Поисковый запрос: (<.>K=КРЕМНИЙ<.>) |
Общее количество найденных документов : 18
Показаны документы с 1 по 10 |
|
1. 
|
Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания : 621.38
Автор(ы) : Адонин А.
Заглавие : Новые возможности технологии БИС со структурой "кремний на сапфире"
Место публикации : Электронные компоненты. - 2000. - N3. - С. 45-51
УДК : 621.38
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): "кремний на сапфире"(структура)--микроэлектронное производство бис--бис
Аннотация: Новые технологии, БИС со структурой "кремний на сапфире"
Экземпляры :чзN2(1)
Свободны : чзN2(1)
Найти похожие
|
2.
|
Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания : 621.317.733.011.4
Автор(ы) : Алтухов А.А., Митягин А.Ю.
Заглавие : Перспективные структуры "кремний - на - диэлектрике" КМОПИС на основе эпитаксиальных слоев Si/CaF2/Si
Место публикации : Микроэлектроника. - 2001. - Т.3. - С. 2.-С.113-118.-Библиогр.:14 назв.
УДК : 621.317.733.011.4
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): технология"кремний-на-диэлектрике"(кмопис)--молекулярно-лучевой эпитаксии метод--гетероструктуры si-caf2-si(использование)--тестовые структуры мдп-"кремний-на-диэлектрике"-транзистора
Экземпляры :чзN2(1)
Свободны : чзN2(1)
Найти похожие
|
3.
|
Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания : 621.382
Автор(ы) : Будагян Б.Г., Шерченков А.А., Бердников А.Е., Черномордик В.Д.
Заглавие : Высокоскоростной метод осаждения аморфного кремния
Место публикации : Микроэлектроника. - 2000. - Т.2. - С. 6.-С.442-448.-Библиогр.:11 назв.
УДК : 621.382
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): аморфный кремний(осаждение)--пленки аморфного кремния(свойства)--гетероструктуры(изготовление)--высокоскоростного осаждения a-si метод
Экземпляры :чзN2(1)
Свободны : чзN2(1)
Найти похожие
|
4.
|
Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания : 691.002
Автор(ы) : Горковенко М. Ю., Орлова А. М.
Заглавие : Получение наночастиц диоксидов кремния и титана в полиэтиленовой матрице
Место публикации : Строительные материалы, оборудование, технологии ХХI века. - 2011. - № 1. - С. 46-47. - чз № 2
УДК : 691.002
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): нанотехнологии--титан--кремний--нанокомпозиты строительные--полиэтиленовая матрица--таблицы
Найти похожие
|
5.
|
Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания : 621.382.3
Автор(ы) : Данилюк А.Л., Снитовский Ю.П.
Заглавие : Очистка и подлегирование кремния в плазме BF3 при изготовлении омических контактов
Место публикации : Микроэлектроника. - 2001. - Т.3. - С. 4.-С.305-311.-Библиогр.:29 назв.
УДК : 621.382.3
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): кремний(очистка,подлегирование)--омические контакты(изготовление)--контакты омические высоконадежные невыпрямляющие--пленки молибдена(нанесение)--катодного распыления метод(нанесения пленок)--полупроводника и диэлектрика контакт
Экземпляры :чзN2(1)
Свободны : чзN2(1)
Найти похожие
|
6.
|
Вид документа : Статья из сборника (том многотомника)
Шифр издания : 62/Н 34
Автор(ы) : Заруба А.Г., Камаев В.А.
Заглавие : Расчет пластин из композиционных материалов
Место публикации : Научному прогрессу - творчество молодых: сб. материалов междунар. науч. студ. конф. по естественно- науч. и техн. дисциплинам 18-19 апр. 2008 г.: в 3 ч./ М-во образования и науки РФ, Федер. агентство по образованию, Гос. ком. Респ. Марий Эл по проф. образованию, МарГТУ ; [редкол.: Иванов В. А. и др.]. - Йошкар-Ола: МарГТУ, 2008. - Ч. 3. - С. 177. - 645900 кнхр
УДК : 62
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): композиционные материалы--углеродные композиционные материалы--углеродные волокна--кремний--критерии прочности--борные волокна--пластины--изотропные материалы--труды маргту
Экземпляры :645900 кнхр(1)
Свободны : 645900 кнхр(1)
Найти похожие
|
7.
|
Вид документа : Статья из сборника (том многотомника)
Шифр издания : 62/Н 34
Автор(ы) : Клюжев К.С.
Заглавие : Новые материалы в полупроводниковой технике
Место публикации : Научному прогрессу - творчество молодых: сб. материалов Междунар. науч. студен. конф. по естественно- науч. и техн. дисциплинам, 18-19 апр. 2008 г. : в 3 ч./ М-во образования и науки РФ, Федер. агентство по образованию, Гос. ком. Респ. Марий Эл по проф. образованию, МарГТУ ; [редкол.: Иванов В. А. и др.]. - Йошкар-Ола: МарГТУ, 2008. - Ч. 1. - С. 143-144. - (Прикладная и экологическая химия). - 645898 кнхр
УДК : 62
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): труды маргту--новые материалы--полупроводниковая техника--гетеротранзисторы--системы спутниковой связи--транзисторы--германий--кремний
Найти похожие
|
8.
|
Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания : 621.382
Автор(ы) : Ковалев Ф.И., Евсеев Ю.А.
Заглавие : Новые полупроводниковые материалы для силовых приборов
Место публикации : Электротехника. - 2006. - N10. - С. .7-8.
УДК : 621.382
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): монокристаллы(для радиопромышленности)--кремниевая технология(развитие)
Аннотация: Монокристаллический кремний
Экземпляры :НЧЗ(1)
Свободны : НЧЗ(1)
Найти похожие
|
9.
|
Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания : 621.382
Автор(ы) : Кривелевич С.А., Маковийчук М.И., Паршин Е.О.
Заглавие : Ионный синтез структур кремний на изоляторе. Современное состояние, новые подходы и перспективы
Место публикации : Микроэлектроника. - 1999. - Т.2. - С. 5.-С.363-369.-Библиогр.:15 назв.
УДК : 621.382
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): структуры кремний на изоляторе(ионный синтез)--структуры кни(кремний на изоляторе)--структуры кни(современное состояние технологии ионного синтеза)--структуры кни(улучшение качества)
Экземпляры :чзN2(1)
Свободны : чзN2(1)
Найти похожие
|
10.
|
Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания : 504
Автор(ы) : Магаршак Ю.
Заглавие : Интрига развития: углерод и кремний
Место публикации : Экология и жизнь. - 2007. - N5. - С. С.46- 47.
УДК : 504
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): углерод--кремний--человек(значение углерода)--электронная аппаратура(применение кремния)
Экземпляры :чзN1(1)
Свободны : чзN1(1)
Найти похожие
|
|
|
|
Главная
Описание
Книги
Стандартный