Главная Упрощенный режим Описание
Авторизация
Фамилия
Пароль
 

Базы данных


Статьи- результаты поиска

Вид поиска

Область поиска
в найденном
 Найдено в других БД:Книги (142)Полные тексты изданий ПГТУ (4)
Формат представления найденных документов:
полный информационныйкраткий
Отсортировать найденные документы по:
авторузаглавиюгоду изданиятипу документа
Поисковый запрос: (<.>K=Транзисторы<.>)
Общее количество найденных документов : 118
Показаны документы с 1 по 10
 1-10    11-20   21-30   31-40   41-50   51-60      
1.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания : 621.382/П 85
Автор(ы) : Пряников В. С.,
Заглавие : Автоматизированная система отбраковки потенциально ненадежных транзисторов / В. С. Пряников
Колич.характеристики :
Коллективы : Чувашский государственный университет (Чебоксары)
Серия: Материалы и компоненты изделий электронной техники
Место публикации : Наукоемкие технологии. - Т. 18, № 8. - ISSN 1999-8465. - ISSN 1999-8465
Примечания : Библиогр.: 3 назв.
УДК : 621.382
ББК : 32.852
Предметные рубрики: Радиоэлектроника
Полупроводниковые приборы
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): низкочастотные шумы--транзисторы--входной контроль--автоматизированные системы--малошумящие усилители--радиоэлектронные системы
Аннотация: Предложена автоматизированная система отбраковки потенциально ненадежных транзисторов по уровню низкочастотного шума. Показано, что реализация на входном контроле этой системы значительно повышает эксплуатационную надежность радиоэлектронных систем. Особое внимание уделено разработке избирательного малошумящего усилителя.Ensuring the reliability of radio electronic equipment, especially on-board information management systems is very important. Earlier, the relationship between low-frequency noise (flicker effect) and failure of semiconductor devices was established. The technique of the input control and rejection of potentially unreliable transistors was developed. In this technique, to determine the level of rejection, statistical processing of the internal noise level in manual was required, which takes a lot of time. In this paper, we consider an automated system for rejecting potentially unreliable transistors using modern highly sensitive equipment and computer equipment. Particular attention is paid to the development of a selective low-noise amplifier. Automated system of rejection of potentially unreliable transistors is recommended to be used at the input control in the production of especially important radio electronic equipment.
Найти похожие

2.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания : 621.382.3
Автор(ы) : Шихатов А.
Заглавие : Активные фильтры на полевых транзисторах
Место публикации : Радио. - 2002. - N11. - С. .10-12.-Библиогр.:5 назв. - (Звукотехника)
УДК : 621.382.3
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): фильтры активные(на полевых транзисторах)--транзисторы полевые(в активных фильтрах)
Экземпляры :чзN2(1)
Свободны : чзN2(1)
Найти похожие

3.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания : 621.382.3
Заглавие : Аналоги отечественных транзисторов
Место публикации : Радиомир. - 2002. - N 2. - С. 44. - Окончание. Нач. в N 1. - (Справочный материал)
УДК : 621.382.3
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): транзисторы отечественные(аналоги)
Экземпляры :чзN2(1)
Свободны : чзN2(1)
Найти похожие

4.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания : 621.386.3
Заглавие : Аналоги отечественных транзисторов
Место публикации : Радиомир. - 2002. - N 1. - С. 46. - (Справочный материал)
УДК : 621.386.3
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): транзисторы отечественные(аналоги)--аналоги отечественных транзисторов
Экземпляры :чзN2(1)
Свободны : чзN2(1)
Найти похожие

5.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания : 621.3
Автор(ы) : Дмитриев Ю.
Заглавие : Априорная оценка нелинейных искажений при проектировании усилителей на биполярных транзисторах[Текст]
Место публикации : Схемотехника. - 2005. - N4. - С. 26-29. - (Искусство схемотехники)
УДК : 621.3
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): нелинейные искажения--биполярные транзисторы--усилители(проектирование)
Экземпляры :ЧЗ N2(1)
Свободны : ЧЗ N2(1)
Найти похожие

6.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания : 621.382.3
Автор(ы) : Артеменко В.
Заглавие : Барьерные генераторы ВЧ
Место публикации : Радиолюбитель. - 2001. - N6. - С. 33. - (Измерения)
УДК : 621.382.3
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): генераторы вч(барьерные)--транзисторы биполярные
Экземпляры :чзN2(1)
Свободны : чзN2(1)
Найти похожие

7.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания : 621.396.004.14
Автор(ы) : Усанов Д.А., Вениг С.Б., Орлов В.Е., Скворцов С.И.
Заглавие : Влияние внешнего СВЧ-излучения на режимы работы транзисторов в низкочастотной генераторной схеме
Место публикации : Радиотехника. - 2001. - N12. - С. .57-59.-Библиогр.:6 назв. - (Антенны, распространение радиоволн и техника СВЧ)
УДК : 621.396.004.14
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): транзисторы(влияние свч-излучения на характеристики)--свч-излучение(влияние на характеристики транзисторов)--низкочастотные генераторы на основе транзисторов(свч-воздействие)
Экземпляры :чзN2(1)
Свободны : чзN2(1)
Найти похожие

8.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания : 621.3.049.77
Автор(ы) : Борисевич К.
Заглавие : Влияние линий передачи на быстродействующие КМОП ИМС
Место публикации : Радиомир. - 2007. - N9. - С. 27-28;N10.-С.
УДК : 621.3.049.77
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): кмоп-транзисторы--кмоп-схемы--помехозащищенность электронных компонентов
Аннотация: 5 формул для расчета помех
Экземпляры :чз N2(1)
Свободны : чз N2(1)
Найти похожие

9.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания : 621.382
Автор(ы) : Сергеев В.А.
Заглавие : Влияние проникающих излучений на устойчивость токораспределения в мощных ВЧ-и СВЧ-транзисторах
Место публикации : Изв.вузов.Радиоэлектроника. - 2002. - Т.4. - С. 3.-С.55-59.-Библиогр.:8 назв.
УДК : 621.382
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): проникающие излучения--токораспределение(устойчивость)--транзисторы(вч и свч)
Экземпляры :НЧЗ(1)
Свободны : НЧЗ(1)
Найти похожие

10.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания : 621.382.3
Автор(ы) : Сбродов А.
Заглавие : Выбор силовых транзисторов для преобразователей напряжения с резонансным контуром
Место публикации : Электронные компоненты. - 2002. - N6. - С. 68-70.-Библиогр.:8 назв.
УДК : 621.382.3
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): транзисторы силовые(выбор)--силовые транзисторы(выбор)--преобразователи напряжения с резонансным контуром--резонансные преобразователи
Экземпляры :чзN2(1)
Свободны : чзN2(1)
Найти похожие

 1-10    11-20   21-30   31-40   41-50   51-60      
 
Статистика
за 12.07.2024
Число запросов 83456
Число посетителей 602
Число заказов 0
© 2006-2022 Поволжский государственный технологический университет, ФГБОУ ВО «ПГТУ».