации : Электронные компоненты. - 2009. - №9. - С. 49-51
УДК : 621.382.049.77
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): транзисторы зарубежные (отечественные аналоги)--силовая электроника (компоненты)--элементная база транзисторная (разработка)
Экземпляры :чз№2(1)
Свободны : чз№2(1)
Найти похожие
|
18.
|
Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания : 621.382
Автор(ы) : Дворников, Олег, Гришков, Виталий, Натаров, Тимофей
Заглавие : Проектирование аналоговых микросхем на МОП-транзисторах
Место публикации : Электронные компоненты. - 2009. - №8. - С. 52-55.; №9. - С. 53-56
УДК : 621.382
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): сбис--проектирование сбис--система на кристалле (проектирование и изготовление)--моп-транзисторы--аналоговые микросхемы (проектирование)
Аннотация: рекомендации по проектированию аналоговых компонентов СБИС
Экземпляры :чз№2(1)
Свободны : чз№2(1)
Найти похожие
|
19.
|
Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания : 621.382.049.77
Автор(ы) : Носов Ю.Р.
Заглавие : К 60-летию изобретения транзистора
Место публикации : Электросвязь. - 2008. - N9. - С. илож.С.30-31.
УДК : 621.382.049.77
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): история радиотехники--транзисторы
Экземпляры :нчз(1)
Свободны : нчз(1)
Найти похожие
|
20.
|
Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания : 621.382.323
Автор(ы) : Горячев В.А.
Заглавие : Физические характеристики КНИ-транзисторов для наноэлектроники
Место публикации : Успехи современной радиоэлектроники. - 2008. - N7. - С. 54-72.-Библиогр.:84 назв.
УДК : 621.382.323
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): транзисторы--нанотранзисторы--кни-технология
Экземпляры :чз N2(1)
Свободны : чз N2(1)
Найти похожие
|
|
|
|
Главная
Описание
Книги
Стандартный