Главная Упрощенный режим Описание
Авторизация
Фамилия
Пароль
 

Базы данных


Статьи- результаты поиска

Вид поиска

Область поиска
Формат представления найденных документов:
полный информационныйкраткий
Отсортировать найденные документы по:
авторузаглавиюгоду изданиятипу документа
Поисковый запрос: (<.>K=Структуры КНИ(улучшение качества)<.>)
Общее количество найденных документов : 2
Показаны документы с 1 по 2
1.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания :
Автор(ы) : Крупкина Т.Ю.
Заглавие : Особенности приборно-технологического моделирования транзисторныхструктур КНС- и КНИ- типа[Текст]
Место публикации : Микроэлектроника. - 2005. - Т.3. - С. N6.-С.455-465.- Библиогр.: 10 назв. - (Моделирование транзисторных структур)
УДК : 621.3.049.77.001.63
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): структуры кни(улучшение качества)--материалы пленочные(использование)
Экземпляры :ЧЗ N2(1)
Свободны : ЧЗ N2(1)
Найти похожие

2.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания : 621.382
Автор(ы) : Кривелевич С.А., Маковийчук М.И., Паршин Е.О.
Заглавие : Ионный синтез структур кремний на изоляторе. Современное состояние, новые подходы и перспективы
Место публикации : Микроэлектроника. - 1999. - Т.2. - С. 5.-С.363-369.-Библиогр.:15 назв.
УДК : 621.382
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): структуры кремний на изоляторе(ионный синтез)--структуры кни(кремний на изоляторе)--структуры кни(современное состояние технологии ионного синтеза)--структуры кни(улучшение качества)
Экземпляры :чзN2(1)
Свободны : чзN2(1)
Найти похожие

 
Статистика
за 10.08.2024
Число запросов 4184
Число посетителей 130
Число заказов 0
© 2006-2022 Поволжский государственный технологический университет, ФГБОУ ВО «ПГТУ».