Поисковый запрос: (<.>K=Транзисторы<.>) |
Общее количество найденных документов : 118
Показаны документы с 1 по 30 |
|
1. 
|
Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания : 621.382
Автор(ы) : Алексеев В.
Заглавие : Применение токового зеркала на полевых транзисторах
Место публикации : Радио. - 2009. - № 12. - С. 16-17
УДК : 621.382
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): полевые транзисторы--токовые зеркала
Аннотация: 8 схем
Экземпляры :чз№2(1)
Свободны : чз№2(1)
Найти похожие
|
2.
|
Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания : 621.375.028
Автор(ы) : Титов А.А.
Заглавие : Защита полосовых усилителей мощности от перегрузок и модуляция амплитуды мощных сигналов
Место публикации : Известия вузов. Приборостроение. - 2009. - №9. - С. 58-62
УДК : 621.375.028
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): транзисторы биполярные--модуляторы--защита от электрического разряда (микросхем)
Экземпляры :НЧЗ(1)
Свободны : НЧЗ(1)
Найти похожие
|
3.
|
Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания : 621.382.049.77
Автор(ы) : Пушкарский С. В.
Заглавие : Экспериментальные исследования воздействия радиации на ВАХ транзисторов МОП
Место публикации : Вестник Московского государственного университета леса - Лесной вестник. - 2009. - № 6. - С. 106-110
УДК : 621.382.049.77
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): моп-приборы (процессы окисла при облучении)--транзисторы полевые (воздействие излучений)
Найти похожие
|
4.
|
Вид документа : Статья из сборника (том многотомника)
Шифр издания : 62/Н 34
Автор(ы) : Мертвищева И.А., Балашова К.И.
Заглавие : От первых резисторов - к гетероструктурам. Новые полупроводниковые материалы
Место публикации : Научному прогрессу - творчество молодых: сб. материалов междунар. науч. студ. конф. по естеств.- науч. и техн. дисциплинам. 17-18 апр. 2009 г.: в 3 ч./ М-во образования и науки РФ, Федер. агентство по образованию, Гос. ком. Респ. Марий Эл по проф. образованию, МарГТУ, Центр фундам. образования ; [редкол.: Иванов В. А. и др.]. - Йошкар-Ола: МарГТУ, 2009. - Ч. 1. - С. 182-183. - 645895 кнхр
УДК : 62
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): полупроводниковые технологии--транзисторы--методы--труды маргту--гетероустройства--эпитаксия
Экземпляры :(1)
Свободны : (1)
Найти похожие
|
5.
|
Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания : 621.382
Заглавие : Методы защиты от эффекта Миллера при схемотехническом проектировании биполярных микросхем
Место публикации : Электронные компоненты. - 2009. - №10. - С. 50-53
УДК : 621.382
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): биполярные транзисторы--схемотехническое проектирование--эффект миллера--защита от электрического разряда (микросхем)
Экземпляры :чз№2(1)
Свободны : чз№2(1)
Найти похожие
|
6.
|
Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания : 621.382
Автор(ы) : Дворников, Олег, Гришков, Виталий, Натаров, Тимофей
Заглавие : Проектирование аналоговых микросхем на МОП-транзисторах
Место публикации : Электронные компоненты. - 2009. - №8. - С. 52-55.; №9. - С. 53-56
УДК : 621.382
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): сбис--проектирование сбис--система на кристалле (проектирование и изготовление)--моп-транзисторы--аналоговые микросхемы (проектирование)
Аннотация: рекомендации по проектированию аналоговых компонентов СБИС
Экземпляры :чз№2(1)
Свободны : чз№2(1)
Найти похожие
|
7.
|
Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания : 621.396.6
Автор(ы) : Колдунов А.
Заглавие : Транзисторы MOSFET
Место публикации : Радиомир. - 2005. - N 12. - С. 24-25; Начало N 11. - (Азбука схемотехники)
УДК : 621.396.6
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): транзисторы
Экземпляры :чзN2(1)
Свободны : чзN2(1)
Найти похожие
|
8.
|
Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания : 620.3
Автор(ы) : Юсупов А.Р., Гадиев Р.М.
Заглавие : Особенности свойств транзистора вертикального типа на основе несопряженного полимера
Место публикации : Нанотехнологии : наука и производство. - 2009. - №3. - С. 71-75
Примечания : Библиогр.: с. 75 (12 назв.)
