Главная Упрощенный режим Описание
Авторизация
Фамилия
Пароль
 

Базы данных


Статьи- результаты поиска

Вид поиска

Область поиска
в найденном
 Найдено в других БД:Книги (17)
Формат представления найденных документов:
полныйинформационный краткий
Отсортировать найденные документы по:
авторузаглавиюгоду изданиятипу документа
Поисковый запрос: (<.>K=Кремний<.>)
Общее количество найденных документов : 18
Показаны документы с 1 по 10
 1-10    11-18 
1.

Кривелевич С.А. Ионный синтез структур кремний на изоляторе. Современное состояние, новые подходы и перспективы/С.А.Кривелевич,М.И.Маковийчук,Е.О.Паршин // Микроэлектроника, 1999,N Т.2.-С.5.-С.363-369.-Библиогр.:15 назв.
2.

Высокоскоростной метод осаждения аморфного кремния/Б.Г.Будагян,А.А.Шершенков,А.Е.Бердников,В.Д.Черномордик В.Д. // Микроэлектроника, 2000,N Т.2.-С.6.-С.442-448.-Библиогр.:11 назв.
3.

Адонин А. Новые возможности технологии БИС со структурой "кремний на сапфире"/Адонин А. // Электронные компоненты, 2000,N N3..-С.45-51
4.

Ясаманов Н.А. Элитный кремний и солнечная энергетика/Ясаманов Н.А. // Энергия, 2000,N N11.-С..29-35
5.

Данилюк А.Л. Очистка и подлегирование кремния в плазме BF3 при изготовлении омических контактов/Данилюк А.Л., Снитовский Ю.П. // Микроэлектроника, 2001,N Т.3.-С.4.-С.305-311.-Библиогр.:29 назв.
6.

Алтухов А.А. Перспективные структуры "кремний - на - диэлектрике" КМОПИС на основе эпитаксиальных слоев Si/CaF2/Si/Алтухов А.А., Митягин А.Ю. // Микроэлектроника, 2001,N Т.3.-С.2.-С.113-118.-Библиогр.:14 назв.
7.

Снитовский Ю.П. Реконструкция поверхности кремния при очистке и ее влияние на переходное сопротивление контактов Al/ Mo-Si и параметры биполярных СВЧ-транзисторов[Текст]/Ю.П.Снитовский // Микроэлектроника, 2004,N Т.3.-С.№5.-С.366-371.-Библиогр.: с.370-371.
8.

Панфилов Б.А. Электронные замки на основе смешанной системы счисления, реализованной с помощью резистивной матрицы памяти на базе полярнозависимого электромассопереноса в кремний[Текст]/Б.А.Панфилов, М.А.Черепнев, Ю.Б.Панфилов // Радиотехника и электроника, 2005,N Т.5.-С.N12.-С.1523-1527.
9.

Ковалев Ф.И. Новые полупроводниковые материалы для силовых приборов/Ф.И.Ковалев, Ю.А.Евсеев // Электротехника, 2006,N N10.-С..7-8.
10.

Магаршак Ю. Интрига развития: углерод и кремний/Ю. Магаршак // Экология и жизнь, 2007,N N5..-С.С.46- 47.
 1-10    11-18 
 
Статистика
за 07.07.2024
Число запросов 91874
Число посетителей 794
Число заказов 0
© 2006-2022 Поволжский государственный технологический университет, ФГБОУ ВО «ПГТУ».