Информационно-библиотечный центр Поволжского государственного технологического университета

Главная

Упрощенный режим

Описание

Базы данных

Книги- результаты поиска

Вид поиска

Книги

Статьи

Полные тексты изданий ПГТУ

Периодика

Авторефераты и диссертации

Область поиска

в найденном

Найдено в других БД:

Статьи (10)

Полные тексты изданий ПГТУ (2)

Формат представления найденных документов:
полный	информационный	краткий

Отсортировать найденные документы по:
автору	заглавию	году издания	типу документа

Поисковый запрос: (<.>K=биполярные транзисторы<.>)

Общее количество найденных документов : 33
Показаны документы с 1 по 10

1-10 11-20 21-30 31-33

Вид документа : Однотомное издание
Шифр издания : 6П2.151/R 83
Автор(ы) : Roulston, David J.
Заглавие : Bipolar semiconductor devices : study guide
Выходные данные : New York: McGraw-Hill Publishing company, 1990
Колич.характеристики :422 с.: il.
Серия: McGraw-Hill series in electrical engineering
ISBN, Цена 0-07-054120-5: 150.00, 150.00, р.
ГРНТИ : 47.03.05
УДК : 6П2.151
Предметные рубрики: Полупроводниковые приборы
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): учебные издания--полупроводниковое материаловедение--полупроводниковые приборы--диоды--биполярные транзисторы
Экземпляры :НЧЗ(1)
Свободны : НЧЗ(1)
Найти похожие

Вид документа : Однотомное издание
Шифр издания :
Автор(ы) : Смирнов Ю. А., Соколов С. В., Титов Е. В.,
Заглавие : Физические основы электроники / Ю. А. Смирнов, С. В. Соколов, Е. В. Титов . -2-е изд., испр.
Выходные данные : Санкт-Петербург: Лань, 2022
Колич.характеристики :560 с.
ISBN, Цена 978-5-8114-1369-0: Б.ц.
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): p-n-переходы--биполярные транзисторы--диод--диэлектрические пленки--избирательные усилители--металлические пленки--микросхема интегральная--микроэлектроника--микроэлектронные структуры--операционные усилители--пленка диэлектрическая--пленка металлическая--пленочные структуры--полупроводники--полупроводниковая электроника--полупроводниковые диоды--полупроводниковые приборы--полупроводниковые резисторы--полупроводниковые структуры--полупроводниковые структуры пленочные структуры--пособия для бакалавров--пособия для магистров--приборы полупроводниковые--процесс кинетический--резистор--система тонкопленочная--структура микроэлектронная--структуры пленочные--структуры полупроводниковые--техника--тиристор--тиристоры--тонкие пленки--транзистор--транзисторные каскады--транзисторные усилители--униполярные транзисторы--усилители мощности--усилители напряжения--усилители постоянного тока--усилитель операционный--усилительные каскады--учебные пособия--физика полупроводников--физические методы электроники--физические основы электроники--электроника--электроника (основы)--электроника полупроводниковая--электронно-дырочные переходы--электрофизика--эмиссия туннельная--эффект туннельный--эбс лань
Аннотация: В книге изложены историческая справка физики становления и развития полупроводниковой электроники, физические основы полупроводниковых и пленочных структур, физические основы построения элементной базы приборов и устройств на ее основе, их упрощенного математического анализа. Пособие содержит контрольные вопросы, задачи с решениями и рекомендуемую литературу для углубленного изучения материала. Предназначено для подготовки бакалавров, магистров и специалистов направлений: «Электроэнергетика и электротехника», «Электроника и наноэлектроника», «Радиотехника», «Информационные технологии и системы связи», «Конструирование технологии и микросистемная техника».
Перейти к внешнему ресурсу ЭБС Лань. Доступ до 31.08.2024
Найти похожие

