Информационно-библиотечный центр Поволжского государственного технологического университета

Главная

Упрощенный режим

Описание

Базы данных

Книги- результаты поиска

Вид поиска

Книги

Статьи

Полные тексты изданий ПГТУ

Периодика

Авторефераты и диссертации

Область поиска

в найденном

Найдено в других БД:

Статьи (307)

Полные тексты изданий ПГТУ (9)

Авторефераты и диссертации (2)

Формат представления найденных документов:
полный	информационный	краткий

Отсортировать найденные документы по:
автору	заглавию	году издания	типу документа

Поисковый запрос: (<.>K=Микроэлектроника<.>)

Общее количество найденных документов : 164
Показаны документы с 1 по 10

1-10 11-20 21-30 31-40 41-50 51-60

Вид документа : Многотомное издание
Шифр издания : 621.382/М 80
Автор(ы) : Мороз, Андрей Викторович
Заглавие : Физические основы микроэлектроники: лабораторный практикум по дисциплине "Физические основы электроники"/ А. В. Мороз, В. Е. Филимонов ; Министерство науки и высшего образования Российской Федерации, ФГБОУ ВО "Поволжский государственный технологический университет". Часть 1: Исследование параметров полупроводников
Выходные данные : Йошкар-Ола: ПГТУ, 2024
Колич.характеристики :59 с.: ил., табл.
Примечания : Библиогр.: с. 59 (7 назв.)
ISBN, Цена 978-5-8158-2268-9: 139.60, 139.60, р.
ГРНТИ : 47.03.05
УДК : 621.382(076)
ББК : 32.844.1я73
Предметные рубрики: Микроэлектроника
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): практикумы--лабораторные работы--микроэлектроника--физические основы микроэлектроники--полупроводники--исследование полупроводников с помощью эффекта холла--исследование полупроводников с помощью термо-эдс
Экземпляры : всего : чз№2(2)
Свободны : чз№2(2)
Перейти к внешнему ресурсу Физические основы микроэлектроники;Часть 1
Найти похожие

Вид документа : Однотомное издание
Шифр издания : 53/О-75
Заглавие : Основы физики твердого тела и микроэлектроники : Метод. указания по выполнению курсовой и практ. работ для студентов спец. 200800 и 220500
Выходные данные : Йошкар-Ола: МарГТУ, 1998
Колич.характеристики :26 c.
Цена : 2.56 р.
ГРНТИ : 29.19
УДК : 539.2(07) + 621.382.049.77(07)
Предметные рубрики: МарГТУ-- Издания
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): физика твердого тела--микроэлектроника--курсовые проекты студентов
Экземпляры :кнхр(1)
Свободны : кнхр(1)
Найти похожие

Вид документа : Однотомное издание
Шифр издания : 621.38/Ф 53
Автор(ы) : Филимонов, Виталий Евгеньевич, Мороз, Андрей Викторович
Заглавие : Рентгенофлуоресцентный анализ : учебное пособие : для студентов направлений подготовки 11.03.04 "Электроника и наноэлектроника"
Выходные данные : Йошкар-Ола: ПГТУ, 2023
Колич.характеристики :67 с.: рис., табл.
Примечания : Библиогр.: с. 67 (7 назв.)
ISBN, Цена 978-5-8158-2327-3: 151.25 р.
ГРНТИ : 29.01
УДК : 621.386(075.8) + 621.38(075.8)
ББК : 22.344я73
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): учебные пособия--тонкопленочные покрытия--магнетроны--рентгенофлуоресцентные спектрометры--рентгеновское излучение--х-мет 5100--наноэлектроника--микроэлектроника--11.03.04
Экземпляры : всего : абунл(5)
Свободны : абунл(5)
Перейти к внешнему ресурсу Рентгенофлуоресцентный анализ.
Найти похожие

