Поисковый запрос: (<.>K=Транзисторы<.>) |
Общее количество найденных документов : 118
Показаны документы с 1 по 30 |
|
1.
| Чеботков С. Мощный МОП-транзистор КП780 А-В/Чеботков С. // Радиолюбитель, 1999,N N11.-С..41
|
2.
| Мощные низковольтные транзисторы для подвижных средств связи // Радио, 1999,N N11.-С..43-44.-Окончание.Нач.в N10.
|
3.
| Мощные низковольтные транзисторы для подвижных средств связи/В. Кожевников и [др.] // Радио, 1999,N N10.-С..45-46
|
4.
| Рогаткин Ю.Б. Интегральный цифроаналоговый преобразователь на КМОП-транзисторах/Рогаткин Ю.Б. // Микроэлектроника, 1999,N Т.2.-С.6.-С.469-472
|
5.
| Громов Д.В. Имитационное моделирование ионизационных эффектов в элементах на основе соединений А3 В5/Д.В.Громов,С.А.Полевич,П.П.Мальцев // Радиотехника и электроника, 1999,N Т.4.-С.11.-С.1367-1372
|
6.
| Старосельский В.И. Использование нелинейной обратной связи в логических элементах на полевых транзисторах с барьерным переходом/Старосельский В.И. // Радиотехника и электроника, 1999,N Т.4.-С.11.-С.1388-1392
|
7.
| Потапов Ю. Новые направления развития СВЧ - устройств/Потапов Ю. // СHIP NEWS, 1999,N N10.-С..56-63.
|
8.
| Мощные полевые транзисторы // Радиолюбитель, 1999,N N6..-С.43-44
|
9.
| Киселев В. Составной транзистор КТ8225А/Киселев В. // Радиолюбитель, 1999,N N6..-С.42
|
10.
| Ильин А. Измерение параметров транзисторов/Ильин А. // Радиолюбитель, 1999,N N6..-С.36-37
|
11.
| Ильин А. Измерение параметров транзисторов/Ильин А. // Радиолюбитель, 1999,N N7..-С.35.-Продолжение.Нач.в N6
|
12.
| Ильин А. Измерение параметров транзисторов/Ильин А. // Радиолюбитель, 1999,N N9..-С.36-37.-Окончание.Нач.в NN 6-8
|
13.
| Мощные полевые транзисторы // Радиолюбитель, 1999,N N8..-С.41.-Окончание.Нач.в N7
|
14.
| Мощные полевые транзисторы // Радиолюбитель, 1999,N N7..-С.42
|
15.
| Метод определения шумовых параметров транзисторов/А. К. Балыко и др. // Радиотехника и электроника, 2000,N Т.4.-С.8.-С.1003-1009.-Библиогр.:6 назв.
|
16.
| Чеботков С. Мощные МОП-транзисторы КП750/Чеботков С. // Радиолюбитель, 2000,N N10.-С..41
|
17.
| Урицкий В.Я. Фундаментальная модификация слоя затворного диоксида кремния, вызванная материальным геттерированием электрически активных центров/В.Я.Урицкий,А.П.Крылов,С.Е.Борисов // Микроэлектроника, 2000,N Т.2.-С.6.-С.466-470.-Библиогр.:12 назв.
|
18.
| Сергеева Л. Высоковольтные транзисторы КТ8228А...Б/Сергеева Л., Ярошко А. // Радиолюбитель, 2000,N N11.-С..40
|
19.
| Прокопенко В.Г. Коррекция частотной характеристики интегральных усилителей тока с перекрестной коллекторно-базовой связью/Прокопенко В.Г. // Микроэлектроника, 2000,N Т.2.-С.5.-С.339-342.-Библиогр.:7 назв.
|
20.
| Ракитин В.В. Симметричная биполярная структура/Ракитин В.В. // Микроэлектроника, 2000,N Т.2.-С.2.-С.99-104.-Библиогр.:6 назв.
|
21.
| Беляева С. Транзисторы КТ732А,КТ733А/Беляева С. // Радиолюбитель, 2000,N N4..-С.41
|
22.
| Киселев В. Транзисторы серии КТ8156/Киселев В. // Радио, 2000,N N8..-С.51.-Окончание.Нач.в N7
|
23.
| Киселев В. Транзисторы серии КТ8156/Киселев В. // Радио, 2000,N N7..-С.52-53
|
24.
| Шерстюк В. Транзисторные ключи для устройств силовой электроники - IGBT, MOSFET, а может быть биполярный транзистор?/Шерстюк В. // Электронные компоненты, 2001,N N4..-С.62.-Окончание.Нач.в NN2-3
|
25.
| Отечественные аналоги зарубежных транзисторов // Радиомир, 2001,N N 11.-С.46. - Окончание. Нач. в N 9-10
|
26.
| Шерстюк В. Транзисторные ключи для устройств силовой электроники. IGBT, MOSFET, а может быть, биполярный транзистор?/Шерстюк В. // Электронные компоненты, 2001,N N2..-С.62-65
|
27.
| Шерстюк В. Транзисторные ключи для устройств силовой электроники - IGBT, MOSFET, а может быть биполярный транзистор?/Шерстюк В. // Электронные компоненты, 2001,N N3..-С.47-51.-Продолжение.Нач.в N2
|
28.
| Гергель В.А. Перспектива существенного повышения крутизны и быстродействия транзисторов за счет профилирования структуры канала/Гергель В.А., Мокеров В.Г. // Микроэлектроника, 2001,N Т.3.-С.4.-С.286-287
|
29.
| Марончук И.Е. Определение толщины базы дрейфового транзистора по напряжению "прокола" базы/И.Е.Марончук,А.Н.Фролов,С.В.Шутов // Известия вузов. Приборостроение, 2001,N Т.4.-С.11.-С.66-70.-Библиогр.:5 назв.
|
30.
| Фролов А.Н. Оценка толщины базы дрейфового n-p-n транзистора по коэффициенту усиления/А.Н.Фролов,С.В.Шутов,А.М.Шершень // Известия вузов. Радиоэлектроника, 2001,N Т.4.-С.12.-С.53-56.-Библиогр.:4 назв.
|
|
|
|
Главная
Описание
Книги
Стандартный