УДК : 620.3
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): транзисторы полевые--тонкопленочное покрытие--вертикальный тонкопленочный транзистор
Экземпляры :НЧЗ(1)
Свободны : НЧЗ(1)
Найти похожие
|
9.
|
Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания : 621.382.049.77
Автор(ы) : Сампат Шекхават, Броквэй, Боб
Заглавие : Специфика применения IGBT-транзисторов в различных приложениях
Место публикации : Электронные компоненты. - 2009. - №9. - С. 49-51
УДК : 621.382.049.77
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): транзисторы зарубежные (отечественные аналоги)--силовая электроника (компоненты)--элементная база транзисторная (разработка)
Экземпляры :чз№2(1)
Свободны : чз№2(1)
Найти похожие
|
10.
|
Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания : 621.3 049.75
Автор(ы) : Денисенко В. В.
Заглавие : Перестройка параметров табличных моделей субмикронных МОП-транзисторов
Серия: Приборы микро- и наноэлектроники
Место публикации : Микроэлектроника. - 2010. - N 5. - С. 378-191
Примечания : Библиогр.: с. 390-391 (19 назв.)
УДК : 621.3 049.75
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): моп-транзисторы кремниевые--табличные модели--компактные модели--сбис
Аннотация: Предлагается метод перестройки параметров табличных моделей субмикронных МОП-транзисторов, использующий результаты стандартного электронного тестирования, выполняемого при мониторинге техпроцесса производства СБИС.
Найти похожие
|
11.
|
Вид документа : Статья из сборника (том многотомника)
Шифр издания : 62/Н 34
Автор(ы) : Клюжев К.С.
Заглавие : Новые материалы в полупроводниковой технике
Место публикации : Научному прогрессу - творчество молодых: сб. материалов Междунар. науч. студен. конф. по естественно- науч. и техн. дисциплинам, 18-19 апр. 2008 г. : в 3 ч./ М-во образования и науки РФ, Федер. агентство по образованию, Гос. ком. Респ. Марий Эл по проф. образованию, МарГТУ ; [редкол.: Иванов В. А. и др.]. - Йошкар-Ола: МарГТУ, 2008. - Ч. 1. - С. 143-144. - (Прикладная и экологическая химия). - 645898 кнхр
УДК : 62
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): труды маргту--новые материалы--полупроводниковая техника--гетеротранзисторы--системы спутниковой связи--транзисторы--германий--кремний
Найти похожие
|
12.
|
Вид документа : Статья из сборника (том многотомника)
Шифр издания : Ч2/В 12
Автор(ы) : Павлов Е. П., Черных А.В., Кузнецова И.А.
Заглавие : Выбор экспериментальных методов обработки точностных параметров больших гибридных интегральных микросхем.
Место публикации : Социальные, естественные и технические системы в современном мире: состояние, противоречия, развитие. Восемнадцатые Вавиловские чтения : материалы международной междисциплинарной научной конференции [Йошкар-Ола, 4-5 декабря 2014 г. : в 2 ч.]/ [под общ. ред. В. П. Шалаева] ; М-во образования и науки РФ, Поволж. гос. технол. ун-т", Фак. социал. технологий ПГТУ, Науч.-культур. центр - Дом учёных г. Йошкар-Олы [и др.]. - Йошкар-Ола: ПГТУ, 2015. - Ч. 2. - С. 330-331. - (Радиотехника и связь). - кнхр
Примечания : Библиогр.: с. 331 (2 назв.)
ББК : Ч2
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): вавиловские чтения (18-е)--труды пгту--интегральные микросхемы--статистическое планирование--электрический режим--моделирование --проектирование--транзисторы--корреляиционный метод--уравнения регрессии
Найти похожие
|
13.
|
Вид документа : Статья из сборника (однотомник)
Шифр издания : 62/Т 28
Автор(ы) : Сергеев А.В.
Заглавие : Особенности эксплуатации преобразователя частоты
Место публикации : Творчество студентов- экономике России: сб. ст. регион. науч. студ. конф. по естественно- научным и техническим дисциплинам 18-22 апреля 2006 г. - Йошкар-Ола: МарГТУ, 2006. - С. 96. - 637107 кнхр
УДК : 62
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): энергообеспечение предприятий--преобразователь частоты--модули диодные--силовые транзисторы--труды маргту
Экземпляры :637107 кнхр(1)
Свободны : 637107 кнхр(1)
Найти похожие
|
14.
|
Вид документа : Статья из сборника (том многотомника)
Шифр издания : 62/Н 34
Автор(ы) : Соломин А.Г.
