Главная Упрощенный режим Описание
Авторизация
Фамилия
Пароль
 

Базы данных


Статьи- результаты поиска

Вид поиска

Область поиска
 Найдено в других БД:Книги (53)Полные тексты изданий ПГТУ (2)
Формат представления найденных документов:
полный информационныйкраткий
Отсортировать найденные документы по:
авторузаглавиюгоду изданиятипу документа
Поисковый запрос: (<.>K=полупроводники<.>)
Общее количество найденных документов : 19
Показаны документы с 1 по 19
1.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания : 621
Автор(ы) : Акимов Б.А., Рябова Л.И., Хохлов Д.Р.
Заглавие : Энергетические спектры и неравновесные состояния в твердых растворах на основе теллурида свинца
Место публикации : Вестник РФФИ. - 2002. - N4. - С. 14-48.-Библиография:133 назв.
УДК : 621
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): примеси в твердых растворах--узкощелевые полупроводники--теллурид свинца(твердые растворы)
Экземпляры :НЧЗ(1)
Свободны : НЧЗ(1)
Найти похожие

2.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания : 621.38
Заглавие : Базовые полупроводниковые материалы и фотоприемники современной фотоники[Текст] : Специальный выпуск
Место публикации : Известия вузов. Приборостроение. - 2004. - Т.4. - С. №9.-С.5-45. - (Базовые полупроводниковые материалы и фотоприемники)
УДК : 621.38
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): полупроводники материалы--оптоэлектронные приборы
Экземпляры :НЧЗ(1)
Свободны : НЧЗ(1)
Найти похожие

3.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания :
Заглавие : Бессвинцовистые припои в технологии производства изделий микроэлектроники
Место публикации : Микроэлектроника. - 2003. - №7-. - С. -С.310-320 .-Библиогр.21назв.
УДК : 621.396.6.049.77.002.72
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): полупроводники материалы--электроника полупроводников--полупроводники технология производства--припои бессвинцовые
Экземпляры :чзN2(1)
Свободны : чзN2(1)
Найти похожие

4.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания : 536.5
Автор(ы) : Битюков В.К., Петров В.А.
Заглавие : Бесконтактное измерение температуры диэлектриков и полупроводников[Текст] : Ч.1
Место публикации : Микроэлектроника. - 2004. - Т.3. - С. №6.-С.403-418.-Библиогр.: с.417-418. - (Характеризация материалов и микроструктур)
УДК : 536.5
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): диэлектрики(поляризованные)--полупроводники входной контроль--материалы керамические(эвп)--материалы пьезокерамические(перспективы применения)
Экземпляры :чз№2(1)
Свободны : чз№2(1)
Найти похожие

5.

Вид документа : Статья из сборника (том многотомника)
Шифр издания : Ч21/Н 34
Автор(ы) : Вашурин Н. С., Попов И. И., Бахадуров А. У.
Заглавие : Влияние релаксационных процессов трионов на свойства фемтосекундного фотонного эха
Место публикации : Наука и инновации-2015 ISS "SI-2015": 10-я международная научная школа : инновационный форум "Прорывные инновации и промышленный прогресс", 10-я Международная Научная Школа-семинар "Фундаментальные исследования и инновации 2015", Всероссийский студенческий проект "Инженерные кадры - будущее инновационной экономики России", Молодежная летняя научная школа-семинар "Наука и инновации - 2015"/ [редкол.: И. И. Попов (пред.), В. А. Козлов, В. В. Самарцев] ; Федер. агентство по делам молодежи "Росмолодежь" [и др.]. - Йошкар-Ола: ПГТУ, 2015. - С. 55-57. - (Физика резонансных явлений и ее инновационная значимость). - 670837 кнхр
Примечания : Библиогр.: с. 57 (5 назв.)
УДК : Ч21
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): труды пгту--гетероструктуры--трионы--полупроводники--фемтосекундное фотонное эхо--релаксационные процессы--экситоны--время распада--электроны--запрещенное состояние трионов
Аннотация: В данной работе экспериментально показано увеличение времени распада методом фемтосекундного фотонного эха трионных комплексов в гетероструктуре по сравнению экситонами, возбуждаемыми в одинаковых условиях. В свойствах трионов играет большую роль спиновые состояния составляющих его электронов. Противоположно направленные спины электронов создают оптически запрещенное состояние триона, характеризующееся большим временем распада.
Экземпляры : кнхр(1)
Свободны : кнхр(1)
Найти похожие

6.

