Поисковый запрос: (<.>K=Транзисторы<.>) |
Общее количество найденных документов : 118
Показаны документы с 1 по 30 |
|
1.
| Алексеев В. Применение токового зеркала на полевых транзисторах/В. Алексеев // Радио, 2009,N № 12.-С.16-17
|
2.
| Титов А.А. Защита полосовых усилителей мощности от перегрузок и модуляция амплитуды мощных сигналов/А. А. Титов // Известия вузов. Приборостроение, 2009. т.№9.-С.58-62
|
3.
| Пушкарский С. В. Экспериментальные исследования воздействия радиации на ВАХ транзисторов МОП/С. В. Пушкарский // Вестник Московского государственного университета леса - Лесной вестник, 2009,N № 6.-С.106-110
|
4.
| Мертвищева И.А. От первых резисторов - к гетероструктурам. Новые полупроводниковые материалы/И. А. Мертвищева, К. И. Балашова ; науч. рук. Н. Г. Крашенинникова // Научному прогрессу - творчество молодых. -Йошкар-Ола:МарГТУ, 2009,N Ч. 1.-С.182-183
|
5.
| Методы защиты от эффекта Миллера при схемотехническом проектировании биполярных микросхем // Электронные компоненты, 2009. т.№10.-С.50-53
|
6.
| Дворников Проектирование аналоговых микросхем на МОП-транзисторах/Олег Дворников, Виталий Гришков, Тимофей Натаров // Электронные компоненты, 2009. т.№8.-С.52-55, 2009. т.№9.-С.53-56
|
7.
| Колдунов А. Транзисторы MOSFET/А. Колдунов // Радиомир, 2005,N N 12.-С.24-25; Начало N 11
|
8.
| Юсупов А.Р. Особенности свойств транзистора вертикального типа на основе несопряженного полимера/А. Р. Юсупов, Р. М. Гадиев // Нанотехнологии : наука и производство, 2009. т.№3.-С.71-75
|
9.
| Сампат Шекхават Специфика применения IGBT-транзисторов в различных приложениях/Сампат Шекхават, Боб Броквэй // Электронные компоненты, 2009. т.№9.-С.49-51
|
10.
| Денисенко В. В. Перестройка параметров табличных моделей субмикронных МОП-транзисторов/В. В. Денисенко // Микроэлектроника, 2010,N N 5.-С.378-191
|
11.
| Клюжев К.С. Новые материалы в полупроводниковой технике/К. С. Клюжев ; науч. рук. Н. Г. Крашенинникова // Научному прогрессу - творчество молодых. -Йошкар-Ола:МарГТУ, 2008,N Ч. 1.-С.143-144
|
12.
| Павлов Е. П. Выбор экспериментальных методов обработки точностных параметров больших гибридных интегральных микросхем./Е. П. Павлов , А. В. Черных , И. А. Кузнецова // Социальные, естественные и технические системы в современном мире: состояние, противоречия, развитие. Восемнадцатые Вавиловские чтения . -Йошкар-Ола:ПГТУ, 2015,N Ч. 2.-С.330-331
|
13.
| Сергеев А.В. Особенности эксплуатации преобразователя частоты/А. В. Сергеев ; науч. рук. В. Н. Соколова // Творчество студентов- экономике России. -Йошкар-Ола:МарГТУ, 2006.-С.96
|
14.
| Соломин А.Г. Графеновые наноструктуры/А. Г. Соломин ; науч. рук. В. Л. Фоминых // Научному прогрессу - творчество молодых. -Йошкар-Ола:ПГТУ, 2012,N Ч. 1.-С.186-187
|
15.
| Маркелов Е. Преимущества биполярных транзисторов перед полевыми/Евгений Маркелов // Электронные компоненты, 2010,N N 11.-С.74-75
|
16.
| Страйдорм Д. Как максимально расширить диапазон рабочих параметров силовых GAN-транзисторов/Джохан Страйдорм // Электронные компоненты, 2010,N N 9.-С.59-63
|
17.
| Смирнова Е. С. Модели и проходные вольт-амперные характеристики транзисторов/Е. С. Смирнова, А. Ю. Чернышев // Человек, общество, природа в эпоху глобальных трансформаций: безопасность и развитие. Семнадцатые Вавиловские чтения. -Йошкар-Ола:ПГТУ, 2014,N Ч. 2.-С.384-385
|
18.
| Чубаркина К. А. Транзистор из нанотрубки/К. А. Чубаркина, Н. А. Забродина // Человек, общество, природа в эпоху глобальных трансформаций: безопасность и развитие. Семнадцатые Вавиловские чтения. -Йошкар-Ола:ПГТУ, 2014,N Ч. 2.-С.389
|
19.
| Чеботков С. Новые мощные полевые транзисторы/С. Чеботков // Радиомир, 2001,N N 8.-С.39-40
|
20.
| Белоусов О. Прибор для проверки транзисторов/Белоусов О. // Радиолюбитель, 2001,N N4..-С.32
|
21.
| Отечественные аналоги зарубежных транзисторов // Радиомир, 2001,N N 10.-С.46. - Продолжение. Нач. в N 9
|
22.
| Отечественные аналоги зарубежных транзисторов // Радиомир, 2001,N N 9.-С.43
|
23.
| Тимофеев М. Полевые транзисторы фирмы STMicroelectronics/Тимофеев М. // CHIP NEWS, 2001,N N 2.-С.16-17
|
24.
| Артеменко В. Барьерные генераторы ВЧ/Артеменко В. // Радиолюбитель, 2001,N N6..-С.33
|
25.
| Казмерчук В. Полевые транзисторы КП523А...Г/В. Казмерчук // Радиомир, 2005,N N 8.-С.45
|
26.
| Сергеева Л. Высоковольтные транзисторы КТ8228А...Б/Сергеева Л., Ярошко А. // Радиолюбитель, 2000,N N11.-С..40
|
27.
| Урицкий В.Я. Фундаментальная модификация слоя затворного диоксида кремния, вызванная материальным геттерированием электрически активных центров/В.Я.Урицкий,А.П.Крылов,С.Е.Борисов // Микроэлектроника, 2000,N Т.2.-С.6.-С.466-470.-Библиогр.:12 назв.
|
28.
| Мощные полевые переключательные транзисторы фирмы INTERNATIONAL RECTIFIER // Радио, 2001,N N5..-С.45
|
29.
| Песков С. Как выбрать СВЧ-транзистор?/Песков С. // Радиолюбитель, 2001,N N2..-С.31
|
30.
| Транзисторы серий КТ520 и КТ521 // Радио, 2001,N N9..-С.47-48
|
|
|
|
Главная
Описание
Книги
Стандартный