Главная Упрощенный режим Описание
Авторизация
Фамилия
Пароль
 

Базы данных


Книги- результаты поиска

Вид поиска

Область поиска
Формат представления найденных документов:
полныйинформационныйкраткий
Поисковый запрос: (<.>A=Акчурин, Р. Х.$<.>)
Общее количество найденных документов : 1
1.
621.382 + 621.315
А 44


    Акчурин, Р. Х.
    МОС-гидридная эпитаксия в технологии материалов фотоники и электроники [Электронный ресурс] / Р. Х. Акчурин, А. А. Мармалюк. - Москва : Техносфера, 2018. - 488 с. - ISBN 978-5-94836-521-3 : Б. ц.
УДК
ББК 31.2

Кл.слова (ненормированные):
эбс лань
Аннотация: В книге рассмотрены теоретические и практические аспекты МОС-гидридной эпитаксии (МОСГЭ) - одного из наиболее гибких и производительных современных методов получения полупроводниковых структур. Кратко изложены физико-химические основы метода, приведено описание высокопроизводительного технологического оборудования для реализации МОСГЭ и методов контроля роста эпитаксиальных слоев in situ, затронуты вопросы моделирования процессов. Практические аспекты реализации метода подробно рассмотрены на примере формирования эпитаксиальных структур полупроводников AIirBV, AirBVI и твердых растворов на их основе - основных материалов современной оптоэлектроники и ИК-техники. Значительное внимание уделено формированию наноразмерных эпитаксиальных структур и гетероструктур на основе нитридов элементов III группы, технология которых получила стремительное развитие в последние годы. Рассмотрены вопросы адаптации метода МОСГЭ к получению ряда новых материалов электронной техники. Книга предназначена специалистам в области технологии полупроводниковых материалов, может быть полезна аспирантам и студентам соответствующих специальностей.
Перейти к внешнему ресурсу ЭБС Лань. Доступ до 31.08.2024

Доп.точки доступа:
Мармалюк, А. А.


Найти похожие

 
Статистика
за 08.07.2024
Число запросов 91845
Число посетителей 1257
Число заказов 0
© 2006-2022 Поволжский государственный технологический университет, ФГБОУ ВО «ПГТУ».