Вид документа : Однотомное издание
Шифр издания :
Автор(ы) : Епифанов Г. И.,
Заглавие : Физика твердого тела / Г. И. Епифанов . -4-е изд., стер.
Выходные данные : Санкт-Петербург: Лань, 2022
Колич.характеристики :288 с.
ISBN, Цена 978-5-8114-1001-9: Б.ц.
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): физика твердого тела--статистическая физика--пособия для вузов--антиферромагнетизм--ван-дер-ваальса силы--видемана-франца-лоренца закон--внутренняя структура твердых тел--водородная--водородная связь--гальваномагнитные явления--ганна--гука закон--двойникование--двойникование механическое--дефект--деформация--диамагнетизм--дислокации--дислокация--диэлектрик--диэлектрики--дырка--дырки (физика)--закон гука--зебека эффект--зеебека--зеебека эффект--зонная--зонная теория--интегральная электроника--ионная--ионная связь--квантовая--квантовая электроника--ковалентная--ковалентная связь--колебание--колебания решетки--контакт--контактные явления--кристалл--кристаллическая--кристаллические решетки--люминесценция--люминисценция--магнетик--магнитное поле--магнитные свойства--магнитный--магнитный резонанс--макроскопические системы--металлическая--механика квантовая (основы)--механические свойства--микроэлектроника--нормальные колебания решетки--отталкивание--парамагнетизм--парамангнетизм--пельтье--пельтье эффект--полиморфизм--полупроводник--полупроводники--примесный--проводник--проводники--прочность--прочность твердых тел--резонанс--релаксация--решетка--решетка колебание--решетка кристаллическая--сверхпроводимость--связь--связь водородная--силы связи--система макроскопическая--собственные полупроводники--спектр энергетический--статика квантовая (основы)--статика твердого тела (основы)--твердое тело (контактные явления)--твердое тело (свойства)--твердое тело (структура)--твердые тела--тело твердое прочность--теория--тепловые свойства--теплоемкость--теплоемкость твердого тела--теплопроводность--теплопроводность твердых тел--термоэлектрические явления--течение пластическое--томпсона эффект--томсон--томсона эффект--упрочнение--упругая деформация--уровень энергетический--усреднение статическое--учебник и пособие--учебные пособия--ферми положение--ферми уровень--ферримагнетизм--феррит--ферриты--ферромагнетизм--физика твердого тела (основы)--физическая статистика--фонон--фононы--фотон--фотопроводимость--хрупкая--электрон--электроника--электроника интегральная--электроника квантовая--электроны--электропроводность--электропроводнось твердых тел--эффект--эффект ганна--эффект зеебека--эффект томсона--эффективная масса электрона--явление гальваномагнитное--явление термоэлектрическое--эбс лань
Аннотация: В книге в доступной форме изложены основы физики твердого тела, включающие описание внутренней структуры твердых тел, механических, тепловых, электрических и магнитных свойств твердых тел, контактных, термоэлектрических и гальваномагнитных явлений в них. Приведены необходимые сведения по физической статистике. Учебное пособие предназначено для студентов вузов, обучающихся по физическим и техническим направлениям подготовки и специальностям. Книга также может быть полезной для широкого круга инженерно-технических работников.
Перейти к внешнему ресурсу ЭБС Лань. Доступ до 31.08.2024
Найти похожие

