Поисковый запрос: (<.>K=микроэлектроника<.>) |
Общее количество найденных документов : 307
Показаны документы с 1 по 10 |
|
1. 
|
Дамбаев, Г. Ц.
Коррекция некоторых функций организма методом эндогенного введения микроэлементов [Текст] / Дамбаев Г.Ц., Агафонников В.Ф. // Электронная промышленность. - 1998. - N1-. - С.169-170. - (Медицинская электроника)
Кл.слова (ненормированные):
Электроника(в медицине) -- Техника медицинская -- Микроэлектроника медицинская(изготовление)
Доп.точки доступа:
Агафонников, В.Ф.
Найти похожие
|
2.
|
Неизвестный, И. Г.
Одноэлектроника. Часть 1. [Текст] / И.Г.Неизвестный,О.В.Соколова,Д.Г.Шамирян // Микроэлектроника. - 1999. - Т.2. - 2.-С.83-107.-Библиогр.:71 назв.
Кл.слова (ненормированные):
Одноэлектроника(развитие) -- Приборы одноэлектронные(классификация конструкций) -- Приборы одноэлектронные(применение в цифровой электронике)
Доп.точки доступа:
Соколова, О.В.
Шамирян, Д.Г.
Найти похожие
|
3.
|
Щука, А.
Электроника четвертого поколения - функциональная электроника [Текст] / Щука А. // СHIP NEWS. - 1999. - N10. - С. .51-55. - (Инженерная микроэлектроника)
Кл.слова (ненормированные):
Микроэлектроника(развитие,тенденции) -- Электроника четвертого поколения(микроэлектроника) -- Электроника функциональная(микроэлектроника)
Найти похожие
|
4.
|
Гаряинов, С. А.
Биполевая электроника-новое направление научно-технического прогресса XXI века [Текст] / Гаряинов С.А. // Электронная техника.Сер.3.Микроэлектроника. - 1999. - Вып. - 153).-С.17-21.-Библиогр.:7 назв.
Кл.слова (ненормированные):
Биполевая электроника(перспективы развития) -- Биполевые электронные приборы
Найти похожие
|
5.
|
НИОКР в зарубежной микроэлектронике : изменения в подходах к организации работ, текущие исследования как база развития [Текст] // Зарубежная электронная техника. - 1999. - N3. - С. 3-51. - (Экономика/НИОКР)
Кл.слова (ненормированные):
Технологии новые(в зарубежной микроэлектронике) -- Промышленность зарубежная(НИОКР) -- Микроэлектроника зарубежная(организация НИОКР) -- НИОКР(в зарубежной электронике) -- Микроэлектроника зарубежная(новые технологии) -- Соединенные Штаты Америки(НИОКР в микроэлектронике) -- Япония(НИОКР в микроэлектронике) -- Европа(НИОКР в микроэлектронике) -- Южная Корея(НИОКР в микроэлектронике) -- Тайвань(НИОКР в микроэлектронике) -- Сингапур(НИОКР в микроэлектронике) -- КНР(НИОКР в микроэлектронике)
Найти похожие
|
6.
|
Забудский, Е. Е.
Моделирование электрических характеристик тонкопленочных электролюминесцентных индикаторных устройств [Текст] / Забудский Е.Е., Самохвалов М.К. // Микроэлектроника. - 1999. - Т.2. - 2.-С.117-125.-Библиогр.:9 назв.
Кл.слова (ненормированные):
Электролюминесцентные структуры(моделирование электрических характеристик) -- Электролюминесцентные структуры(экспериментальные исследования) -- Устройства индикаторные(тонкопленочные электролюминесцентные) -- Индикаторы дискретные(математические модели) -- Панели матричные большой емкости(математические модели)
Доп.точки доступа:
Самохвалов, М.К.
Найти похожие
|
7.
|
Лысенко, А. П.
Два режима пульсаций преобразовательного элемента на БИСПИН-приборе [Текст] / Лысенко А.П. // Микроэлектроника. - 1999. - Т.2. - 2.-С.148-154
Кл.слова (ненормированные):
Прибор БИСПИН(возникновение пульсаций) -- Пульсации преобразовательного элемента(на БИСПИН-приборе)
Найти похожие
|
8.
|
Валиев, К. А.
Полупроводниковые ЯМР - квантовые компьютеры с индивидуальным и ансамблевым обращением к кубитам [Текст] / Валиев К.А., Кокин А.А. // Микроэлектроника. - 1999. - Т.2. - 5.-С.325-336.-Библиогр.:19 назв.
Кл.слова (ненормированные):
Компьютер квантовый полупроводниковый ЯМР(принцип работы)
Доп.точки доступа:
Кокин, А.А.
Найти похожие
|
9.
|
Грузинцев, А. Н.
Тонкопленочные электролюминесцентные МДПДМ-структуры на основе ZnS:Mn с изменяемым желто-оранжевым цветом свечения [Текст] / Грузинцев А.Н. // Микроэлектроника. - 1999. - Т.2. - 2.-С.126-130.-Библиогр.:8 назв.
Кл.слова (ненормированные):
Электролюминесцентные МДПДМ-структуры(тонкопленочные,на основе ZnS:Mn) -- Электролюминесцентные МДПДМ-структуры(кправление цветом свечения)
Найти похожие
|
10.
|
Мордвинцев, В. М.
Методика контроля процесса травления нанометрового слоя диэлектрика in situ путем измерения адмитанса системы [Текст] / Мордвинцев В.М., Шумилова Т.К. // Микроэлектроника. - 1999. - Т.2. - 2.-С.136-147
Кл.слова (ненормированные):
Травление нанометрового слоя диэлектрика(контроль процесса) -- Измерение адмитанса системы(контроль процесса травления) -- Диэлектрики in situ(травление нанометрового слоя) -- Тонкопленочная технология(контроль процесса травления)
Доп.точки доступа:
Шумилова, Т.К.
Найти похожие
|
|
|
|
Главная
Описание
Книги
Стандартный