Поисковый запрос: (<.>K=КРЕМНИЙ<.>) |
Общее количество найденных документов : 18
Показаны документы с 1 по 10 |
|
1. 
|
Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания : 621.382.3
Автор(ы) : Данилюк А.Л., Снитовский Ю.П.
Заглавие : Очистка и подлегирование кремния в плазме BF3 при изготовлении омических контактов
Место публикации : Микроэлектроника. - 2001. - Т.3. - С. 4.-С.305-311.-Библиогр.:29 назв.
УДК : 621.382.3
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): кремний(очистка,подлегирование)--омические контакты(изготовление)--контакты омические высоконадежные невыпрямляющие--пленки молибдена(нанесение)--катодного распыления метод(нанесения пленок)--полупроводника и диэлектрика контакт
Экземпляры :чзN2(1)
Свободны : чзN2(1)
Найти похожие
|
2.
|
Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания : 621.317.733.011.4
Автор(ы) : Алтухов А.А., Митягин А.Ю.
Заглавие : Перспективные структуры "кремний - на - диэлектрике" КМОПИС на основе эпитаксиальных слоев Si/CaF2/Si
Место публикации : Микроэлектроника. - 2001. - Т.3. - С. 2.-С.113-118.-Библиогр.:14 назв.
УДК : 621.317.733.011.4
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): технология"кремний-на-диэлектрике"(кмопис)--молекулярно-лучевой эпитаксии метод--гетероструктуры si-caf2-si(использование)--тестовые структуры мдп-"кремний-на-диэлектрике"-транзистора
Экземпляры :чзN2(1)
Свободны : чзN2(1)
Найти похожие
|
3.
|
Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания : 681.3.067.05
Автор(ы) : Панфилов Б.А., Черепнев М.А., Панфилов Ю.Б.
Заглавие : Электронные замки на основе смешанной системы счисления, реализованной с помощью резистивной матрицы памяти на базе полярнозависимого электромассопереноса в кремний[Текст]
Место публикации : Радиотехника и электроника. - 2005. - Т.5. - С. N12.-С.1523-1527. - (Новые радиоэлектронные системы и элементы)
УДК : 681.3.067.05
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): электронный кодовый замок--замок кодовый--кодовый замок электронный
Экземпляры :ЧЗ N2(1)
Свободны : ЧЗ N2(1)
Найти похожие
|
4.
|
Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания : 621.382.3.019.3
Автор(ы) : Снитовский Ю.П.
Заглавие : Реконструкция поверхности кремния при очистке и ее влияние на переходное сопротивление контактов Al/ Mo-Si и параметры биполярных СВЧ-транзисторов[Текст]
Место публикации : Микроэлектроника. - 2004. - Т.3. - С. №5.-С.366-371.-Библиогр.: с.370-371. - (Приборы микро- и наноэлектроники)
УДК : 621.382.3.019.3
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): свч-транзисторы(выбор)--кремний(очистка,подлегирование)
Экземпляры :чз№2(1)
Свободны : чз№2(1)
Найти похожие
|
5.
|
Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания : 621.382
Автор(ы) : Будагян Б.Г., Шерченков А.А., Бердников А.Е., Черномордик В.Д.
Заглавие : Высокоскоростной метод осаждения аморфного кремния
Место публикации : Микроэлектроника. - 2000. - Т.2. - С. 6.-С.442-448.-Библиогр.:11 назв.
УДК : 621.382
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): аморфный кремний(осаждение)--пленки аморфного кремния(свойства)--гетероструктуры(изготовление)--высокоскоростного осаждения a-si метод
Экземпляры :чзN2(1)
Свободны : чзN2(1)
Найти похожие
|
6.
|
Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания : 504
Автор(ы) : Магаршак Ю.
Заглавие : Интрига развития: углерод и кремний
Место публикации : Экология и жизнь. - 2007. - N5. - С. С.46- 47.
УДК : 504
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): углерод--кремний--человек(значение углерода)--электронная аппаратура(применение кремния)
Экземпляры :чзN1(1)
Свободны : чзN1(1)
Найти похожие
|
7.
|
Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания : 502
Автор(ы) : Ясаманов Н.А.
Заглавие : Элитный кремний и солнечная энергетика
Место публикации : Энергия. - 2000. - N11. - С. .29-35
УДК : 502
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): энергетика(солнечная)--солнечная энергетика--солнечные батареи--монокристаллы
Экземпляры :чзN1(1)
Свободны : чзN1(1)
Найти похожие
|
8.
|
Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания : 621.38
Автор(ы) : Адонин А.
Заглавие : Новые возможности технологии БИС со структурой "кремний на сапфире"
Место публикации : Электронные компоненты. - 2000. - N3. - С. 45-51
УДК : 621.38
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): "кремний на сапфире"(структура)--микроэлектронное производство бис--бис
Аннотация: Новые технологии, БИС со структурой "кремний на сапфире"
Экземпляры :чзN2(1)
Свободны : чзN2(1)
Найти похожие
|
9.
|
Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания : 621.382
Автор(ы) : Кривелевич С.А., Маковийчук М.И., Паршин Е.О.
Заглавие : Ионный синтез структур кремний на изоляторе. Современное состояние, новые подходы и перспективы
Место публикации : Микроэлектроника. - 1999. - Т.2. - С. 5.-С.363-369.-Библиогр.:15 назв.
УДК : 621.382
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): структуры кремний на изоляторе(ионный синтез)--структуры кни(кремний на изоляторе)--структуры кни(современное состояние технологии ионного синтеза)--структуры кни(улучшение качества)
Экземпляры :чзN2(1)
Свободны : чзN2(1)
Найти похожие
|
10.
|
Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания : 621.3.049.77
Автор(ы) : Скворцов А.М.
Заглавие : Структура нанокластеров кремния в системе кремний - диоксид кремния
Место публикации : Изв. вузов. Приборостроение. - 2009. - Т.5. - С. 69-73
Примечания : Библиогр.: 20 назв.
УДК : 621.3.049.77
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): нанотранзисторы--материалы керамические (эвп)
Экземпляры :нчз(1)
Свободны : нчз(1)
Найти похожие
|
|
|
|
Главная
Описание
Книги
Стандартный