Информационно-библиотечный центр Поволжского государственного технологического университета

Главная

Упрощенный режим

Описание

Базы данных

Книги- результаты поиска

Вид поиска

Книги

Статьи

Полные тексты изданий ПГТУ

Периодика

Авторефераты и диссертации

Область поиска

Формат представления найденных документов:
полный	информационный	краткий

Отсортировать найденные документы по:
автору	заглавию	году издания	типу документа

Поисковый запрос: (<.>U=32.85я73<.>)

Общее количество найденных документов : 2
Показаны документы с 1 по 2

Вид документа : Однотомное издание
Шифр издания : 32.85я73/Д 72 яяя (другие формы)
Автор(ы) : Дракин А. Ю., Зотин В. Ф., Потапов Л. А.,
Заглавие : Контроль параметров аналоговых микросхем, силовых диодов и транзисторов / А. Ю. Дракин, В. Ф. Зотин, Л. А. Потапов . -2-е изд., стер.
Выходные данные : Санкт-Петербург: Лань, 2021
Колич.характеристики :284 с.
ISBN, Цена 978-5-8114-8773-8: Б.ц.
УДК : 32.85я73
ББК : 621.3.049.77
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): аналоговые микросхемы--силовые диоды--транзисторы--тестер--эбс лань
Аннотация: В монографии на основе анализа технической и патентной литературы и результатов исследований авторов за последние двадцать лет рассмотрены методы контроля, программы испытаний, конструкции устройств (тестеров) для контроля параметров аналоговых микросхем, силовых диодов и транзисторов, приведены описания отечественных и зарубежных тестеров. Монография предназначена для инженерно-технических работников предприятий электронной и радиоэлектронной промышленности, также может быть полезна студентам, обучающимся по направлениям «Радиотехника», «Инфокоммуникационные технологии и системы связи», «Конструирование и технология электронных средств», «Электроника и наноэлектроника», «Электроэнергетика и электротехника» (уровень магистратура), аспирантам направлений «Электроника, радиотехника и системы связи», «Электро- и теплотехника».
Перейти к внешнему ресурсу ЭБС Лань. Доступ до 31.08.2024
Найти похожие

Вид документа : Однотомное издание
Шифр издания : 32.85я73/И 87 яяя (другие формы)
Автор(ы) : Исмаилов Т. А., Гаджиев Х. М.,
Заглавие : Полупроводниковые термоэлектрические энергоэффективные устройства / Т. А. Исмаилов, Х. М. Гаджиев . -2-е изд., стер.
Выходные данные : Санкт-Петербург: Лань, 2021
Колич.характеристики :124 с.
ISBN, Цена 978-5-8114-8775-2: Б.ц.
УДК : 32.85я73
ББК : 621.315.592
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): полупроводниковые устройства--микроэлектронные устройства--микроэлектроника--термоэлектрическое приборостроение--криотронные устройства--эбс лань
Аннотация: В монографии изложены основные принципы построения и анализ работы термоэлектрических полупроводниковых устройств и интенсификаторов теплопередачи, а также изложены основные принципы применения светоизлучающих полупроводниковых p-n-переходов, отводящих энергию в окружающее пространство в виде электромагнитного излучения. Новый тип термоэлектрических полупроводниковых приборов обладает большим быстродействием, энергоэффективностью, мощностью и надежностью за счет уменьшения доли паразитных тепловыделений, снижения величины резистивного сопротивления и рекуперации части электромагнитного излучения. Перспективным направлением является достижение глубокого охлаждения до уровня абсолютного нуля по Кельвину с целью создания сверхпроводящих криотронных микроэлектронных устройств. Для инженеров и научных сотрудников, занимающихся проблемой охлаждения компонентов микроэлектронной аппаратуры, а также для специалистов, занимающихся термоэлектрическим приборостроением. Монография может быть полезной для студентов вузов направлений подготовки бакалавриата и магистратуры «Электроника и наноэлектроника», «Приборостроение» и аспирантов направлений подготовки «Электро- и теплотехника», «Электроника, радиотехника и системы связи», «Фотоника, приборостроение, оптические и биотехнические системы и технологии».
Перейти к внешнему ресурсу ЭБС Лань. Доступ до 31.08.2024
Найти похожие

Тематический навигатор

Статистика за 08.07.2024
Число запросов	26294
Число посетителей	665
Число заказов	0