Вид документа : Однотомное издание
Шифр издания : 544.77.022.822(07/Ш 59-354661873 яяя (другие формы)
Автор(ы) : Шилова О. А.,
Заглавие : Золь-гель технология микро- и нанокомпозитов / О. А. Шилова
Выходные данные : Санкт-Петербург: Лань, 2022
Колич.характеристики :304 с.
Примечания : Рекомендовано УМО вузов РФ по образованию в области радиотехники, электроники, биомедицинской техники и автоматизации в качестве учебного пособия для студентов вузов, обучающихся по направлениям подготовки 210100 — «Электроника и наноэлектроника» и 222900 — «Нанотехнологии и микросистемная техника»
ISBN, Цена 978-5-8114-1417-8: Б.ц.
УДК : 544.77.022.822(075.8)
ББК : 24.2я73
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): агрегат фрактальный--гибридные органо-неорганические материалы--гриф умо--золь-гель нанокомпозиты--золь-гель синтез--золь-гель технологии--золь-гель технология (нанокомпозиты)--золь-гель технология нанокомпозитов--золь-гель технология оксидных наноматериалов--инженерно-технические науки--коллоидная химия--лабораторные работы--материал синтез--материаловедение (наноматериалы)--микрокомпозиты--микроматериалы--микроэлектроника покрытие--нанодиагностика--нанокомпозит--нанокомпозитные материалы--нанокомпозиты (золь-гель технология)--наноматериалы (основы)--нанообъект--нанообъекты--наноструктура сетчатая перколяционная--нанотехнологии--нанотехнологии (материалы)--нанотехнология нанокомпозиционные материалы--оглавление--органо-неорганические материалы--покрытие органо-неорганическое гибридное--покрытие стекловидное--покрытие электроизоляционное--полимерные золи--порошок поверхность модифицированная--система дисперсная--система фрактальная--теория перкуляции--теория фракталов--теплатный синтез--учебные пособия--фрактальные системы--эбс лань
Аннотация: Данное учебное пособие призвано помочь учащимся и специалистам разобраться в особенностях золь-гель синтеза и освоить основные технологические приемы. Оно соответствует ФГОС ВПО третьего поколения и может быть рекомендовано для обучения бакалавров и магистров по направлениям «Электроника и наноэлектроника» и «Нанотехнологии и микросистемная техника». Пособие может быть полезно аспирантам материаловедческих специальностей и специалистам в области жидкофазного синтеза материалов, а также может использоваться на курсах повышения квалификации специалистов, работающих в области технологии и диагностики микро- и наноматериалов.
Перейти к внешнему ресурсу ЭБС Лань. Доступ до 31.08.2024
Найти похожие

Вид документа : Однотомное издание
Шифр издания :
Автор(ы) : Смирнов Ю. А., Соколов С. В., Титов Е. В.,
Заглавие : Физические основы электроники / Ю. А. Смирнов, С. В. Соколов, Е. В. Титов . -2-е изд., испр.
Выходные данные : Санкт-Петербург: Лань, 2022
Колич.характеристики :560 с.
ISBN, Цена 978-5-8114-1369-0: Б.ц.
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): p-n-переходы--биполярные транзисторы--диод--диэлектрические пленки--избирательные усилители--металлические пленки--микросхема интегральная--микроэлектроника--микроэлектронные структуры--операционные усилители--пленка диэлектрическая--пленка металлическая--пленочные структуры--полупроводники--полупроводниковая электроника--полупроводниковые диоды--полупроводниковые приборы--полупроводниковые резисторы--полупроводниковые структуры--полупроводниковые структуры пленочные структуры--пособия для бакалавров--пособия для магистров--приборы полупроводниковые--процесс кинетический--резистор--система тонкопленочная--структура микроэлектронная--структуры пленочные--структуры полупроводниковые--техника--тиристор--тиристоры--тонкие пленки--транзистор--транзисторные каскады--транзисторные усилители--униполярные транзисторы--усилители мощности--усилители напряжения--усилители постоянного тока--усилитель операционный--усилительные каскады--учебные пособия--физика полупроводников--физические методы электроники--физические основы электроники--электроника--электроника (основы)--электроника полупроводниковая--электронно-дырочные переходы--электрофизика--эмиссия туннельная--эффект туннельный--эбс лань
Аннотация: В книге изложены историческая справка физики становления и развития полупроводниковой электроники, физические основы полупроводниковых и пленочных структур, физические основы построения элементной базы приборов и устройств на ее основе, их упрощенного математического анализа. Пособие содержит контрольные вопросы, задачи с решениями и рекомендуемую литературу для углубленного изучения материала. Предназначено для подготовки бакалавров, магистров и специалистов направлений: «Электроэнергетика и электротехника», «Электроника и наноэлектроника», «Радиотехника», «Информационные технологии и системы связи», «Конструирование технологии и микросистемная техника».
Перейти к внешнему ресурсу ЭБС Лань. Доступ до 31.08.2024
Найти похожие