Вид документа : Статья из сборника (том многотомника)
Шифр издания : 62/Н 34
Автор(ы) : Вашурин Н.С.
Заглавие : Эффект оптического частотного сдвига сигнала фотонного эха, возбуждаемый в полупроводниковой пленке ZnO
Место публикации : Научному прогрессу - творчество молодых: международная молодежная научная конференция по естественнонаучным и техническим дисциплинам (Йошкар-Ола, 19-20 апреля 2013 года) : материалы и доклады : в 3 ч./ [редкол.: В. А. Иванов и др.] ; М-во образования и науки РФ, Фонд содействия развитию малых форм предприятий в научно-техн. сфере, ФГБОУ ВПО "Поволж. гос. технол. ун-т", Центр фундам. образования. - Йошкар-Ола: ПГТУ, 2013. - Ч. 1. - С. 28-29. - (Теоретическая и экспериментальная физика). - 662854 кнхр
УДК : 62
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): труды пгту--частотный сдвиг--возбуждение сигнала--квантовый переход--полупроводники--фотонное эхо--лазерный импульс--полупроводниковые пленки
Найти похожие

7.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания :
Автор(ы) : Горлов М.И.
Заглавие : Входной контроль полупроводниковых изделий
Место публикации : Микроэлектроника. - 2003. - Т.3. - С. 5.-С.391-400
УДК : 621.382:6211.317.7
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): контроль изделий в электронной технике--полупроводниковые изделия--полупроводники входной контроль
Экземпляры :чз№2(1)
Свободны : чз№2(1)
Найти похожие

8.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания : 621.315.592
Автор(ы) : Гридчин В.А.
Заглавие : Нелинейность прямоугольных диафрагм
Место публикации : Микроэлектроника. - 2003. - №7-. - С. -С.294-304
УДК : 621.315.592
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): полупроводники (прогибы)--полупроводниковая электроника
Экземпляры :чзN2(1)
Свободны : чзN2(1)
Найти похожие

9.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания :
Заглавие : К юбилею академика Юрия Васильевича Гуляева
Серия: Новинки техники и технологий. Обзоры. Конференции. Важные даты
Разночтения заглавия :: К юбилею академика Гуляева
Место публикации : Вестник Поволжского государственного технологического университета. Сер.: Радиотехнические и инфокоммуникационные системы. - 2020. - № 3 (47). - С. 85-88: 1 фот.
ISSN: 2306-2819
Предметные рубрики: Радиоэлектроника
История радиоэлектроники
Наука. Науковедение
История науки
Географич. рубрики:
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): биографии--вакуумные интегральные схемы--микроволновая фотоника--полупроводники--ученые--электронная нелинейность--электронное поглощение акустических волн--юбилеи
Аннотация: К юбилею Юрия Васильевича Гуляева, развитии им теории электронного поглощения и усиления акустических волн большой амплитуды в полупроводниках, функциональных возможностей вакуумных интегральных схем.
Найти похожие

10.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания : 621.372
Автор(ы) : Котов В.Б.
Заглавие : Особенности использования пар толстых голограмм как слоев оптической памяти[Текст]
Место публикации : Радиотехника и электроника. - 2004. - Т.4. - С. 5.-С.616-623.-Библиогр.: 11назв. - (Радиотехнические явления в твердом теле и плазме)
УДК : 621.372
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): оптические устройства хранения данных(эволюция)--оптические технологии хранения информации--полупроводники материалы--голограммы
Экземпляры :чз№2(1)
Свободны : чз№2(1)
Найти похожие

11.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания : 621.382
Автор(ы) : Морозов В.А.
Заглавие : Исследование активного сопротивления проводника с покрытием на высокой частоте
Место публикации : Электротехника. - 2004. - №3. - С. 30-35.-Библиогр.:12назв
УДК : 621.382
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): полупроводники материалы--высокочастотные измерения(в диапазоне свч)
Экземпляры :чз№2(1)
Свободны : чз№2(1)
Найти похожие

12.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания : 620.9:504
Автор(ы) : Наумов А.В., Плеханов С.И.
Заглавие : О некоторых аспектах развития солнечной энергетики на основе теллурида кадмия
Место публикации : Экология и промышленность России. - 2010. - N12. - С. 30-33. - чзN2
Примечания : Библиогр. в конце ст.
УДК : 620.9:504
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): тонкопленочные солнечные элементы--прямоозонные полупроводники--экология производства--запасы сырья
Найти похожие

