Главная Упрощенный режим Описание
Авторизация
Фамилия
Пароль
 

Базы данных


Статьи- результаты поиска

Вид поиска
Книги
Статьи
Полные тексты изданий ПГТУ
Периодика
Авторефераты и диссертации
Область поиска
Формат представления найденных документов:
полный информационныйкраткий
Отсортировать найденные документы по:
авторузаглавиюгоду изданиятипу документа
Поисковый запрос: (<.>A=Бибилашвили, А. П.$<.>)
Общее количество найденных документов : 2
Показаны документы с 1 по 2
1.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания : 621.03.049.77
Автор(ы) : Бибилашвили А.П., Вепхвадзе М.Т., Герасимов А.Б.
Заглавие : Влияние условий плазменного анодирования арсенида галлия на свойства их собственных оксидов
Место публикации : Микроэлектроника. - 2000. - Т.2. - С. 2.-С.127-135.-Библиогр.:14 назв.
УДК : 621.03.049.77
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): полупроводниковые приборы на gaas(оптимизация технологических процессов)--арсенид галлия(использование при изготовлении имс)--арсенид галлия(анодирование плазменное)
Экземпляры :чзN2(1)
Свободны : чзN2(1)
Найти похожие
2.

Вид документа : Статья из журнала
Шифр издания : 621.382.22.022
Автор(ы) : Бибилашвили А.П., Герасимов А.Б., Самадашвили З.Д., Чопозов Л.Г.
Заглавие : Исследование контакта барьера Шоттки-GaAs на основе сплавов Ti-Ge
Место публикации : Микроэлектроника. - 2000. - Т.2. - С. 2.-С.122-126.-Библиогр.:8 назв.
УДК : 621.382.22.022
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): приборы электронные(на основе барьера шоттки)--шоттки барьер--производство ис(на gaas)
Экземпляры :чзN2(1)
Свободны : чзN2(1)
Найти похожие
 
Стандартный
Расширенный
Профессиональный
По словарю
ГРНТИ-навигатор
УДК-навигатор
ББК-навигатор
Тематический навигатор
Статистика
за 04.07.2024
Число запросов 93601
Число посетителей 813
Число заказов 0
© 2006-2022 Поволжский государственный технологический университет, ФГБОУ ВО «ПГТУ».