Вид документа : Однотомное издание
Шифр издания :
Автор(ы) : Смирнов Ю. А., Соколов С. В., Титов Е. В.,
Заглавие : Основы нано- и функциональной электроники / Ю. А. Смирнов, С. В. Соколов, Е. В. Титов . -2-е изд., испр.
Выходные данные : Санкт-Петербург: Лань, 2022
Колич.характеристики :320 с.
ISBN, Цена 978-5-8114-1378-2: Б.ц.
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): биспин-приборы--пзс-структуры--фурье-процессоры--автоволновая электроника--акустоэлектроника--биспин - приборы--ганновские приборы--графен--графены--интерферометр--квантовые вентили--квантовые интерферометры--квантовые лазеры--квантовые ограничения--квантовые точки--квантовые эффекты--конвольверы--лазер каскадный--магнитоэлектроника функциональная--микроэлектроника--молекулярная электроника--молекулярные устройства--наноструктура--наноструктуры--нанотрубка углеродная--наноэлектроника--одноэлектронные приборы--оптоэлектроника функциональная--полевые транзисторы--полупроводниковая электроника--пособия для бакалавров--пособия для магистров--прибор квантовый--приборы акустооптики--приборы с акустическим переносом зарядов--радиоаппаратура--радиоэлектроника--структура транзисторная--точка квантовая--транзисторы--транзисторы полевые--транзисторы с резонансным туннелированием--туннелирование электронов--углеродные наноматериалы--углеродные нанотрубки--устройство нелинейное--учебные пособия--функциональная акустоэлектроника--функциональная диэлектрическая электроника--функциональная магнитоэлектроника--функциональная молекулярная электроника--функциональная оптоэлектроника--функциональная полупроводниковая электроника--функциональная электроника--функциональная электроника наноэлектроника--электрон туннелирование--электроника--электроника диэлектрическая--электроника молекулярная функциональная--электроника полупроводниковая--эбс лань
Аннотация: В книге изложены историческая справка физики становления и развития наноэлектроники, физические основы наноструктур и приборов наноэлектроники, физические и микросистемные основы построения элементной базы приборов и устройств направлений развития функциональной электроники (акустоэлектроники, диэлектрической электроники, полупроводниковой электроники, магнитоэлектроники, оптоэлектроники, молекулярной электроники). Пособие содержит контрольные вопросы, задачи с решениями и списки рекомендуемой литературы для углубленного изучения материала. Предназначено для подготовки бакалавров, магистров и специалистов направлений: «Электроэнергетика и электротехника», «Электроника и наноэлектроника», «Радиотехника», «Информационные технологии и системы связи», «Конструирование технологии и микросистемная техника».
Перейти к внешнему ресурсу ЭБС Лань. Доступ до 31.08.2024
Найти похожие

