Поисковый запрос: (<.>K=Транзисторы<.>) |
Общее количество найденных документов : 118
Показаны документы с 1 по 30 |
|
1.
| Масальский Н. В. Наноразмерные кремниевые полевые транзисторы для биосенсоров/Н. В. Масальский // Биомедицинская радиоэлектроника, 2020,N № 2.-С.74-79
|
2.
| Соломин А.Г. Графеновые наноструктуры/А. Г. Соломин ; науч. рук. В. Л. Фоминых // Научному прогрессу - творчество молодых. -Йошкар-Ола:ПГТУ, 2012,N Ч. 1.-С.186-187
|
3.
| Клюжев К.С. Новые материалы в полупроводниковой технике/К. С. Клюжев ; науч. рук. Н. Г. Крашенинникова // Научному прогрессу - творчество молодых. -Йошкар-Ола:МарГТУ, 2008,N Ч. 1.-С.143-144
|
4.
| Пряников В. С. Автоматизированная система отбраковки потенциально ненадежных транзисторов/В. С. Пряников // Наукоемкие технологии, Т. 18, № 8
|
5.
| Павлов Е. П. Выбор экспериментальных методов обработки точностных параметров больших гибридных интегральных микросхем./Е. П. Павлов , А. В. Черных , И. А. Кузнецова // Социальные, естественные и технические системы в современном мире: состояние, противоречия, развитие. Восемнадцатые Вавиловские чтения . -Йошкар-Ола:ПГТУ, 2015,N Ч. 2.-С.330-331
|
6.
| Чубаркина К. А. Транзистор из нанотрубки/К. А. Чубаркина, Н. А. Забродина // Человек, общество, природа в эпоху глобальных трансформаций: безопасность и развитие. Семнадцатые Вавиловские чтения. -Йошкар-Ола:ПГТУ, 2014,N Ч. 2.-С.389
|
7.
| Смирнова Е. С. Модели и проходные вольт-амперные характеристики транзисторов/Е. С. Смирнова, А. Ю. Чернышев // Человек, общество, природа в эпоху глобальных трансформаций: безопасность и развитие. Семнадцатые Вавиловские чтения. -Йошкар-Ола:ПГТУ, 2014,N Ч. 2.-С.384-385
|
8.
| Маркелов Е. Преимущества биполярных транзисторов перед полевыми/Евгений Маркелов // Электронные компоненты, 2010,N N 11.-С.74-75
|
9.
| Страйдорм Д. Как максимально расширить диапазон рабочих параметров силовых GAN-транзисторов/Джохан Страйдорм // Электронные компоненты, 2010,N N 9.-С.59-63
|
10.
| Денисенко В. В. Перестройка параметров табличных моделей субмикронных МОП-транзисторов/В. В. Денисенко // Микроэлектроника, 2010,N N 5.-С.378-191
|
11.
| Пушкарский С. В. Экспериментальные исследования воздействия радиации на ВАХ транзисторов МОП/С. В. Пушкарский // Вестник Московского государственного университета леса - Лесной вестник, 2009,N № 6.-С.106-110
|
12.
| Мертвищева И.А. От первых резисторов - к гетероструктурам. Новые полупроводниковые материалы/И. А. Мертвищева, К. И. Балашова ; науч. рук. Н. Г. Крашенинникова // Научному прогрессу - творчество молодых. -Йошкар-Ола:МарГТУ, 2009,N Ч. 1.-С.182-183
|
13.
| Алексеев В. Применение токового зеркала на полевых транзисторах/В. Алексеев // Радио, 2009,N № 12.-С.16-17
|
14.
| Титов А.А. Защита полосовых усилителей мощности от перегрузок и модуляция амплитуды мощных сигналов/А. А. Титов // Известия вузов. Приборостроение, 2009. т.№9.-С.58-62
|
15.
| Методы защиты от эффекта Миллера при схемотехническом проектировании биполярных микросхем // Электронные компоненты, 2009. т.№10.-С.50-53
|
16.
| Юсупов А.Р. Особенности свойств транзистора вертикального типа на основе несопряженного полимера/А. Р. Юсупов, Р. М. Гадиев // Нанотехнологии : наука и производство, 2009. т.№3.-С.71-75
|
17.
| Сампат Шекхават Специфика применения IGBT-транзисторов в различных приложениях/Сампат Шекхават, Боб Броквэй // Электронные компоненты, 2009. т.№9.-С.49-51
|
18.
| Дворников Проектирование аналоговых микросхем на МОП-транзисторах/Олег Дворников, Виталий Гришков, Тимофей Натаров // Электронные компоненты, 2009. т.№8.-С.52-55, 2009. т.№9.-С.53-56
|
19.
| Носов Ю.Р. К 60-летию изобретения транзистора/Ю.Р.Носов // Электросвязь, 2008,N N9..-С.илож.С.30-31.
|
20.
| Горячев В.А. Физические характеристики КНИ-транзисторов для наноэлектроники/В.А.Горячев // Успехи современной радиоэлектроники, 2008,N N7..-С.54-72.-Библиогр.:84 назв.
|
21.
| Полевые n-канальные транзисторы КП7173А // Радио, 2008,N N6..-С.41-42.
|
22.
| Титов А.А. Регулировка и модуляция амплитуды мощных сигналов/А.А.Титов // Электросвязь, 2007,N N12.-С..46-48.-Библиогр.:5 назв.
|
23.
| Снитовский Ю.П. Новая технология изготовления мощного биполярного СВЧ транзистора. Физическое моделирование/Ю.П.Снитовский,В.В.Нелаев,В.А.Ефремов // Микроэлектроника, 2007,N Т.3.-С.6.-С.465-471.-Библиогр.:13 назв.
|
24.
| Борисевич К. Влияние линий передачи на быстродействующие КМОП ИМС/К.Борисевич // Радиомир, 2007,N N9..-С.27-28;N10.-С.
|
25.
| Андреев В. Предварительный усилитель/В.Андреев // Радио, 2007,N N6..-С.23.
|
26.
| Горлов М. И. Прогнозирование деградации транзисторов с использованием методов теории и анализа временных рядов[Текст]/М.И.Горлов, А.В.Строганов, Д.Ю.Смирнов // Микроэлектроника, 2006,N Т.5.-С.5.-С.392-400.
|
27.
| Полевые малошумящие транзисторы серии КП 524 // Радио, 2005,N N 4.-С.47-48
|
28.
| Дмитриев Ю. Априорная оценка нелинейных искажений при проектировании усилителей на биполярных транзисторах[Текст]/Ю.Дмитриев // Схемотехника, 2005,N N4..-С.26-29
|
29.
| Белый С. Рейтинг СВЧ транзисторов для УРЧ[Текст]/С.Белый // Радио, 2005,N N2..-С.66.
|
30.
| Мощные высоковольтные транзисторы серии КТ8224[Текст] // Радио, 2005,N N2..-С.47-48.
|
|
|
|
Главная
Описание
Книги
Стандартный