Вид документа : Статья из сборника (том многотомника) Шифр издания : 62/Н 34 Автор(ы) : Мертвищева И.А., Балашова К.И. Заглавие : От первых резисторов - к гетероструктурам. Новые полупроводниковые материалы Место публикации : Научному прогрессу - творчество молодых: сб. материалов междунар. науч. студ. конф. по естеств.- науч. и техн. дисциплинам. 17-18 апр. 2009 г.: в 3 ч./ М-во образования и науки РФ, Федер. агентство по образованию, Гос. ком. Респ. Марий Эл по проф. образованию, МарГТУ, Центр фундам. образования ; [редкол.: Иванов В. А. и др.]. - Йошкар-Ола: МарГТУ, 2009. - Ч. 1. - С. 182-183. - 645895 кнхр УДК : 62 Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): полупроводниковые технологии--транзисторы--методы--труды маргту--гетероустройства--эпитаксия Экземпляры :(1) Свободны : (1) Доп.точки доступа: Балашова, К.И. Крашенинникова, Н.Г. \науч. рук.\