Поисковый запрос: (<.>K=ТРАНЗИСТОРЫ<.>) |
Общее количество найденных документов : 118
Показаны документы с 1 по 10 |
|
>1.
| Алексеев В. Применение токового зеркала на полевых транзисторах/В. Алексеев // Радио, 2009,N № 12.-С.16-17
|
>2.
| Титов А.А. Защита полосовых усилителей мощности от перегрузок и модуляция амплитуды мощных сигналов/А. А. Титов // Известия вузов. Приборостроение, 2009. т.№9.-С.58-62
|
>3.
| Пушкарский С. В. Экспериментальные исследования воздействия радиации на ВАХ транзисторов МОП/С. В. Пушкарский // Вестник Московского государственного университета леса - Лесной вестник, 2009,N № 6.-С.106-110
|
>4.
| Мертвищева И.А. От первых резисторов - к гетероструктурам. Новые полупроводниковые материалы/И. А. Мертвищева, К. И. Балашова ; науч. рук. Н. Г. Крашенинникова // Научному прогрессу - творчество молодых. -Йошкар-Ола:МарГТУ, 2009,N Ч. 1.-С.182-183
|
>5.
| Методы защиты от эффекта Миллера при схемотехническом проектировании биполярных микросхем // Электронные компоненты, 2009. т.№10.-С.50-53
|
>6.
| Дворников Проектирование аналоговых микросхем на МОП-транзисторах/Олег Дворников, Виталий Гришков, Тимофей Натаров // Электронные компоненты, 2009. т.№8.-С.52-55, 2009. т.№9.-С.53-56
|
>7.
| Колдунов А. Транзисторы MOSFET/А. Колдунов // Радиомир, 2005,N N 12.-С.24-25; Начало N 11
|
>8.
| Юсупов А.Р. Особенности свойств транзистора вертикального типа на основе несопряженного полимера/А. Р. Юсупов, Р. М. Гадиев // Нанотехнологии : наука и производство, 2009. т.№3.-С.71-75
|
>9.
| Сампат Шекхават Специфика применения IGBT-транзисторов в различных приложениях/Сампат Шекхават, Боб Броквэй // Электронные компоненты, 2009. т.№9.-С.49-51
|
>10.
| Денисенко В. В. Перестройка параметров табличных моделей субмикронных МОП-транзисторов/В. В. Денисенко // Микроэлектроника, 2010,N N 5.-С.378-191
|
|
|