Поисковый запрос: (<.>K=ТРАНЗИСТОРЫ<.>) |
Общее количество найденных документов : 118
Показаны документы с 1 по 10 |
|
1. 
|
Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания : 621.382
Автор(ы) : Алексеев В.
Заглавие : Применение токового зеркала на полевых транзисторах
Место публикации : Радио. - 2009. - № 12. - С. 16-17
УДК : 621.382
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): полевые транзисторы--токовые зеркала
Аннотация: 8 схем
Экземпляры :чз№2(1)
Свободны : чз№2(1)
Найти похожие
|
2.
|
Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания : 621.375.028
Автор(ы) : Титов А.А.
Заглавие : Защита полосовых усилителей мощности от перегрузок и модуляция амплитуды мощных сигналов
Место публикации : Известия вузов. Приборостроение. - 2009. - №9. - С. 58-62
УДК : 621.375.028
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): транзисторы биполярные--модуляторы--защита от электрического разряда (микросхем)
Экземпляры :НЧЗ(1)
Свободны : НЧЗ(1)
Найти похожие
|
3.
|
Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания : 621.382.049.77
Автор(ы) : Пушкарский С. В.
Заглавие : Экспериментальные исследования воздействия радиации на ВАХ транзисторов МОП
Место публикации : Вестник Московского государственного университета леса - Лесной вестник. - 2009. - № 6. - С. 106-110
УДК : 621.382.049.77
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): моп-приборы (процессы окисла при облучении)--транзисторы полевые (воздействие излучений)
Найти похожие
|
4.
|
Вид документа : Статья из сборника (том многотомника)
Шифр издания : 62/Н 34
Автор(ы) : Мертвищева И.А., Балашова К.И.
Заглавие : От первых резисторов - к гетероструктурам. Новые полупроводниковые материалы
Место публикации : Научному прогрессу - творчество молодых: сб. материалов междунар. науч. студ. конф. по естеств.- науч. и техн. дисциплинам. 17-18 апр. 2009 г.: в 3 ч./ М-во образования и науки РФ, Федер. агентство по образованию, Гос. ком. Респ. Марий Эл по проф. образованию, МарГТУ, Центр фундам. образования ; [редкол.: Иванов В. А. и др.]. - Йошкар-Ола: МарГТУ, 2009. - Ч. 1. - С. 182-183. - 645895 кнхр
УДК : 62
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): полупроводниковые технологии--транзисторы--методы--труды маргту--гетероустройства--эпитаксия
Экземпляры :(1)
Свободны : (1)
Найти похожие
|
5.
|
Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания : 621.382
Заглавие : Методы защиты от эффекта Миллера при схемотехническом проектировании биполярных микросхем
Место публикации : Электронные компоненты. - 2009. - №10. - С. 50-53
УДК : 621.382
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): биполярные транзисторы--схемотехническое проектирование--эффект миллера--защита от электрического разряда (микросхем)
Экземпляры :чз№2(1)
Свободны : чз№2(1)
Найти похожие
|
6.
|
Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания : 621.382
Автор(ы) : Дворников, Олег, Гришков, Виталий, Натаров, Тимофей
Заглавие : Проектирование аналоговых микросхем на МОП-транзисторах
Место публикации : Электронные компоненты. - 2009. - №8. - С. 52-55.; №9. - С. 53-56
УДК : 621.382
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): сбис--проектирование сбис--система на кристалле (проектирование и изготовление)--моп-транзисторы--аналоговые микросхемы (проектирование)
Аннотация: рекомендации по проектированию аналоговых компонентов СБИС
Экземпляры :чз№2(1)
Свободны : чз№2(1)
Найти похожие
|
7.
|
Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания : 621.396.6
Автор(ы) : Колдунов А.
Заглавие : Транзисторы MOSFET
Место публикации : Радиомир. - 2005. - N 12. - С. 24-25; Начало N 11. - (Азбука схемотехники)
УДК : 621.396.6
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): транзисторы
Экземпляры :чзN2(1)
Свободны : чзN2(1)
Найти похожие
|
8.
|
Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания : 620.3
Автор(ы) : Юсупов А.Р., Гадиев Р.М.
Заглавие : Особенности свойств транзистора вертикального типа на основе несопряженного полимера
Место публикации : Нанотехнологии : наука и производство. - 2009. - №3. - С. 71-75
Примечания : Библиогр.: с. 75 (12 назв.)
УДК : 620.3
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): транзисторы полевые--тонкопленочное покрытие--вертикальный тонкопленочный транзистор
Экземпляры :НЧЗ(1)
Свободны : НЧЗ(1)
Найти похожие
|
9.
|
Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания : 621.382.049.77
Автор(ы) : Сампат Шекхават, Броквэй, Боб
Заглавие : Специфика применения IGBT-транзисторов в различных приложениях
Место публикации : Электронные компоненты. - 2009. - №9. - С. 49-51
УДК : 621.382.049.77
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): транзисторы зарубежные (отечественные аналоги)--силовая электроника (компоненты)--элементная база транзисторная (разработка)
Экземпляры :чз№2(1)
Свободны : чз№2(1)
Найти похожие
|
10.
|
Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания : 621.3 049.75
Автор(ы) : Денисенко В. В.
Заглавие : Перестройка параметров табличных моделей субмикронных МОП-транзисторов
Серия: Приборы микро- и наноэлектроники
Место публикации : Микроэлектроника. - 2010. - N 5. - С. 378-191
Примечания : Библиогр.: с. 390-391 (19 назв.)
УДК : 621.3 049.75
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): моп-транзисторы кремниевые--табличные модели--компактные модели--сбис
Аннотация: Предлагается метод перестройки параметров табличных моделей субмикронных МОП-транзисторов, использующий результаты стандартного электронного тестирования, выполняемого при мониторинге техпроцесса производства СБИС.
Найти похожие
|
|
|
|
Главная
Описание
Книги
Стандартный