Поисковый запрос: (<.>K=Биполярные транзисторы<.>) |
Общее количество найденных документов : 10
Показаны документы с 1 по 10 |
1.
| Маркелов Е. Преимущества биполярных транзисторов перед полевыми/Евгений Маркелов // Электронные компоненты, 2010,N N 11.-С.74-75
|
2.
| Методы защиты от эффекта Миллера при схемотехническом проектировании биполярных микросхем // Электронные компоненты, 2009. т.№10.-С.50-53
|
3.
| Снитовский Ю.П. Новая технология изготовления мощного биполярного СВЧ транзистора. Физическое моделирование/Ю.П.Снитовский,В.В.Нелаев,В.А.Ефремов // Микроэлектроника, 2007,N Т.3.-С.6.-С.465-471.-Библиогр.:13 назв.
|
4.
| Дмитриев Ю. Априорная оценка нелинейных искажений при проектировании усилителей на биполярных транзисторах[Текст]/Ю.Дмитриев // Схемотехника, 2005,N N4..-С.26-29
|
5.
| Флоренцев С. Силовые IGBT-модули-основа современного преобразовательного оборудования/С.Флоренцев // Электронные компоненты, 2002,N N6..-С.11-17.-Библиогр.:5 назв.
|
6.
| Сергеев В.А. Эффект оттеснения эмиттерного тока при лавинном умножении в коллекторном p-n-переходе/В. А. Сергеев // Микроэлектроника, 2001,N Т.3.-С.4.-С.298-301.-Библиогр.:8 назв.
|
7.
| Шерстюк В. Транзисторные ключи для устройств силовой электроники - IGBT, MOSFET, а может быть биполярный транзистор?/Шерстюк В. // Электронные компоненты, 2001,N N4..-С.62.-Окончание.Нач.в NN2-3
|
8.
| Шерстюк В. Транзисторные ключи для устройств силовой электроники. IGBT, MOSFET, а может быть, биполярный транзистор?/Шерстюк В. // Электронные компоненты, 2001,N N2..-С.62-65
|
9.
| Основы схемотехники. Биполярные транзисторы // Радиолюбительская схемотехника, 2006,N N 2.-С.4-5,N N 3.-С.14-15
|
10.
| Дьяконов В. Лавинные транзисторы и их применение/В.Дьяконов // Схемотехника, 2006,N N8..-С.2-5.-Библиогр.: 14назв; N7.-С.2-5.
|
|
|
Главная
Описание
Книги
Стандартный