Главная Упрощенный режим Описание
Авторизация
Фамилия
Пароль
 

Базы данных


Статьи- результаты поиска

Вид поиска

Область поиска
Формат представления найденных документов:
полный информационныйкраткий
Поисковый запрос: (<.>K=Транзисторы полевые(повышение крутизны и быстродействия)<.>)
Общее количество найденных документов : 1
1.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания :
Автор(ы) : Гергель В.А., Мокеров В.Г.
Заглавие : Перспектива существенного повышения крутизны и быстродействия транзисторов за счет профилирования структуры канала
Место публикации : Микроэлектроника. - 2001. - Т.3. - С. 4.-С.286-287
УДК : 621.382.3:621.315.592.2
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): транзисторы полевые(повышение крутизны и быстродействия)--профилирование структуры канала(транзистора)
Экземпляры :чзN2(1)
Свободны : чзN2(1)
Найти похожие

 
Статистика
за 04.07.2024
Число запросов 120727
Число посетителей 909
Число заказов 0
© 2006-2022 Поволжский государственный технологический университет, ФГБОУ ВО «ПГТУ».