Поисковый запрос: (<.>K=МИКРОЭЛЕКТРОНИКА<.>) |
Общее количество найденных документов : 307
Показаны документы с 1 по 10 |
|
>1.
| Крылов Е. С. Разработка инфракрасного пирометра для контроля температуры в вакуумных установках/Е. С. Крылов ; науч. рук. В. Н. Леухин // Инженерные кадры - будущее инновационной экономики России. -Йошкар-Ола:ПГТУ, 2018,N Ч. 4:Информационные технологии - основа стратегического прорыва в современной промышленности.-С.68-71
|
>2.
| Кулишова Н. Завод - его счастливая судьба/Н. Кулишова // Марийская правда, 2017,N 23 июня (№ 46).-С.12
|
>3.
| Ефимов А. С. Влияние времени экспонирования на качество рисунка при фотолитографии/А. С. Ефимов ; науч. рук.: М. В. Шарова, А. В. Мороз // Мой первый шаг в науку. -Йошкар-Ола:ПГТУ, 2016,N Ч. 1:Фундаментальные науки. Информатика. Техника.-С.135-136
|
>4.
| Васильев А. Ю. Лазерная обработка керамических и ситалловых подложек с использованием YAG- излучателей/А. Ю. Васильев // Человек, общество, природа в эпоху глобальных трансформаций: безопасность и развитие. Семнадцатые Вавиловские чтения. -Йошкар-Ола:ПГТУ, 2014,N Ч. 2.-С.305-306
|
>5.
| Бадуртдинова Г.М. О потенциале информационных технологий в строительстве/Г. М. Бадуртдинова ; науч. рук. Г. М. Пурынычева // Техника в современном научном дискурсе. -Йошкар-Ола:ПГТУ , 2013.-С.107-109
|
>6.
| Соломин А.Г. Графеновые наноструктуры/А. Г. Соломин ; науч. рук. В. Л. Фоминых // Научному прогрессу - творчество молодых. -Йошкар-Ола:ПГТУ, 2012,N Ч. 1.-С.186-187
|
>7.
| Денисенко В. В. Перестройка параметров табличных моделей субмикронных МОП-транзисторов/В. В. Денисенко // Микроэлектроника, 2010,N N 5.-С.378-191
|
>8.
| Смирнов А. А. Влияние добавок Ar и Heна параметры и состав плазмы/А. А. Смирнов, А. М. Ефремов, В. И. Светцов // Микроэлектроника, 2010,N N 5.-С.392-400
|
>9.
| Васильев А. Возможные направления использования нано- и микроэлектроники/А. Васильев // Наноиндустрия, 2010,N N 4.-С.20-22
|
>10.
| Электронно-зондовая неразрушающая бесконтактная диагностика приборных структур микроэлектроники // Микроэлектроника, 2010,N Т. 39, N 5.-С.327-336
|
|
|