Поисковый запрос: (<.>K=Транзисторы<.>) |
Общее количество найденных документов : 118
Показаны документы с 1 по 10 |
|
>1.
| Пряников В. С. Автоматизированная система отбраковки потенциально ненадежных транзисторов/В. С. Пряников // Наукоемкие технологии, Т. 18, № 8
|
>2.
| Масальский Н. В. Наноразмерные кремниевые полевые транзисторы для биосенсоров/Н. В. Масальский // Биомедицинская радиоэлектроника, 2020,N № 2.-С.74-79
|
>3.
| Павлов Е. П. Выбор экспериментальных методов обработки точностных параметров больших гибридных интегральных микросхем./Е. П. Павлов , А. В. Черных , И. А. Кузнецова // Социальные, естественные и технические системы в современном мире: состояние, противоречия, развитие. Восемнадцатые Вавиловские чтения . -Йошкар-Ола:ПГТУ, 2015,N Ч. 2.-С.330-331
|
>4.
| Чубаркина К. А. Транзистор из нанотрубки/К. А. Чубаркина, Н. А. Забродина // Человек, общество, природа в эпоху глобальных трансформаций: безопасность и развитие. Семнадцатые Вавиловские чтения. -Йошкар-Ола:ПГТУ, 2014,N Ч. 2.-С.389
|
>5.
| Смирнова Е. С. Модели и проходные вольт-амперные характеристики транзисторов/Е. С. Смирнова, А. Ю. Чернышев // Человек, общество, природа в эпоху глобальных трансформаций: безопасность и развитие. Семнадцатые Вавиловские чтения. -Йошкар-Ола:ПГТУ, 2014,N Ч. 2.-С.384-385
|
>6.
| Соломин А.Г. Графеновые наноструктуры/А. Г. Соломин ; науч. рук. В. Л. Фоминых // Научному прогрессу - творчество молодых. -Йошкар-Ола:ПГТУ, 2012,N Ч. 1.-С.186-187
|
>7.
| Страйдорм Д. Как максимально расширить диапазон рабочих параметров силовых GAN-транзисторов/Джохан Страйдорм // Электронные компоненты, 2010,N N 9.-С.59-63
|
>8.
| Денисенко В. В. Перестройка параметров табличных моделей субмикронных МОП-транзисторов/В. В. Денисенко // Микроэлектроника, 2010,N N 5.-С.378-191
|
>9.
| Маркелов Е. Преимущества биполярных транзисторов перед полевыми/Евгений Маркелов // Электронные компоненты, 2010,N N 11.-С.74-75
|
>10.
| Дворников Проектирование аналоговых микросхем на МОП-транзисторах/Олег Дворников, Виталий Гришков, Тимофей Натаров // Электронные компоненты, 2009. т.№8.-С.52-55, 2009. т.№9.-С.53-56
|
|
|