Вид документа : Однотомное издание
Шифр издания :
Автор(ы) : Попов В. Д., Белова Г. Ф.,
Заглавие : Физические основы проектирования кремниевых цифровых интегральных микросхем в монолитном и гибридном исполнении / В. Д. Попов, Г. Ф. Белова
Выходные данные : Санкт-Петербург: Лань, 2022
Колич.характеристики :208 с.
ISBN, Цена 978-5-8114-1375-1: Б.ц.
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): n-p-n-транзистор--биполярные имс--биполярные ис--биполярные транзисторы--гибридные интегральные микросхемы--диод шоттки--диффузионные резисторы--дорожка токоведущая--изолирующие подложки--имс--интегральные микросхемы--интегральные микросхемы имс--ис на моп-транзисторах--кмоп микросхемы--конденсатор пленочный--конденсаторы имс--кремниевые цифровые интегральные микросхемы--кремниевые цифровые ис--микросхемы интегральные (цифровые)--микроэлектроника (основы)--микроэлектроника (проектирование)--микроэлектронные схемы интегральные цифровые - проектирование--монолитные интегральные схемы--моп-транзисторы--надежность ис--пинч-резистор--пинч-резисторы--полупроводники--проектирование (микроэлектроника)--проектирование кремниевых ис--проектирование цифровых микросхем--радиационная стойкость имс--радиационная стойкость ис--резистор диффузионный--резисторы имс--твердотельные имс--токоведущие дорожки--транзистор биполярный--учебное пособие--шоттки диод--электроника--эмиттеры--эбс лань
Аннотация: В учебном пособии изложены физические аспекты проектирования цифровых кремниевых микросхем в твердотельном и гибридном исполнении. Рассмотрены вопросы проектирования МОП- и биполярных транзисторов и диодов, а также пассивных элементов (резисторов, конденсаторов, проводников и контактных узлов). Подробно изложены вопросы проектирования элементов гибридных микросхем. Много внимания уделено проектированию МОП- и КМОП-интегральных микросхем, так как в настоящее время именно эти ИМС занимают ведущие позиции в производстве микросхем в целом. Особенностью данного учебного пособия является описание методов повышения надежности и радиационной стойкости ИМС, поскольку микросхемы широко используются в экстремальных условиях. Учебное пособие предназначено для преподавателей, аспирантов и студентов, специализирующихся в области микроэлектроники, электроники, электронных измерительных систем, а также для специалистов, интересующихся повышением надежности и радиационной стойкости ИМС.
Перейти к внешнему ресурсу ЭБС Лань. Доступ до 31.08.2024
Найти похожие

Вид документа : Однотомное издание
Шифр издания :
Автор(ы) : Игнатов А. Н.,
Заглавие : Микросхемотехника и наноэлектроника / А. Н. Игнатов
Выходные данные : Санкт-Петербург: Лань, 2022
Колич.характеристики :528 с.
Примечания : Рекомендовано УМО по образованию в области телекоммуникаций в качестве учебного пособия для студентов высших учебных заведений, обучающихся по направлению подготовки дипломированных специалистов 210400 — «Телекоммуникации».
ISBN, Цена 978-5-8114-1161-0: Б.ц.
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): учебные издания--наноэлектроника--микросхемотехника--наноэлектронные приборы--микроэлектроника--ам--аналоговые устройства--ацп--барьер--биполярные транзисторы--биполярный--генератор--генераторы--генераторы микроэлектронные--гриф умо--дешифратор--дешифраторы--диод--диод наноэлектронный--имс--имс высоких степеней интеграции--интегральная--интегральные микросхемы--квантовые компьютеры--ключ--код--коммутатор--коммутаторы--компаратор--компьютер квантовый--корректоры частотных характеристик--кристалл--кристалл система--кубит--кэш--кэш-память--лазер наноэлектронный--литография--микропроцессор--микросхема--микроэлектромеханические системы--микроэлектронные генераторы--микроэлектронные ключи--микроэлектронные коммутаторы--микроэлектронные корректоры частотных характеристик--микроэлектронные преобразователи сигналов--микроэлектронные приборы--микроэлектронные регуляторы--микроэлектронные регуляторы уровней--микроэлектронные фильтры--моп--мура закон--мэмс--нанодиоды--наноматериал органический--наноматериалы--нанотехнология в электронике--нанотранзисторы--нанотрубка--нанотрубки--наночастица--наночастицы--наноэлектромеханические системы--наноэлектроники--наноэлектронные системы--низкоразмерные объекты--нэмс--оглавление--одноэлектроника--пав--память--переключатель молекулярный--полевой--полевые транзисторы--полупроводниковые приборы--полупроводниковые электронные приборы--преобразователи кодов--преобразователи сигналов--преобразователь--радиосигнал прием устройство--радиотехника--регистр--регистры--регуляторы--регуляторы уровней--рекомендовано умо--свч--связь канал квантовый--спинтроника--сумматор--сумматоры--схемотехника--технология планарная--технология полупроводниковая--транзистор--транзисторы--триггер--триггеры--усилители--усилитель--учебник и пособие *--учебные пособия--фильтр--фильтр цифровой--фильтры--фильтры микроэлектронные--флэш--флэш-память--фотоприемник--фотоприемник наноэлектронный--цифровые интегральные микросхемы--цифровые интегральные схемы--цифровые ключи--цифровые системы--цифровые устройства--чм--шифратор--шифраторы--шоттки--электроника--электронные приборы--электронные регуляторы--элементы цифровых устройств--эпитаксия молекулярно-лучевая--эбс лань
Аннотация: Изложены физические основы полупроводниковых электронных приборов. Рассмотрены основные типы радиокомпонентов, элементы и узлы аналоговых и цифровых микроэлектронных устройств и систем, интегральные схемы высоких степеней интеграции. Показана целесообразность и возможности перехода от классической электроники к наноэлектронике. Проанализированы физические и технологические основы наноэлектроники, особенности наноэлектронных транзисторов, фотоприемников и лазеров, приборов на основе углеродных нанотрубок. Издание предназначено для бакалавров по направлениям подготовки «Электроника и наноэлектроника» и «Радиотехника». Также может быть полезно инженерно-техническим работникам, занимающимся проектированием и эксплуатацией электронной аппаратуры с использованием микроэлектронной и наноэлектронной элементных баз.
Перейти к внешнему ресурсу ЭБС Лань. Доступ до 31.08.2024
Найти похожие