Вид документа : Однотомное издание
Шифр издания :
Автор(ы) : Попов В. Д., Белова Г. Ф.,
Заглавие : Физические основы проектирования кремниевых цифровых интегральных микросхем в монолитном и гибридном исполнении / В. Д. Попов, Г. Ф. Белова
Выходные данные : Санкт-Петербург: Лань, 2022
Колич.характеристики :208 с.
ISBN, Цена 978-5-8114-1375-1: Б.ц.
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): n-p-n-транзистор--биполярные имс--биполярные ис--биполярные транзисторы--гибридные интегральные микросхемы--диод шоттки--диффузионные резисторы--дорожка токоведущая--изолирующие подложки--имс--интегральные микросхемы--интегральные микросхемы имс--ис на моп-транзисторах--кмоп микросхемы--конденсатор пленочный--конденсаторы имс--кремниевые цифровые интегральные микросхемы--кремниевые цифровые ис--микросхемы интегральные (цифровые)--микроэлектроника (основы)--микроэлектроника (проектирование)--микроэлектронные схемы интегральные цифровые - проектирование--монолитные интегральные схемы--моп-транзисторы--надежность ис--пинч-резистор--пинч-резисторы--полупроводники--проектирование (микроэлектроника)--проектирование кремниевых ис--проектирование цифровых микросхем--радиационная стойкость имс--радиационная стойкость ис--резистор диффузионный--резисторы имс--твердотельные имс--токоведущие дорожки--транзистор биполярный--учебное пособие--шоттки диод--электроника--эмиттеры--эбс лань
Аннотация: В учебном пособии изложены физические аспекты проектирования цифровых кремниевых микросхем в твердотельном и гибридном исполнении. Рассмотрены вопросы проектирования МОП- и биполярных транзисторов и диодов, а также пассивных элементов (резисторов, конденсаторов, проводников и контактных узлов). Подробно изложены вопросы проектирования элементов гибридных микросхем. Много внимания уделено проектированию МОП- и КМОП-интегральных микросхем, так как в настоящее время именно эти ИМС занимают ведущие позиции в производстве микросхем в целом. Особенностью данного учебного пособия является описание методов повышения надежности и радиационной стойкости ИМС, поскольку микросхемы широко используются в экстремальных условиях. Учебное пособие предназначено для преподавателей, аспирантов и студентов, специализирующихся в области микроэлектроники, электроники, электронных измерительных систем, а также для специалистов, интересующихся повышением надежности и радиационной стойкости ИМС.
Перейти к внешнему ресурсу ЭБС Лань. Доступ до 31.08.2024
Найти похожие

Вид документа : Однотомное издание
Шифр издания :
Автор(ы) : Игнатов А. Н.,
Заглавие : Микросхемотехника и наноэлектроника / А. Н. Игнатов
Выходные данные : Санкт-Петербург: Лань, 2022
Колич.характеристики :528 с.
Примечания : Рекомендовано УМО по образованию в области телекоммуникаций в качестве учебного пособия для студентов высших учебных заведений, обучающихся по направлению подготовки дипломированных специалистов 210400 — «Телекоммуникации».
ISBN, Цена 978-5-8114-1161-0: Б.ц.
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): учебные издания--наноэлектроника--микросхемотехника--наноэлектронные приборы--микроэлектроника--ам--аналоговые устройства--ацп--барьер--биполярные транзисторы--биполярный--генератор--генераторы--генераторы микроэлектронные--гриф умо--дешифратор--дешифраторы--диод--диод наноэлектронный--имс--имс высоких степеней интеграции--интегральная--интегральные микросхемы--квантовые компьютеры--ключ--код--коммутатор--коммутаторы--компаратор--компьютер квантовый--корректоры частотных характеристик--кристалл--кристалл система--кубит--кэш--кэш-память--лазер наноэлектронный--литография--микропроцессор--микросхема--микроэлектромеханические системы--микроэлектронные генераторы--микроэлектронные ключи--микроэлектронные коммутаторы--микроэлектронные корректоры частотных характеристик--микроэлектронные преобразователи сигналов--микроэлектронные приборы--микроэлектронные регуляторы--микроэлектронные регуляторы уровней--микроэлектронные фильтры--моп--мура закон--мэмс--нанодиоды--наноматериал органический--наноматериалы--нанотехнология в электронике--нанотранзисторы--нанотрубка--нанотрубки--наночастица--наночастицы--наноэлектромеханические системы--наноэлектроники--наноэлектронные системы--низкоразмерные объекты--нэмс--оглавление--одноэлектроника--пав--память--переключатель молекулярный--полевой--полевые транзисторы--полупроводниковые приборы--полупроводниковые электронные приборы--преобразователи кодов--преобразователи сигналов--преобразователь--радиосигнал прием устройство--радиотехника--регистр--регистры--регуляторы--регуляторы уровней--рекомендовано умо--свч--связь канал квантовый--спинтроника--сумматор--сумматоры--схемотехника--технология планарная--технология полупроводниковая--транзистор--транзисторы--триггер--триггеры--усилители--усилитель--учебник и пособие *--учебные пособия--фильтр--фильтр цифровой--фильтры--фильтры микроэлектронные--флэш--флэш-память--фотоприемник--фотоприемник наноэлектронный--цифровые интегральные микросхемы--цифровые интегральные схемы--цифровые ключи--цифровые системы--цифровые устройства--чм--шифратор--шифраторы--шоттки--электроника--электронные приборы--электронные регуляторы--элементы цифровых устройств--эпитаксия молекулярно-лучевая--эбс лань
Аннотация: Изложены физические основы полупроводниковых электронных приборов. Рассмотрены основные типы радиокомпонентов, элементы и узлы аналоговых и цифровых микроэлектронных устройств и систем, интегральные схемы высоких степеней интеграции. Показана целесообразность и возможности перехода от классической электроники к наноэлектронике. Проанализированы физические и технологические основы наноэлектроники, особенности наноэлектронных транзисторов, фотоприемников и лазеров, приборов на основе углеродных нанотрубок. Издание предназначено для бакалавров по направлениям подготовки «Электроника и наноэлектроника» и «Радиотехника». Также может быть полезно инженерно-техническим работникам, занимающимся проектированием и эксплуатацией электронной аппаратуры с использованием микроэлектронной и наноэлектронной элементных баз.
Перейти к внешнему ресурсу ЭБС Лань. Доступ до 31.08.2024
Найти похожие