Заглавие : Графеновые наноструктуры
Место публикации : Научному прогрессу - творчество молодых: международная молодежная научная конференция по естественнонаучным и техническим дисциплинам (Йошкар-Ола, 20-21 апреля 2012 года) : [материалы и доклады] : в 3 ч./ [редкол.: В. А. Иванов и др.] ; М-во образования и науки РФ, Фонд содействия развитию малых форм предприятий в научно-техн. сфере, ФГБОУ ВПО "Поволж. гос. технол. ун-т", Центр фундам. образования. - Йошкар-Ола: ПГТУ, 2012. - Ч. 1. - С. 186-187. - (Проблемы современного естествознания). - 659041 кнхр
Примечания : Библиогр.: с. 187 (1 назв.)
УДК : 62
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): труды пгту--графеновые наноструктуры--наноструктуры--микроэлектроника--транзисторы
Найти похожие
|
15.
|
Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания : 621.382
Автор(ы) : Маркелов, Евгений
Заглавие : Преимущества биполярных транзисторов перед полевыми
Серия: Дискретные силовые компоненты
Место публикации : Электронные компоненты. - 2010. - N 11. - С. 74-75
Примечания : Библиогр.: с. 75(2 назв.)
УДК : 621.382
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): биполярные транзисторы--полевые транзисторы
Аннотация: Биполярные транзисторы имеют неплохие характеристики и их рано списывать со счетов.
Найти похожие
|
16.
|
Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания : 621.3
Автор(ы) : Страйдорм, Джохан
Заглавие : Как максимально расширить диапазон рабочих параметров силовых GAN-транзисторов
Серия: Дискретные силовые компоненты
Место публикации : Электронные компоненты. - 2010. - N 9. - С. 59-63
Примечания : Библиогр.: с. 63(3 назв.)
УДК : 621.3
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): силовые транзисторы--транзисторы зарубежные(отечественные аналоги)
Аннотация: В статье описывается новая и перспективная технология eGaN, обеспечивающая лучшие рабочие характеристики транзисторов.
Найти похожие
|
17.
|
Вид документа : Статья из сборника (том многотомника)
Шифр издания : Ч2/В 12
Автор(ы) : Смирнова Е. С., Чернышев А. Ю.
Заглавие : Модели и проходные вольт-амперные характеристики транзисторов
Место публикации : Человек, общество, природа в эпоху глобальных трансформаций: безопасность и развитие. Семнадцатые Вавиловские чтения: материалы постоянно действующей международной междисциплинарной научной конференции : в 2 ч./ [редкол.: В. П. Шалаев и др.] ; М-во образования и науки РФ, Поволж. гос. технол. ун-т, Фак. соц. технологий ПГТУ. - Йошкар-Ола: ПГТУ, 2014. - Ч. 2. - С. 384-385. - (Радиотехника). - 663989 кнхр
ББК : Ч2
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): труды пгту--вавиловские чтения (17-е)--радиотехника--транзисторы--вольт-анперные характеристики
Найти похожие
|
18.
|
Вид документа : Статья из сборника (том многотомника)
Шифр издания : Ч2/В 12
Автор(ы) : Чубаркина К. А., Забродина Н. А.
Заглавие : Транзистор из нанотрубки
Место публикации : Человек, общество, природа в эпоху глобальных трансформаций: безопасность и развитие. Семнадцатые Вавиловские чтения: материалы постоянно действующей международной междисциплинарной научной конференции : в 2 ч./ [редкол.: В. П. Шалаев и др.] ; М-во образования и науки РФ, Поволж. гос. технол. ун-т, Фак. соц. технологий ПГТУ. - Йошкар-Ола: ПГТУ, 2014. - Ч. 2. - С. 389. - (Радиотехника). - 663989 кнхр
Примечания : Библиогр.: с. 389 (1 назв.)
ББК : Ч2
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): труды пгту--вавиловские чтения (17-е)--радиотехника--транзисторы--нанотрубки
Найти похожие
|
19.
|
Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания : 621.382.3
Автор(ы) : Чеботков С.
Заглавие : Новые мощные полевые транзисторы
Место публикации : Радиомир. - 2001. - N 8. - С. 39-40. - (Справочный материал)
УДК : 621.382.3
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): транзисторы полевые(мощные)
Экземпляры :чзN2(1)
Свободны : чзN2(1)
Найти похожие
|
20.
|
Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания : 621.382.2
Автор(ы) : Белоусов О.