Вид документа : Однотомное издание
Шифр издания :
Автор(ы) : Пасынков В. В., Чиркин Л. К.,
Заглавие : Полупроводниковые приборы / В. В. Пасынков, Л. К. Чиркин . -9-е изд.
Выходные данные : Санкт-Петербург: Лань, 2022
Колич.характеристики :480 с.
ISBN, Цена 978-5-8114-0368-4: Б.ц.
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): для магистров--для бакалавров--элементы интегральных микросхем--полупроводниковые приборы--учебные издания--физические процессы--аморфные полупроводники--биполярные транзисторы--болометр--варикап--варисторы--выпрямитель селеновый--гальваномагнитные приборы--гетеропереход--диод характеристика--диоды--диоды полупроводниковые--допущено мо рф--интегральные микросхемы--контактные явления--лазер--микроэлектроника--оптоэлектронные полупроводниковые приборы--оптоэлектронные приборы--позистор--полевые транзисторы--полупроводники--полупроводниковые диоды--приборы с зарядовой связью--пробой лавинный--пробой тепловой--пробой туннельный--стабилитрон--стабистор--терморезисторы--термоэлектрические устройства--тиристоры--транзисторы--транзисторы биполярные--транзисторы полевые--учебные пособия--физика--физика полупроводников--физика полупроводников -- контактные явления -- полупроводниковые диоды -- биполярные транзисторы -- тиристоры -- полевые транзисторы -- приборы с зарядовой связью -- интегральные микросхемы -- оптоэлектронные полупроводниковые приборы -- терморезисторы -- варисторы -- термоэлектрические генераторы -- преобразователи холла--фотодиод--фоторезистор--холла преобразователь--шотки диод--электроника--электроника и микроэлектроника--эбс лань
Аннотация: Доп.Мин.обр.РФ для студентов ВУЗов, обучающихся по направлению подготовки бакалавров и магистров "Электроника и микроэлектроника" и по направлению подготовки дипломированных специалистов "Электроника и микроэлектроника". В книге рассмотрены физические процессы в полупроводниковых приборах и элементах интегральных микросхем, их основные свойства, характеристики и параметры, конструктивно-технологические особенности полупроводниковых приборов в интегральном исполнении и общие принципы микроэлектроники. Книга предназначена для студентов, обучающихся по образовательным программам подготовки бакалавров, магистров и дипломированных специалистов по направлению "Электроника и микроэлектроника".
Перейти к внешнему ресурсу ЭБС Лань. Доступ до 31.08.2024
Найти похожие

Вид документа : Однотомное издание
Шифр издания :
Автор(ы) : Ефимов И. Е., Козырь И. Я.,
Заглавие : Основы микроэлектроники / И. Е. Ефимов, И. Я. Козырь . -3-е изд.
Выходные данные : Санкт-Петербург: Лань, 2022
Колич.характеристики :384 с.
ISBN, Цена 978-5-8114-0866-5: Б.ц.
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): учебник--интегральные микросхемы--микросхемотехника--микроэлектроника--акустоэлектроника--биополярные транзисторы--биоэлектроника--биполярные транзисторы--биполярный--бис--большие интегральные микросхемы--большие интегральные системы--большие интегральные схемы--герметизация--гибридная--гибридные интегральные микросхемы--диод--диоды--диэлектрическая--диэлектрическая электроника--изоляция--имс--интегральная--интегральные микросхемы качество надежность применение--интегральные схемы--качество--конденсатор--конденсаторы--мдп--мдп-транзисторы--межслойный--микропроцессор--микропроцессоры--микросхема--микросхемы для аппаратуры связи--миниатюризация--надежность--оптоэлектроника--основы--пленка--полупроводники--полупроводниковая--полупроводниковые интегральные микросхемы--полупроводниковые интегральные системы--полупроводниковые интегральные схемы--полупроводниковые конденсаторы--полупроводниковые резисторы--развитие--развитие микроэлектроники--резистор--резисторы--сборка--создание интегральных микросхем--схемотехника--тонкая--транзистор--транзисторы--учебник и пособие--учебники--учебники для вузов--функциональная--функциональная микроэлектроника--хемотроника--электроника--электронная аппаратура--электротехника--эбс лань
Аннотация: В учебнике изложены основные направления развития микроэлектроники: рассмотрены физические основы, конструкция, технология, структурные элементы и аспекты проектирования интегральных микросхем (ИМС) и больших интегральных схем (БИС). Рассмотрены отдельные технологические процессы, схемотехнические решения, машинные методы проектирования и изготовления изделий микроэлектроники. Учебник предназначен для студентов технических вузов и университетов, изучающих микроэлектронику.
Перейти к внешнему ресурсу ЭБС Лань. Доступ до 31.08.2024
Найти похожие

