Главная Упрощенный режим Описание
Авторизация
Фамилия
Пароль
 

Базы данных


Статьи- результаты поиска

Вид поиска
Книги
Статьи
Полные тексты изданий ПГТУ
Периодика
Авторефераты и диссертации
Область поиска
 Найдено в других БД:Книги (1)
Формат представления найденных документов:
полный информационныйкраткий
Отсортировать найденные документы по:
авторузаглавиюгоду изданиятипу документа
Поисковый запрос: (<.>K=НАНОТРАНЗИСТОРЫ<.>)
Общее количество найденных документов : 9
Показаны документы с 1 по 9
1.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания :
Автор(ы) : Масальский Н. В. (кандидат физико-математических наук)
Заглавие : Наноразмерные кремниевые полевые транзисторы для биосенсоров
Разночтения заглавия :: Nanoscale silicon field effect transistors for biosensors
Место публикации : Биомедицинская радиоэлектроника. - 2020. - № 2. - С. 74-79: 7 рис.
Примечания : Библиогр.: с. 78 (12 назв.). - Реф. на англ. яз.
ISSN: 1560-4136
Предметные рубрики: Здравоохранение. Медицинские науки
Медицинская радиология и рентгенология
Радиоэлектроника
Радиоаппаратура
Географич. рубрики:
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): биосенсоры--вольтамперные характеристики--измерительные технологии--моделирование--наноразмерные кремниевые полевые транзисторы--нанотранзисторы--технологические процессы--типологические нормы
Аннотация: Обоснована применимость кремниевых цилиндрических полевых нанотранзисторов с полностью охватывающим затвором, выполненных на основе современного технологического процесса с типологическими нормами для разработки компактных биосенсоров.
Найти похожие
2.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания : 53:621.382.049.77
Заглавие : Самосинхронные схемы. Принципы построения и элементная база
Место публикации : Электронные компоненты. - 2009. - №9. - С. 65-67
УДК : 53:621.382.049.77
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): самосинхронные схемы--нанотранзисторы
Экземпляры :чз№2(1)
Свободны : чз№2(1)
Найти похожие
3.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания : 621.382.3
Автор(ы) : Масальский Н.В.
Заглавие : Вопросы масштабирования характеристик КМОП СБИС
Место публикации : Успехи современной радиоэлектроники. - 2009. - №7. - С. 3-27
Примечания : Библиогр.: 50 назв.
УДК : 621.382.3
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): кмоп сбис (оптимизация проектирования)--сбис--нанотранзисторы--контроль качества электроники
Экземпляры :чз№2(1)
Свободны : чз№2(1)
Найти похожие
4.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания : 621.3.049.77
Автор(ы) : Скворцов А.М.
Заглавие : Структура нанокластеров кремния в системе кремний - диоксид кремния
Место публикации : Изв. вузов. Приборостроение. - 2009. - Т.5. - С. 69-73
Примечания : Библиогр.: 20 назв.
УДК : 621.3.049.77
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): нанотранзисторы--материалы керамические (эвп)
Экземпляры :нчз(1)
Свободны : нчз(1)
Найти похожие
5.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания : 621.382
Автор(ы) : Масальский Н.В.
Заглавие : Полностью объединенные КМОП КНИ логические элементы для низковольтных применений
Место публикации : Микроэлектроника. - 2008. - Т.3. - С. 6.-С.470-478.-Библиогр.:5 назв.
УДК : 621.382
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): кмоп-схемы--тестовые структуры мдп-"кремний-на-диэлектрике"-транзистора--нанотранзисторы
Аннотация: структура кремний на изоляторе
Экземпляры :чзN2(1)
Свободны : чзN2(1)
Найти похожие
6.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания : 621.382.323
Автор(ы) : Горячев В.А.
Заглавие : Физические характеристики КНИ-транзисторов для наноэлектроники
Место публикации : Успехи современной радиоэлектроники. - 2008. - N7. - С. 54-72.-Библиогр.:84 назв.
УДК : 621.382.323
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): транзисторы--нанотранзисторы--кни-технология
Экземпляры :чз N2(1)
Свободны : чз N2(1)
Найти похожие
7.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания : 621.382.3
Автор(ы) : Крупенин В.А.
Заглавие : Зарядовый шум в одноэлектронном транзисторе из высокодопированного кремния-на-изоляторе
Место публикации : Радиотехника. - 2008. - N1. - С. 78-83.-Библиогр.:8 назв.
УДК : 621.382.3
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): наноэлектроника(создание элементной базы)--нанотранзисторы
Экземпляры :чзN2(1)
Свободны : чзN2(1)
Найти похожие
8.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания : 621.38
Автор(ы) : Щука А.А.
Заглавие : Нанотранзисторы в наноэлектронике
Место публикации : Радиотехника. - 2007. - N9. - С. 41-47.-Библиогр.:7 назв.
УДК : 621.38
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): нанотранзисторы--наноэлектроника
Экземпляры :чз N2(1)
Свободны : чз N2(1)
Найти похожие
9.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания : 621.382
Автор(ы) : Вьюрков В.В.
Заглавие : Моделирование характеристик полевого баллистического нанотранзистора в тонком кремнии на сезолторе
Место публикации : Микроэлектроника. - 2003. - №7-. - С. -С.283-293
УДК : 621.382
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): полупроводниковая электроника--математическое моделирование в электронике--нанотранзисторы--полевые транзисторы
Экземпляры :чзN2(1)
Свободны : чзN2(1)
Найти похожие
 
Стандартный
Расширенный
Профессиональный
По словарю
ГРНТИ-навигатор
УДК-навигатор
ББК-навигатор
Тематический навигатор
Статистика
за 22.07.2024
Число запросов 67685
Число посетителей 446
Число заказов 0
© 2006-2022 Поволжский государственный технологический университет, ФГБОУ ВО «ПГТУ».