13.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания : 620.3
Автор(ы) : Пшеничнюк С.А., Кухто А.В.
Заглавие : Метод спектроскопии электронного захвата для исследований электронной структуры молекул органических полупроводников
Место публикации : Нанотехнологии : наука и производство. - 2009. - №3. - С. 82-89
Примечания : Библиогр.: с. 89 (38 назв.)
УДК : 620.3
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): спектроскопия--метод спектроскопии--микроэлектронные технологии--органические полупроводники--полупроводники (методы электронной микроскопии)
Экземпляры :НЧЗ(1)
Свободны : НЧЗ(1)
Найти похожие

14.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания : 621.382
Автор(ы) : Саханский С.П.
Заглавие : Управление скоростью вытягивания при контактном методе выращивания монокристаллов
Место публикации : Автоматизация и современные технологии. - 2008. - N9. - С. 3-7
Примечания : Библиогр.: с. 7 (4 назв.)
УДК : 621.382
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): монокристаллы (для радиопромышленности)--полупроводники материалы--производство интегральных микросхем
Экземпляры :нчз(1)
Свободны : нчз(1)
Найти похожие

15.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания : 621.385.833
Автор(ы) : Рау Э.И., Гостев А.В., Чжу, Шичу, Пханг Д., Чан Д., Тхонг Д., Вонг В.
Заглавие : Сравнительный анализ методов растровой электронной микроскопии полупроводников : электронно-индуцированного потенциала, одноконтактного наведенного тока, термоакустического детектирования
Место публикации : Микроэлектроника. - 2001. - Т.3. - С. 4.-С.243-256.-Библиогр.:28 назв.
УДК : 621.385.833
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): электронная микроскопия полупроводников(методы)--полупроводники(методы электронной микроскопии)--электронно-индуцированного вотенциала метод--одноконтактного наведенного тока метод--термоакустического детектирования метод
Экземпляры :чзN2(1)
Свободны : чзN2(1)
Найти похожие

16.

Вид документа : Статья из сборника (том многотомника)
Шифр издания : 62/Н 34
Автор(ы) : Черных Е.Е., Ефтина М.Д.
Заглавие : Изучение физических свойств полупроводников
Место публикации : Научному прогрессу - творчество молодых: сб. материалов междунар. науч. студ. конф. по естеств.- науч. и техн. дисциплинам. 17-18 апр. 2009 г.: в 3 ч./ М-во образования и науки РФ, Федер. агентство по образованию, Гос. ком. Респ. Марий Эл по проф. образованию, МарГТУ, Центр фундам. образования ; [редкол.: Иванов В. А. и др.]. - Йошкар-Ола: МарГТУ, 2009. - Ч. 1. - С. 55. - 645895 кнхр
УДК : 62
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): труды маргту--полупроводники--физические свойства полупроводников--фотопроводимость--электропроводность полупроводников
Экземпляры :(1)
Свободны : (1)
Найти похожие

17.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания : 621.383.9
Автор(ы) : Щербатюк В., Лисенкова А.
Заглавие : Свет в "полупроводники"
Место публикации : Радиомир. - 2003. - N1. - С. 35-36. - (Не только новичку)
УДК : 621.383.9
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): фоторезисторы--"поглотители" света
Экземпляры :чзN2(1)
Свободны : чзN2(1)
Найти похожие

18.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания : 621.383.9
Автор(ы) : Щербатюк В., Лисенкова А.
Заглавие : Свет в "полупроводники"
Место публикации : Радиомир. - 2003. - N2. - С. 37-39.-Продолжение.Нач.в N1. - (Не только новичку)
УДК : 621.383.9
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): фоторезисторы
Экземпляры :чзN2(1)
Свободны : чзN2(1)
Найти похожие

19.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания : 621.383.9
Автор(ы) : Щербатюк В., Лисенкова А.
Заглавие : Свет в "полупроводники"
Место публикации : Радиомир. - 2003. - N3. - С. 37-38.-Библиогр.:8 назв.-Окончание.Нач.в NN1-2. - (Не только новичку)
УДК : 621.383.9
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): фоторезисторы--оптоэлектроника
Экземпляры :чзN2(1)
Свободны : чзN2(1)
Найти похожие

 
Статистика
за 06.07.2024
Число запросов 36983
Число посетителей 700
Число заказов 0
© 2006-2022 Поволжский государственный технологический университет, ФГБОУ ВО «ПГТУ».