Вид документа : Однотомное издание
Шифр издания : 6П2.151/А 23
Автор(ы) : Агаханян, Татевос Мамиконович
Заглавие : Основы транзисторной электроники : научное издание
Выходные данные : Москва: Энергия, 1974
Колич.характеристики :256 с.: ил.
Цена : 1.08, 1.08, р.
ГРНТИ : 47.09.99
УДК : 621.385 + 6П2.151
Предметные рубрики: Электроника-- Микроэлектроника-- Интегральные микросхемы
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): электрофизические свойства полупроводнов--электронные процессы в полупроводниковых кристаллах--электронно-дырочный переход--биполярные транзисторы--параметры биполярных транзисторов--полевые транзисторы
Экземпляры : всего : кнхр(2)
Свободны : кнхр(2)
Найти похожие

Вид документа : Однотомное издание
Шифр издания : 6Ф2.12/Н 30
Автор(ы) : Нарышкин А. К.
Заглавие : Противошумовые коррекции в транзисторных усилителях : научное издание
Выходные данные : Москва: Связь, 1974
Колич.характеристики :143 с.: ил., рис., табл.; 20 см
Примечания : Библиогр.: с. 135-141
Цена : 0.36, 0.36, р.
ГРНТИ : 47.41.33
УДК : 621.375:621.391
Предметные рубрики: Радиотехника-- Усилители
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): радиотехническая аппаратура--противошумовые коррекции--транзисторные усилители--полевые транзисторы--биполярные транзисторы
Аннотация: Излагаются методы инженерного расчета противошумовых коррекций в усилителях на биполярных и полевых транзисторах. Дается краткое описание усилительных и шумовых свойств транзисторов.
Экземпляры : всего : аб(1), кнхр(1)
Свободны : аб(1), кнхр(1)
Найти похожие

Вид документа : Продолжающееся издание
Шифр издания : 6Ф2.1-08/М 59
Автор(ы) :
Заглавие : Микроэлектроника и полупроводниковые приборы: сборник статей/ отв. ред.: А. А. Васенков, Я. А. Федотов. Вып. 3
Выходные данные : Москва: Сов. радио, 1978
Колич.характеристики :288 с.: рис., табл.
Серия:
Цена : 1.10, 1.10, р.
ГРНТИ : 47
УДК : 621.385-181 + 621.385.1
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): приборы с зарядовой связью--пзс--математические модели--машинное проектирование бис--полупроводниковые зу--мощные высоковольтные транзисторы--приборы тепловой печати--дискретные приборы--биполярные транзисторы--моп-транзисторы--диоды ганна--варакторы--интегральные схемы--оже-спектроскопия--электронная техника--микроэлектронная аппаратура--полупроводниковые приборы--микросхемы
Экземпляры : всего : аб(1), кнхр(1)
Свободны : аб(1), кнхр(1)
Найти похожие

10.

Вид документа : Продолжающееся издание
Шифр издания : 6Ф2.1-08/М 59
Автор(ы) :
Заглавие : Микроэлектроника: сборник статей/ отв. ред. Ф. В. Лукин. Вып. 4
Выходные данные : Москва: Сов. радио, 1971
Колич.характеристики :392 с.: рис., табл.
Серия:
Цена : 1.27, 1.27, р.
ГРНТИ : 47.03.05
УДК : 621.385-181
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): полупроводниковые интегральные схемы--биполярные транзисторы--мдп-транзисторы--оптоэлектронные элементы--расчет интегральных схем--криоэлектроника--эффект ганна--полупроводниковые материалы--микроминиатюризация--математическое моделирование
Экземпляры : всего : аб(1), кнхр(1)
Свободны : аб(1), кнхр(1)
Найти похожие

1-10 11-20 21-30 31-33

Тематический навигатор

Статистика за 26.06.2024
Число запросов	45246
Число посетителей	949
Число заказов	0