Главная Упрощенный режим Описание
Авторизация
Фамилия
Пароль
 

Базы данных


Статьи- результаты поиска

Вид поиска

Область поиска
 Найдено в других БД:Книги (1)
Формат представления найденных документов:
полный информационныйкраткий
Отсортировать найденные документы по:
авторузаглавиюгоду изданиятипу документа
Поисковый запрос: (<.>A=Орликовский, А. А.$<.>)
Общее количество найденных документов : 9
Показаны документы с 1 по 9
1.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания : 621.382.002
Автор(ы) : Барышев Ю.П., Москалев И.Н., Кориткин И.П., Орликовский А.А., Прокофьев А.О.
Заглавие : Диагностика плазмы геликоного источника с помощью открытого СВЧ-резонатора
Место публикации : Микроэлектроника. - 2002. - Т.3. - С. 4.-С.286-291.-Библиогр.:3 назв. - (Диагностика)
УДК : 621.382.002
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): диагностика плазмы--геликоновый источник--свч-резонатор--микроэлектроника(технологии)
Экземпляры :чзN2(1)
Свободны : чзN2(1)
Найти похожие

2.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания : 621.3.049.77
Автор(ы) : Васильев А.Г., Орликовский А.А., Родатис В.В., Хорин И.А.
Заглавие : Контактные TiSi2 и барьерные TiN слои для многоуровневой металлизации УБИС
Место публикации : Микроэлектроника. - 2002. - Т.3. - С. 1.-С.9-15.-Библиогр.:8 назв. - (Технологические процессы)
УДК : 621.3.049.77
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): многоуровневая металлизация убис--тонкие пленки ис(формирование)--интегральные схемы(многоуровневые,металлизация)--технологические процессы в микроэлектронике--процессы технологические(в микроэлектронике)
Экземпляры :чзN2(1)
Свободны : чзN2(1)
Найти похожие

3.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания : 621.382
Автор(ы) : Орликовский А.А., Руденко К.В., Суханов Я.И.
Заглавие : Диагностика in situ плазменных технологических процессов микроэлектроники : современное состояние и ближайшие перспективы
Место публикации : Микроэлектроника. - 2001. - Т.3. - С. 6.-С.403-433.-Библиогр.:62 назв.
УДК : 621.382
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): микроэлектроника(управление плазмохимическими процессами)--плазмохимические процессы микроэлектроники(управление)--диагностика плазмы,поверхности пластин(микроэлектроника)--диагностика in situ--контроллеры автоматического управления(моделирование,архитектура)
Экземпляры :чзN2(1)
Свободны : чзN2(1)
Найти похожие

4.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания : 621.382
Автор(ы) : Орликовский А.А., Руденко К.В.
Заглавие : Диагностика in situ плазменных технологических процессов микроэлектроники : современное состояние и ближайшие перспективы. Часть III
Место публикации : Микроэлектроника. - 2001. - Т.3. - С. 5.-С.323-344.-Библиогр.:44 назв.
УДК : 621.382
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): микроэлектроника(технологические процессы,диагностика in situ)--диагностика in situ(микроэлектроника)--технологические процессы(микроэлектроника)--зондирование поверхности структур(микроэлектроника)--микроструктуры--интерферометрия--эллипсометрия(одноволновая спектральная)--термодиагностика пластины
Экземпляры :чзN2(1)
Свободны : чзN2(1)
Найти похожие

5.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания : 621.382
Автор(ы) : Аверкин С.Н., Валиев К.А., Наумов В.А., Калинин А.В., Кривоспицкий А.Д., Орликовский А.А., Рылов А.А.
Заглавие : Некоторые применения микроволнового источника плотной плазмы в субмикронной технологии кремниевых интегральных схем
Место публикации : Микроэлектроника. - 2001. - Т.3. - С. 3.-С.183-188.-Библиогр.:14 назв.
УДК : 621.382
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): субмикронная технология кремниевых интегральных схем--интегральные схемы кремниевые(субмикронная технология)--микроволновой источник плотной плазмы(применение)--охлаждение тонких слоев sio2--заполнение субмикронных канавок--субмикронные канавки(заполнение)--тонкие слои sio2(охлаждение)--локальная планаризация поверхности ис--травление глубоких"тренчей"в диэлектрике--диэлектрик(травление"тренчей")
Экземпляры :чзN2(1)
Свободны : чзN2(1)
Найти похожие

6.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания : 621.382
Автор(ы) : Орликовский А.А., Руденко К.В., Суханов Я.Н.
Заглавие : Диагностика in situ плазменных технологических процессов микроэлектроники : современное состояние и ближайшие перспективы. Часть II
Место публикации : Микроэлектроника. - 2001. - Т.3. - С. 3.-С.163-182.-Библиогр.:29 назв.
УДК : 621.382
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): микроэлектроника(мониторинг плазмохимических процессов)--плазмохимические процессы микроэлектроники(мониторинг)--масс-спектрометрия ионов--свч-диагностика(плазмы)
Экземпляры :чзN2(1)
Свободны : чзN2(1)
Найти похожие

7.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания : 621.382
Автор(ы) : Орликовский А.А., Руденко К.В.
Заглавие : Диагностика in situ плазменных технологических процессов микроэлектроники : современное состояние и ближайшие перспективы. Часть 1.
Место публикации : Микроэлектроника. - 2001. - Т.3. - С. 2.-С.85-105.-Библиогр.:26 назв.
УДК : 621.382
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): микроэлектронная технология(мониторинг процессов in situ)--плазменные технологические процессы(диагностика in situ)--спектральные диагностические методы(в микроэлектронике)--масс-спектрометрия in situ--зондовые методы диагностики(процессов травления)--свч-диагностика плазмы--термометрия поверхности
Экземпляры :чзN2(1)
Свободны : чзN2(1)
Найти похожие

8.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания : 621.382
Автор(ы) : Орликовский А.А.
Заглавие : Плазменные процессы в микро- и наноэлектронике. Часть 1.Реактивное ионное травление
Место публикации : Микроэлектроника. - 1999. - Т.2. - С. 5.-С.344-362.-Библиогр.:14 назв.
УДК : 621.382
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): кремниевая технология(развитие)--интегральные схемы ультрабольшие(тенденции развития технологии)--микроэлектроника субмикронная(применение плазмы в новых технологиях)--травление реактивное(мониторинг)--эффект апертурный--травление в плазме(обзор дефектов)
Экземпляры :чзN2(1)
Свободны : чзN2(1)
Найти похожие

9.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания : 621.382
Автор(ы) : Аверкин С.Н., Валиев К.А., Кошкин В.В., Орликовский А.А., Руденко К.В., Сусанов Я.Н.
Заглавие : Микроволновый широкоапертурный источник плотной плазмы
Место публикации : Микроэлектроника. - 1999. - Т.2. - С. 6.-С.427-433.-Библиогр.:6 назв.
УДК : 621.382
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): источник плотной плазмы(микроволновый,конструкция)
Экземпляры :чзN2(1)
Свободны : чзN2(1)
Найти похожие

 
Статистика
за 02.08.2024
Число запросов 65946
Число посетителей 515
Число заказов 0
© 2006-2022 Поволжский государственный технологический университет, ФГБОУ ВО «ПГТУ».