Поисковый запрос: (<.>K=МИКРОЭЛЕКТРОНИКА<.>) |
Общее количество найденных документов : 307
Показаны документы с 1 по 20 |
|
1.
| Абрамов И.И. Двумерная численная модель одноэлектронного транзистора/Абрамов И.И., Новик Е.Г. // Микроэлектроника, 2000,N Т.2.-С.3.-С.197-201.-Библиогр.:12 назв.
|
2.
| Абросимов А. Особенности инфракрасной передачи данных/А.Абросимов // CHIP NEWS.Инженерная микроэлектроника, 2002,N N7.-С.38-41
|
3.
| Агаханян Т.М. Импульсные усилители с токовым выходом на мощных аналоговых интегральных микросхемах/Агаханян Т.М. // Микроэлектроника, 1999,N Т.2.-С.4.-С.244-258.-Библиогр.:7 назв.
|
4.
| Агаханян Т.М. Использование аналоговых интегральных микросхем на комплиментарных транзисторах с быстродействующим каналом в спецаппаратуре[Текст]/Т.М.Агаханян // Микроэлектроника, 2006,N Т.3.-С.N3.-С.230-234.Библиогр.: 21 назв.
|
5.
| Агаханян Т.М. Особенности импульсных усилителей на трансимпедансных интегральных операционных усилителях с резистивным делителем в цепи обратной связи/Агаханян Т.М. // Микроэлектроника, 2000,N Т.2.-С.1.-С.67-74.-Библиогр.:5 назв.
|
6.
| Агаханян Т.М. Схемотехнические способы повышения радиационной стойкости электронных усилителей на аналоговых интегральных микросхемах[Текст]/Т.М.Агаханян // Микроэлектроника, 2004,N Т.3.-С.3.-С.225-232.
|
7.
| Акулин А. Типовые ошибки при проектировании печатных плат[Текст]/А.Акунин // Производство электроники, 2006,N N2..-С.48-52.
|
8.
| Аливов Я.И. Механизм гистерезиса на вольт-яркостсной характеристике светоизлучающих МДПДМ-структур на основе ZnS:Mn/Аливов Я.И., Грузинцев А.Н. // Микроэлектроника, 2000,N Т.2.-С.3.-С.211-216.-Библиогр.:9 назв.
|
9.
| Алтухов А.А. Перспективные структуры "кремний - на - диэлектрике" КМОПИС на основе эпитаксиальных слоев Si/CaF2/Si/Алтухов А.А., Митягин А.Ю. // Микроэлектроника, 2001,N Т.3.-С.2.-С.113-118.-Библиогр.:14 назв.
|
10.
| Амиров И.И. Создание 0,5 мкм структур методом "сухой" электронолитографии и плазменных анизотропных процессов травления/Амиров И.И., Федоров В.А. // Микроэлектроника, 2000,N Т.2.-С.5.-С.353-357.-Библиогр.:14 назв.
|
11.
| Андреев Д.А. Поверхностно-барьерные диоды Шоттки на основе кремния/Д.А.Андреев,Н.С.Грушко // Микроэлектроника, 2002,N Т.3.-С.2.-С.142-146.-Библиогр.:4 назв.
|
12.
| Антимиров В.М. Повышение эффективности управляющих вычислительных систем, устойчивых к радиационному воздействию[Текст]/В.М.Антимиров // Микроэлектроника, 2006,N Т.3.-С.N3.-С.235-240.Библиогр.: 9 назв.
|
13.
| Арутюнов В.А. Приборы с зарядовой связью с компенсированным переносом зарядов/Арутюнов В.А., Сорокин О.В. // Микроэлектроника, 2000,N Т.2.-С.2.-С.113-114.-Библиогр.:5 назв.
|
14.
| Арутюнов В.А. Способ улучшения разрешающей способности ФПЗС/Арутюнов В.А., Сорокин О.В. // Микроэлектроника, 1999,N Т.2.-С.6.-С.454-456.-Библиогр.:8 назв.
|
15.
| Арутюнов В.А. Способ улучшения фотодиодной матрицы/Арутюнов В.А., Сорокин О.В. // Микроэлектроника, 2000,N Т.2.-С.5.-С.343-347.-Библиогр.:4 назв.
|
16.
| Арутюнов П.А. Атомно-силовая микроскопия в задачах проектирования приборов микро- и наноэлектроники. Часть 1./Арутюнов П.А., Толстихина А.Л. // Микроэлектроника, 1999,N Т.2.-С.6.-С.405-414.-Библиогр.:90 назв.
|
17.
| Арутюнов П.А. Атомно-силовая микроскопия в задачах проектирования приборов микро- и наноэлектроники. Часть II./Арутюнов П.А., Толстихина А.Л. // Микроэлектроника, 2000,N Т.2.-С.1.-С.13-22.-Библиогр.:53 назв.
|
18.
| Арутюнов П.А. Фрактальный анализ анализанизотропных поверхностей/Арутюнов П.А. // Микроэлектроника, 2001,N Т.3.-С.6.-С.477-480.-Библиогр.:15 назв.
|
19.
| Архипцов К.А. Себестоимость как критерий технологичности ИС и МЭА/Архипцов К.А., Михайлов Д.Е. // Электронная техника.Сер.3.Микроэлектроника, 1999,N Вып.-С.153).-С.48-52.-Библиогр.:5 назв.
|
20.
| Афанасьев И. Новые контроллеры Microchip для управления двигателями/И.Афанасьев // CHIP NEWS.Инженерная микроэлектроника, 2003,N №7.-С.54-55
|
|
|
|
Главная
Описание
Книги
Стандартный