Главная Упрощенный режим Описание
Авторизация
Фамилия
Пароль
 

Базы данных


Статьи- результаты поиска

Вид поиска

Область поиска
в найденном
 Найдено в других БД:Книги (163)Полные тексты изданий ПГТУ (8)Авторефераты и диссертации (2)
Формат представления найденных документов:
полныйинформационныйкраткий
Отсортировать найденные документы по:
авторузаглавиюгоду изданиятипу документа
Поисковый запрос: (<.>K=микроэлектроника<.>)
Общее количество найденных документов : 307
Показаны документы с 1 по 10
 1-10    11-20   21-30   31-40   41-50   51-60      
1.


    Абрамов, И. И.
    Двумерная численная модель одноэлектронного транзистора [Текст] / Абрамов И.И., Новик Е.Г. // Микроэлектроника. - 2000. - Т.2. - 3.-С.197-201.-Библиогр.:12 назв.
УДК

Кл.слова (ненормированные):
Транзистор одноэлектронный(численная модель)
Доп.точки доступа:
Новик, Е.Г.


Найти похожие

2.


    Абросимов, А.
    Особенности инфракрасной передачи данных [Текст] / А.Абросимов // CHIP NEWS.Инженерная микроэлектроника. - 2002. - N7. - С. 38-41. - (Телекоммуникации)
УДК

Кл.слова (ненормированные):
Пульты дистанционного управления (инфракрасные) -- Инфракрасный пульт дистанционного управления

Найти похожие

3.


    Агаханян, Т. М.
    Импульсные усилители с токовым выходом на мощных аналоговых интегральных микросхемах [Текст] / Агаханян Т.М. // Микроэлектроника. - 1999. - Т.2. - 4.-С.244-258.-Библиогр.:7 назв.
УДК

Кл.слова (ненормированные):
Импульсные усилители(с токовым выходом) -- Импульсные усилители(на аналоговых микросхемах) -- Импульсные усилители(схемы,проектирование)

Найти похожие

4.


    Агаханян, Т. М.
    Использование аналоговых интегральных микросхем на комплиментарных транзисторах с быстродействующим каналом в спецаппаратуре[Текст] [Текст] / Т.М.Агаханян // Микроэлектроника. - 2006. - Т.3. - N3.-С.230-234.Библиогр.: 21 назв.
УДК

Кл.слова (ненормированные):
Радиационная стойкость -- Военная техника(радиоэлектронная) -- Интегральные микросхемы -- Аналоговые интегральные микросхемы(определение параметров) -- Контроль качества электроники
Аннотация: Разработка быстродействующих и широкополосных аналоговых интегральных микросхем предназначенных для работы в условиях радиационного воздействия

Найти похожие

5.


    Агаханян, Т. М.
    Особенности импульсных усилителей на трансимпедансных интегральных операционных усилителях с резистивным делителем в цепи обратной связи [Текст] / Агаханян Т.М. // Микроэлектроника. - 2000. - Т.2. - 1.-С.67-74.-Библиогр.:5 назв.
УДК

Кл.слова (ненормированные):
Усилители импульсные -- Микросхемы(показатели быстродействующие,высокочастотные) -- Делители резистивные(влияние на показатели микросхем)

Найти похожие

6.


    Агаханян, Т. М.
    Схемотехнические способы повышения радиационной стойкости электронных усилителей на аналоговых интегральных микросхемах[Текст] [Текст] / Т.М.Агаханян // Микроэлектроника. - 2004. - Т.3. - 3.-С.225-232. - (Методы повышения радиационной стойкости интегральных схем)
УДК

Кл.слова (ненормированные):
Усилители мощности(схемотехническое проектирование) -- Проектирование РЭА(надежностно-ориентированное)

Найти похожие

7.


    Акулин, А.
    Типовые ошибки при проектировании печатных плат[Текст] [Текст] / А.Акунин // Производство электроники. - 2006. - N2. - С. 48-52.
УДК

Кл.слова (ненормированные):
Печатные платы(проектирование) -- Проектирование печатных плат -- САПР(микроэлектроника)

Найти похожие

8.


    Аливов, Я. И.
    Механизм гистерезиса на вольт-яркостсной характеристике светоизлучающих МДПДМ-структур на основе ZnS:Mn [Текст] / Аливов Я.И., Грузинцев А.Н. // Микроэлектроника. - 2000. - Т.2. - 3.-С.211-216.-Библиогр.:9 назв.
УДК

Кл.слова (ненормированные):
Гистерезиса явление(в МДПДМ-структурах) -- Электролюминесцентные тонкопленочные структуры(гистерезис)
Доп.точки доступа:
Грузинцев, А.Н.


Найти похожие

9.


    Алтухов, А. А.
    Перспективные структуры "кремний - на - диэлектрике" КМОПИС на основе эпитаксиальных слоев Si/CaF2/Si [Текст] / Алтухов А.А., Митягин А.Ю. // Микроэлектроника. - 2001. - Т.3. - 2.-С.113-118.-Библиогр.:14 назв.
УДК

Кл.слова (ненормированные):
Технология"кремний-на-диэлектрике"(КМОПИС) -- Молекулярно-лучевой эпитаксии метод -- Гетероструктуры Si-CaF2-Si(использование) -- Тестовые структуры МДП-"кремний-на-диэлектрике"-транзистора
Доп.точки доступа:
Митягин, А.Ю.


Найти похожие

10.


    Амиров, И. И.
    Создание 0,5 мкм структур методом "сухой" электронолитографии и плазменных анизотропных процессов травления [Текст] / Амиров И.И., Федоров В.А. // Микроэлектроника. - 2000. - Т.2. - 5.-С.353-357.-Библиогр.:14 назв.
УДК

Кл.слова (ненормированные):
Электронолитография"сухая" -- Травление(плазменное,анизотропное) -- Субмикронные структуры(создание)
Доп.точки доступа:
Федоров, В.А.


Найти похожие

 1-10    11-20   21-30   31-40   41-50   51-60      
 
Статистика
за 30.06.2024
Число запросов 30370
Число посетителей 503
Число заказов 0
© 2006-2022 Поволжский государственный технологический университет, ФГБОУ ВО «ПГТУ».