Заглавие : Прибор для проверки транзисторов
Место публикации : Радиолюбитель. - 2001. - N4. - С. 32. - (Измерения)
УДК : 621.382.2
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): транзисторы(прибор для проверки)--прибор(для проверки транзисторов)
Экземпляры :чзN2(1)
Свободны : чзN2(1)
Найти похожие
|
21.
|
Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания : 621.38.049.77
Заглавие : Отечественные аналоги зарубежных транзисторов
Место публикации : Радиомир. - 2001. - N 10. - С. 46. - Продолжение. Нач. в N 9. - (Справочный материал)
УДК : 621.38.049.77
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): транзисторы зарубежные(отечественные аналоги)--отечественные аналоги(зарубежных транзисторов)
Экземпляры :чзN2(1)
Свободны : чзN2(1)
Найти похожие
|
22.
|
Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания : 621.38.049.77
Заглавие : Отечественные аналоги зарубежных транзисторов
Место публикации : Радиомир. - 2001. - N 9. - С. 43. - (Справочный материал)
УДК : 621.38.049.77
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): транзисторы зарубежные(отечественные аналоги)
Экземпляры :чзN2(1)
Свободны : чзN2(1)
Найти похожие
|
23.
|
Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания : 621.382.3
Автор(ы) : Тимофеев М.
Заглавие : Полевые транзисторы фирмы STMicroelectronics
Место публикации : CHIP NEWS. - 2001. - N 2. - С. 16-17. - (В помощь разработчику)
УДК : 621.382.3
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): полевые транзисторы(ведущих фирм-производителей)
Экземпляры :чзN2(1)
Свободны : чзN2(1)
Найти похожие
|
24.
|
Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания : 621.382.3
Автор(ы) : Артеменко В.
Заглавие : Барьерные генераторы ВЧ
Место публикации : Радиолюбитель. - 2001. - N6. - С. 33. - (Измерения)
УДК : 621.382.3
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): генераторы вч(барьерные)--транзисторы биполярные
Экземпляры :чзN2(1)
Свободны : чзN2(1)
Найти похожие
|
25.
|
Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания : 621.382.3
Автор(ы) : Казмерчук В.
Заглавие : Полевые транзисторы КП523А...Г
Место публикации : Радиомир. - 2005. - N 8. - С. 45. - (Справочный материал)
УДК : 621.382.3
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): полевые транзисторы (кп523а...г)
Экземпляры :чзN2(1)
Свободны : чзN2(1)
Найти похожие
|
26.
|
Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания : 621.382.3
Автор(ы) : Сергеева Л., Ярошко А.
Заглавие : Высоковольтные транзисторы КТ8228А...Б
Место публикации : Радиолюбитель. - 2000. - N11. - С. .40. - (Справочный материал)
УДК : 621.382.3
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): транзисторы высоковольтные кт8228а...б
Экземпляры :чзN2(1)
Свободны : чзN2(1)
Найти похожие
|
27.
|
Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания : 621.382
Автор(ы) : Урицкий В.Я., Крылов А.П., Борисов С.Е.
Заглавие : Фундаментальная модификация слоя затворного диоксида кремния, вызванная материальным геттерированием электрически активных центров
Место публикации : Микроэлектроника. - 2000. - Т.2. - С. 6.-С.466-470.-Библиогр.:12 назв.
УДК : 621.382
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): моп-транзисторы кремниевые--модификация слоя затворного диэлектрика--латерального геттерирования ионизированных донорных центров метод
Экземпляры :чзN2(1)
Свободны : чзN2(1)
Найти похожие
|
28.
|
Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания : 621.382.3
Заглавие : Мощные полевые переключательные транзисторы фирмы INTERNATIONAL RECTIFIER
Место публикации : Радио. - 2001. - N5. - С. 45. - (Справочный листок)
УДК : 621.382.3
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): транзисторы(мощные полевые переключательные)
Экземпляры :чзN2(1)
Свободны : чзN2(1)
Найти похожие
|
29.
|
Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания : 621.382.3
Автор(ы) : Песков С.
Заглавие : Как выбрать СВЧ-транзистор?
Место публикации : Радиолюбитель. - 2001. - N2. - С. 31. - (Измерения)
УДК : 621.382.3
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): транзисторы свч(выбор)--свч-транзисторы(выбор)
Экземпляры :чзN2(1)
Свободны : чзN2(1)
Найти похожие
|
30.
|
Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания : 621.382.3
Заглавие : Транзисторы серий КТ520 и КТ521
Место публикации : Радио. - 2001. - N9. - С. 47-48. - (Справочный листок)
УДК : 621.382.3
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): транзисторы(кт520,кт521)
Экземпляры :чзN2(1)
Свободны : чзN2(1)
Найти похожие
|
|
|
|
Главная
Описание
Книги
Стандартный