10.

Вид документа : Однотомное издание
Шифр издания :
Автор(ы) : Пасынков В. В., Чиркин Л. К.,
Заглавие : Полупроводниковые приборы / В. В. Пасынков, Л. К. Чиркин . -9-е изд.
Выходные данные : Санкт-Петербург: Лань, 2022
Колич.характеристики :480 с.
ISBN, Цена 978-5-8114-0368-4: Б.ц.
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): для магистров--для бакалавров--элементы интегральных микросхем--полупроводниковые приборы--учебные издания--физические процессы--аморфные полупроводники--биполярные транзисторы--болометр--варикап--варисторы--выпрямитель селеновый--гальваномагнитные приборы--гетеропереход--диод характеристика--диоды--диоды полупроводниковые--допущено мо рф--интегральные микросхемы--контактные явления--лазер--микроэлектроника--оптоэлектронные полупроводниковые приборы--оптоэлектронные приборы--позистор--полевые транзисторы--полупроводники--полупроводниковые диоды--приборы с зарядовой связью--пробой лавинный--пробой тепловой--пробой туннельный--стабилитрон--стабистор--терморезисторы--термоэлектрические устройства--тиристоры--транзисторы--транзисторы биполярные--транзисторы полевые--учебные пособия--физика--физика полупроводников--физика полупроводников -- контактные явления -- полупроводниковые диоды -- биполярные транзисторы -- тиристоры -- полевые транзисторы -- приборы с зарядовой связью -- интегральные микросхемы -- оптоэлектронные полупроводниковые приборы -- терморезисторы -- варисторы -- термоэлектрические генераторы -- преобразователи холла--фотодиод--фоторезистор--холла преобразователь--шотки диод--электроника--электроника и микроэлектроника--эбс лань
Аннотация: Доп.Мин.обр.РФ для студентов ВУЗов, обучающихся по направлению подготовки бакалавров и магистров "Электроника и микроэлектроника" и по направлению подготовки дипломированных специалистов "Электроника и микроэлектроника". В книге рассмотрены физические процессы в полупроводниковых приборах и элементах интегральных микросхем, их основные свойства, характеристики и параметры, конструктивно-технологические особенности полупроводниковых приборов в интегральном исполнении и общие принципы микроэлектроники. Книга предназначена для студентов, обучающихся по образовательным программам подготовки бакалавров, магистров и дипломированных специалистов по направлению "Электроника и микроэлектроника".
Перейти к внешнему ресурсу ЭБС Лань. Доступ до 31.08.2024
Найти похожие

1-10 11-20 21-30 31-40 41-50 51-60

Тематический навигатор

Статистика за 19.08.2024
Число запросов	11385
Число посетителей	259
Число заказов	0